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GaAs微探尖的制备与转移的中期报告
本项目旨在开发一种可控制备和转移的高质量GaAs微探针，用于扫描探针显微镜(SPM)和量子点(QDs)的光学研究。目前，我们已完成了GaAs微探针的制备和转移到支撑物质上的工作，并取得了一些初步的结果。
制备过程如下：先在GaAs衬底上生长了两层GaAs，然后在第二层GaAs表面上刻出直径为200nm左右的孔洞，以形成纳米结构。接着在孔洞周围沉积SiO2，将其填满，并通过正胶光刻技术制成圆形探针。最后，进行波长为405nm的紫外线照射，以去除掉周围的SiO2，使得GaAs探针裸露出来。
我们利用扫描探针显微镜对GaAs微探针的形貌进行了表征。结果表明，GaAs微探针的直径均匀，表面光滑，并且边缘清晰。我们还使用原子力显微镜测试了GaAs微探针的尖端半径，结果显示尖端半径约为20-30nm。
接着，我们将GaAs微探针转移到了玻璃片和金片上，通过电子束蒸发技术在探针尖端和支撑物质之间制备了金属接触点。通过电子探针显微镜进行观察，我们发现金属接触点的形貌和质量都很好，证明我们成功地将GaAs微探针转移到了支撑物质上。
目前，我们正在进行更加深入的研究，包括对GaAs微探针的光学和电学性质的研究等。我们相信这项研究将为纳米级SPM和QDs等研究领域提供高质量的探针。