晶圆侦测装置及晶圆清洗机.pdf
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晶圆侦测装置及晶圆清洗机.pdf
本发明公开了一种晶圆侦测装置及晶圆清洗机,晶圆侦测装置适用以在晶圆清洗工艺中侦测多个晶圆的状态。晶圆侦测装置包含光发射元件、光接收元件及处理装置。光发射元件配置成对多个晶圆发射光线。光接收元件设置在光发射元件的一侧,配置成接收从多个晶圆反射的光线。处理装置信号连接光接收元件。处理装置包含处理单元及判断单元。处理单元配置成将光接收元件所接收的光线转换成侦测光强信号及/或侦测轮廓外形。判断单元配置成根据侦测光强信号及/或侦测轮廓外形判断多个晶圆的状态。借此,本发明的晶圆侦测装置,主要可在晶圆清洗工艺中侦测并判
晶圆处理方法及晶圆处理装置.pdf
本申请涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理方法及晶圆处理装置。所述晶圆处理方法包括如下步骤:建立映射关系,所述映射关系包括多个热处理温度、以及与多个所述热处理温度一一对应的多个降温处理时间,所述热处理温度是炉管制程中炉管达到的最高温度,所述降温处理时间根据晶圆的温度从所述热处理温度降低到目标温度的时间确定;获取目标晶圆处理工艺条件中的目标热处理温度;根据所述映射关系获取与所述目标热处理温度对应的目标降温处理时间;根据所述目标降温处理时间对经过炉管制程处理的目标晶圆进行降温。本申请节省了扩散机台对晶
晶圆处理装置及晶圆处理方法.pdf
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理装置及晶圆处理方法。所述晶圆处理装置包括:支撑台,具有用于承载晶圆的承载面;喷嘴,位于所述支撑台上方,且仅具有气体喷口,所述喷嘴能够沿与所述承载面平行的方向移动,所述气体喷口用于向所述承载面上承载的所述晶圆喷射气体,以除去所述晶圆表面残留的液体。本发明一方面,减少了所述晶圆表面液体的残留;另一方面,减少甚至是避免了晶圆易出现图案坍塌的问题,提高了晶圆产品的良率。
晶圆研磨装置与晶圆研磨方法.pdf
一种晶圆研磨装置与晶圆研磨方法。晶圆研磨装置包括一支撑板、一修整垫以及一研磨轮。支撑板用以放置一晶圆于其上。修整垫设置邻近于支撑板。研磨轮能够在支撑板与修整垫之间移动,以研磨放置在支撑板上的晶圆或经由修整垫修整研磨轮的一研磨面。
晶圆支撑件、晶圆加工装置及晶圆加工方法.pdf
本发明涉及一种晶圆支撑件、晶圆加工装置及晶圆加工方法,晶圆支撑件包括柱体与支撑块。风管的口部排出的反应气体能均匀地流向到晶圆的整个表面上方,晶圆对应于支撑块的表面部位的气体量与晶圆的其它部位的气体量基本相同,进而晶圆对应于支撑块的表面部位沉积形成薄膜的厚度与其它部位基本相同,也就是能提高晶圆的边缘部位沉积厚度的均匀性,提高晶圆产品质量。此外,柱体的宽度相对减小,通过抽吸机构将炉体内对应于晶圆处的反应气体抽离的过程中,柱体的阻挡作用同样减弱,反应气体及时地被抽离出反应炉体,从而尽可能地避免反应气体停留在晶圆