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GaAs微探尖的制备、剥离与集成的中期报告
该项目主要研究GaAs微探尖的制备、剥离与集成。在已有的研究基础上，我们通过调整制备工艺和优化剥离方法，成功地制备了高质量的GaAs微探尖，并实现了与电路的集成。
制备方面，我们采用深刻蚀技术，成功地制备了高质量的GaAs微探尖。通过调整工艺参数，我们得到了长约10微米，半径约100纳米的探尖，表面光滑，无明显缺陷。同时，我们还优化了探尖表面的涂覆材料，使其具有更好的蚀刻抗性和电子输运性能。
剥离方面，我们采用了光剥离和机械剥离相结合的方法。通过光剥离，我们成功地将GaAs微探尖从衬底上剥离下来，并保持其完好性。同时，我们还采用了机械剥离技术，进一步提高了剥离效率和探尖的质量。经过测试，我们得到了探尖的电子输运性能和机械强度等参数，均符合要求。
集成方面，我们将GaAs微探尖与电路进行了集成。我们设计了合适的电路结构，将探尖与电路电极相连。通过测试，我们得到了探尖和电路之间的电子传输性能，表明集成效果良好。
目前，我们已经完成了该项目的中期报告，取得了一定的成果。未来，我们将继续优化研究工作，完善成果，并尝试将其应用于微纳电子领域。