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GaAs微探尖的选择液相外延制备技术研究的中期报告
本次研究旨在探究选择液相外延制备GaAs微探针的技术，并对中期研究结果进行分析。
首先，我们选择了MOCVD法生长GaAs基片，并通过电子束蒸发法在基片表面制备出具有锥形的微探尖。接着，使用MOCVD反应池生长的外延材料填充微探尖顶部，形成GaAs微探针。在填充外延材料时，需要控制外延材料的流量和反应温度，以确保填充的质量和均匀性。最后，通过离子注入法形成微探针的电极。
实验结果显示，GaAs微探针的表面形态和结构都符合预期。同时，我们还通过原子力显微镜、电子能谱分析、透射电子显微镜等方法对微探针的结构和物理性质进行了详细的表征。结果表明，制备的GaAs微探针具有良好的电学和机械性能，并且能够在光学和电学性质方面展现出卓越的表现。
总之，我们成功地开发了一种选择液相外延制备GaAs微探针的技术，并对其进行了中期的研究探究。下一步，我们将对GaAs探针的电学和光学性质进行更加深入的研究，并探索其在微纳电子学和生物医学等领域的应用潜力。