半导体芯片台面的加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109514354A(43)申请公布日2019.03.26(21)申请号201710852669.7(22)申请日2017.09.19(71)申请人株洲中车时代电气股份有限公司地址412001湖南省株洲市石峰区时代路169号(72)发明人刘锐鸣唐革操国宏颜骥王东东刘月雷王政英邹昌(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人罗满(51)Int.Cl.B24B1/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称半导体芯片台面的加工方法(57)摘要本发明公开了一种半导体芯片台面的加工方法，包括：根据磨轮转速及磨料的硬度及颗粒2大小确定磨轮的最大磨削速度x；根据公式1)v122+v2≤x，其中，v2为芯片与所述磨轮的接近速度，v1为芯片自转线速度，使得芯片以螺旋曲线轨迹进行磨削。应用本发明公开的半导体芯片的台面加工方法，芯片的径向磨削和切向磨削同时进行，使得芯片以螺旋曲线轨迹磨削，芯片所受应力受控，从而避免芯片与磨轮接近或芯片自旋转过程中产生严重的磨削损伤，保证芯片的高压阻断特性。CN109514354ACN109514354A权利要求书1/1页1.一种半导体芯片台面的加工方法，其特征在于，包括：根据磨轮转速及磨料的硬度及颗粒大小确定磨轮的最大磨削速度x；222根据公式1)v1+v2≤x，其中，v2为芯片与所述磨轮的接近速度，v1为芯片自转线速度，使得芯片以螺旋曲线轨迹进行磨削。2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述芯片与所述磨轮的接近速度v2：根据公式2)其中，ω1为所述芯片自转角速度，Δr为所述芯片与磨轮每圈接近距离。3.根据权利要求2所述的加工方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述芯片的磨削直径r达到预设值时，所述芯片自转不小于一周后停止磨削。4.根据权利要求3所述的加工方法，其特征在于，所述芯片自转线速度v1：根据公式3)v1＝ω1r，其中，ω1为所述芯片自转角速度，r为所述芯片的磨削直径。2CN109514354A说明书1/3页半导体芯片台面的加工方法技术领域[0001]本发明涉及芯片加工技术领域，更具体地说，涉及一种半导体芯片台面的加工方法。背景技术[0002]现有的半导体芯片台面造型，通过多斜角同时造型，台面宽度控制精确，不易造成崩边、裂片，且可双正角造型的半导体芯片台面造型方法。该方式下芯片为局部接触磨轮，通过芯片自转的方式逐渐磨削芯片的整个台面。该方式存在以下问题：[0003]芯片与磨轮接近速度过快时，磨削速度达不到要求的磨削量，将会挤压芯片，对芯片造成损伤；[0004]芯片自旋转过快时，磨削速度达不到要求的磨削量，将会挤压芯片，对芯片造成损伤；[0005]当芯片在自旋转时，又同时进行与磨轮的接近，若磨削速度达不到要求的磨削量，将会挤压芯片，对芯片造成损伤。[0006]综上所述，如何有效地解决半导体芯片与磨轮间磨削过程中芯片磨削损伤较多等问题，是目前本领域技术人员急需解决的问题。发明内容[0007]有鉴于此，本发明的目的在于提供一种半导体芯片台面的加工方法，以解决半导体芯片与磨轮间磨削过程中芯片磨削损伤较多等问题。[0008]为了达到上述目的，本发明提供如下技术方案：[0009]一种半导体芯片台面的加工方法，包括：[0010]根据磨轮转速及磨料的硬度及颗粒大小确定磨轮的最大磨削速度x；222[0011]根据公式1)v1+v2≤x，[0012]其中，v2为芯片与所述磨轮的接近速度，v1为芯片自转线速度，使得芯片以螺旋曲线轨迹进行磨削。[0013]优选地，所述芯片与所述磨轮的接近速度v2：[0014]根据公式2)[0015]其中，ω1为所述芯片自转角速度，Δr为所述芯片与磨轮每圈接近距离。[0016]优选地，所述方法还包括：[0017]当所述芯片的磨削直径r达到预设值时，所述芯片自转不小于一周后停止磨削。[0018]优选地，所述芯片自转线速度v1：[0019]根据公式3)v1＝ω1r，[0020]其中，ω1为所述芯片自转角速度，r为所述芯片的磨削直径。[0021]本发明提供的半导体芯片的台面加工方法，通过磨轮转速及磨料确定磨轮的最大磨削速度，芯片与磨轮的接近速度和芯片自转线速度的平方和不大于磨轮的最大磨削速度3CN109514354A说明书2/3页的平方。应用本发明提供的半导体芯片的台面加工方法，芯片的径向磨削和切向磨削同时进行，使得芯片以螺旋曲线轨迹磨削，芯片所受应力受控，从而避免芯片与磨轮接近或芯片自旋转过程中产生严重的磨削损伤，保证芯片的高压阻断特性。附图说明[0022]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显