一种湿法刻蚀设备及方法.pdf
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相关资料
一种湿法刻蚀设备及方法.pdf
本发明公开了一种湿法刻蚀设备及方法,用于提高湿法刻蚀系统的工艺工程能力,降低出现产品不良的概率。其中,所述湿法刻蚀设备包括多个并列的腔体压力喷射单元(30),每一个腔体压力喷射单元(30)包括传动轮(301)、调节装置(302)、并排设置的多个腔体(303)以及设置在腔体(303)上的喷嘴(304),其中:所述传动轮(301),用于放置待刻蚀基板;所述腔体(303),用于在预设的刻蚀时间内,将药液通过所述喷嘴(304)压出,溅射到所述待刻蚀基板上;所述调节装置(302),用于在所述腔体(303)将药液通过
一种湿法刻蚀方法.pdf
本发明提出了一种湿法刻蚀方法,创新性的采用了链式与槽式相结合的湿法刻蚀方法,完美的解决了传统链式湿法刻蚀所导致的EL滚轮印、皮带印、黑点黑斑等问题,同时,除刻蚀槽外其他槽体滚轮不再使用,碱槽喷淋不再使用,从而减少了设备耗材的消耗与维护,极大的降低了设备的维护成本和极大的提高了生产效率。另外,本发明湿法刻蚀中碱槽不再使用喷淋,彻底解决了喷淋易堵塞而导致背面多孔硅去除不干净的隐患。
一种湿法刻蚀设备.pdf
本发明所述的一种湿法刻蚀设备,包括喷射装置、传输轴以及设置在传输轴上的多个滚轮,位于同一根所述传输轴上的多个所述滚轮中,设置在中间的滚轮的直径大于设置于传输轴两侧的各滚轮的直径;本发明所述的湿法刻蚀设备借助薄型基板本身的挠性,通过改变设置在同一传输轴上滚轮的相对直径,即,设置在传输轴中间的滚轮直径大于设置在两侧的滚轮直径,基板传输时,沿垂直于基板的传输方向,基板3的中部在竖直方向上的高度大于其两侧的高度,刻蚀液无法在基板上方堆积,有效提高了刻蚀液的置换率,从而改善刻蚀的均匀性,提高产品的良率。而且,只需要
一种湿法刻蚀设备.pdf
本发明属于湿法蚀刻领域,尤其涉及一种湿法刻蚀设备,它包括蚀刻机构、浸板机构,其中被机械臂驱动的浸板机构带动均匀安装于其上的若干蚀刻基板在蚀刻机构中的蚀刻液内进行同步均匀蚀刻;气泵鼓出的气经柱套的引导多点均匀密布地将依然附着残留于基板上的蚀刻液吹离并在基板反射作用下经液槽内壁上四个吸气口处的引导斜面引导和吸气口及析液盒内的吸液棉的过滤循环至气泵,保证蚀刻液不会因其随气体流动而损失,有利于随气体流动的蚀刻液的回收利用,同时,保证蚀刻结束的基板上不会因残留的蚀刻液而出现基板蚀刻不均匀的现象。
一种InGaP的湿法刻蚀方法.pdf
本发明涉及半导体制造业技术领域,尤其涉及一种InGaP的湿法刻蚀方法,包括如下步骤:在衬底或外延层上生长InGaP层;采用湿法刻蚀方法对衬底或外延层进行刻蚀,并在InGaP层上生长SiN层;采用反应离子束刻蚀方法刻蚀SiN层;采用稀盐酸清洗晶圆表面,去除表面氧化物薄层;采用弱氨水清洗晶圆表面,去除稀盐酸处理晶圆表面后残留的H