一种芯片生产用的湿法刻蚀方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114334724A(43)申请公布日2022.04.12(21)申请号202111578425.7(22)申请日2021.12.22(71)申请人山东华楷微电子装备有限公司地址276800山东省日照市日照高新区高新六路17号日照智慧微电产业园（高新六路与艳阳路交汇处）(72)发明人牛立久张雪奎刘增增周一雷徐金鑫(74)专利代理机构苏州金项专利代理事务所(普通合伙)32456代理人金星(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/677(2006.01)权利要求书3页说明书11页附图8页(54)发明名称一种芯片生产用的湿法刻蚀方法(57)摘要本发明公开了一种芯片生产用的湿法刻蚀方法，S1、设备的前期准备；S2、刻蚀输送带带动晶圆输送并停留在托盘上方的刻蚀工位；S3、托盘上升支托晶圆，再由旋转座带动托盘旋转；S4、刻蚀喷淋装置喷淋刻蚀液；S5、晶圆由刻蚀输送带输送至第一输送组件上，再输送至第二输送组件上；S6、当水洗检测传感器检测到晶圆时，喷射水洗装置对晶圆表面喷射超纯水；S8、上游输送装置将晶圆输送至干燥输送装置的干燥工位上，吸水套与晶圆下表面接触吸水干燥；气吹干燥装置对晶圆上表面气吹干燥；S9、下游输送装置将干燥的晶圆送出，该湿法刻蚀方法能够防止晶圆破裂，更彻底的清除晶圆表面残留的刻蚀液，更好的将晶圆彻底干燥，防止水痕产生。CN114334724ACN114334724A权利要求书1/3页1.一种芯片生产用的湿法刻蚀方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、设备的前期准备：S11、提供一种湿法刻蚀机，该湿法刻蚀机包括晶圆湿法刻蚀装置，晶圆水洗装置和晶圆干燥装置；所述晶圆湿法刻蚀装置包括第一机架，所述第一机架上安装有一对由第一输送动力装置驱动的刻蚀输送辊组，所述刻蚀输送辊组之间安装有若干条间隔的刻蚀输送带，所述第一机架上位于刻蚀输送带的上游端安装有将晶圆导入输送区域的刻蚀导向装置，所述刻蚀输送带的下方竖直升降安装有由升降动力装置驱动的升降座，所述升降座上绕竖直中心线转动安装有旋转座，所述旋转座由安装于升降座上的旋转电机驱动，所述旋转座上安装有方便从刻蚀输送带之间的空隙区域露出的用于支托晶圆的托盘，所述第一机架上位于刻蚀输送带的上方设置有喷淋刻蚀液的刻蚀喷淋装置；所述晶圆水洗装置包括相互衔接的第一输送组件和第二输送组件，所述第一输送组件包括第二机架和转动安装于第二机架上的一对第一输送轮组，所述第一输送轮组之间缠绕有若干条间隔设置的第一输送条，所述第二输送组件设置于水洗腔室内，水洗腔室上设置有进料口和出料口，所述第二输送组件包括第三机架和转动安装于第三机架上的一对第二输送轮组，所述第二输送轮组之间缠绕有若干条间隔设置的第二输送条，所述第一输送条和第二输送条的上表面衔接并平齐形成用于输送晶圆的输送面，所述水洗腔室内安装有对晶圆上下表面进行喷射超纯水的喷射水洗装置，所述喷射水洗装置均与超纯水供应系统连通，所述第二输送架上设置有检测晶圆定位于喷射水洗机构下方的水洗检测传感器，该检测传感器与控制所述第二输送轮组运转的第二输送动力装置电连接；所述晶圆干燥装置包括第四机架，所述第四机架上依次安装有上游输送装置、干燥输送装置和下游输送装置，所述上游输送装置与第二输送条衔接，所述干燥输送装置包括转动安装于第四机架上的若干个干燥输送辊，所述干燥输送辊的输送平面与上游输送装置和下游输送装置的输送平面衔接，每个干燥输送辊上均套装固定有吸水套，所述干燥输送辊由第三输送动力装置驱动，所述第四机架上位于干燥输送辊的上方安装有气吹干燥装置。S2、刻蚀输送辊组驱动刻蚀输送带带动晶圆向托盘方向输送并停留在托盘上方的刻蚀工位；S3、升降动力装置驱动升降座上升，使托盘支托晶圆，再由升降座上的旋转电机驱动旋转座上的托盘旋转；S4、当托盘旋转时刻蚀喷淋装置开始喷淋刻蚀液；S5、刻蚀完成后，刻蚀喷淋装置停止喷淋，升降动力装置驱动升降座下降使晶圆由刻蚀输送带支撑并输送至第一输送组件上，再由第一输送组件输送至水洗腔室内的第二输送组件上；S6、当水洗检测传感器检测到晶圆时，第二输送组件停止输送使晶圆停留于水洗工位，喷射水洗装置对晶圆表面喷射超纯水；S7、第二输送装置将水洗的晶圆输送至上游输送装置；S8、上游输送装置将晶圆输送至干燥输送装置的干燥工位上，由干燥输送辊上的吸水套与晶圆下表面接触吸水干燥；气吹干燥装置对晶圆上表面气吹干燥；S9、下游输送装置将干燥的晶圆送出。2CN114334724A权利要求书2/3页2.如权利要求1所述的一种芯片生产用的湿法刻蚀方法，其特征在于：所述步骤S2中晶圆停留于托盘上方的刻蚀工位的步骤包括：S21、在刻蚀工位的上游设置一个晶圆检测传感器，托盘包括