加工装置以及加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号CN109420979B(45)授权公告日2022.02.11(21)申请号201810862652.4(51)Int.Cl.(22)申请日2018.08.01B24B41/06(2012.01)B24B7/10(2006.01)(65)同一申请的已公布的文献号H01L21/304(2006.01)申请公布号CN109420979AB26D1/12(2006.01)(43)申请公布日2019.03.05审查员谢晓宇(30)优先权数据2017-1592742017.08.22JP(73)专利权人东和株式会社地址日本京都府京都市南区上鸟羽上调子町５番地(72)发明人藤原直己黄善夏(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人马爽臧建明权利要求书2页说明书17页附图13页(54)发明名称加工装置以及加工方法(57)摘要本发明是一种抑制工件磨削量的不均的加工装置以及加工方法。加工装置是对工件(2)进行加工的加工装置，其包括载置工件(2)的平台(4)、对工件(2)进行磨削的磨削机构(8)、以及对工件(2)的工件厚度方向上的至少工件(2)的一部分的位置进行测定的测定机构(19)，磨削机构(8)具有磨削砂轮(10)，基于由测定机构(19)所测定的测定值，来控制磨削砂轮在工件厚度方向上的位置。CN109420979BCN109420979B权利要求书1/2页1.一种加工装置，其对经树脂密封的基板即工件磨削加工出固定的宽度的开口部，所述加工装置的特征在于，包括：平台，载置所述工件；磨削机构，具有对所述工件的密封树脂进行磨削的固定的宽度；以及测定机构，在所述工件由所述磨削机构磨削时，对磨削前的所述工件的上表面的高度位置及磨削后的所述工件的上表面的高度位置进行测定，所述磨削机构具有磨削砂轮，基于由所述测定机构所测定出的磨削前的所述工件的上表面的所述高度位置与磨削后的所述工件的上表面的所述高度位置的比较，来控制所述工件由所述磨削机构磨削时的所述磨削砂轮在所述工件的厚度方向上的位置。2.根据权利要求1所述的加工装置，其特征在于，所述测定机构还测定所述平台的上表面的高度位置，将由所述测定机构所测定出的所述平台的上表面的高度位置作为磨削前的所述工件的上表面的所述高度位置以及磨削后的所述工件的上表面的所述高度位置的基准。3.根据权利要求1或2所述的加工装置，其特征在于，所述测定机构包括对磨削前的所述工件的上表面的所述高度位置进行测定的第1位移传感器、及对磨削后的所述工件的上表面的所述高度位置进行测定的第2位移传感器。4.根据权利要求3所述的加工装置，其特征在于，所述第1位移传感器及所述第2位移传感器分别测定所述平台的上表面的高度位置，将由所述第1位移传感器所测定出的所述平台的上表面的高度位置作为由所述第1位移传感器所测定出的磨削前的所述工件的上表面的所述高度位置的基准，将由所述第2位移传感器所测定出的所述平台的上表面的高度位置作为由所述第2位移传感器所测定出的磨削后的所述工件的上表面的所述高度位置的基准。5.根据权利要求2所述的加工装置，其特征在于，所述测定机构包括对所述平台的上表面的高度位置进行测定的第3位移传感器。6.根据权利要求1、2及5中任一项所述的加工装置，其特征在于，所述测定机构还包括对所述工件进行检查的检查机构。7.根据权利要求1、2及5中任一项所述的加工装置，其特征在于，所述加工装置还包括切断所述工件的切断机构。8.一种加工方法，对工件进行磨削加工，所述工件具有基板、安装于所述基板的多个半导体元件、配置在所述半导体元件周围的多个突起状电极、以及至少覆盖所述多个半导体元件及所述多个突起状电极的密封树脂，所述加工方法的特征在于，包括：设定工序，在所述基板上设定加工预定线；载置工序，将所述工件载置于平台；磨削工序，通过具有固定的宽度的磨削砂轮来磨削所述工件的所述密封树脂；测定工序，在进行所述磨削工序时对磨削前的所述工件的上表面的高度位置及磨削后的所述工件的上表面的高度位置进行测定；以及控制工序，基于在进行所述磨削工序时所进行的所述测定工序中所测定出的磨削前的所述工件的上表面的所述高度位置与磨削后的所述工件的上表面的所述高度位置的比较，2CN109420979B权利要求书2/2页通过由具有固定的宽度的所述磨削砂轮形成在所述工件上的开口部，以配置在所述基板的所述突起状电极的上部即将露出前或露出的方式，对所述磨削砂轮在所述工件的厚度方向上的位置进行控制。9.根据权利要求8所述的加工方法，其特征在于，在所述测定工序中，测定所述平台的上表面的高度位置，在所述控制工序中，将所测定出的所述平台的上表面的高度位置作为磨削前的所述工件的上表面的所述高度位置以及磨削后的所述工件