多孔陶板、其制备方法及其应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110315815A(43)申请公布日2019.10.11(21)申请号201910221154.6C04B35/26(2006.01)(22)申请日2019.03.22C04B35/622(2006.01)C04B35/636(2006.01)(30)优先权数据C04B38/00(2006.01)1071110552018.03.29TWC04B38/06(2006.01)(71)申请人中国砂轮企业股份有限公司地址中国台湾新北市(72)发明人何嘉哲黄彦儒黄昭竣陈泰甲(74)专利代理机构北京戈程知识产权代理有限公司11314代理人程伟李兵霞(51)Int.Cl.B32B18/00(2006.01)B32B37/06(2006.01)B32B37/10(2006.01)B32B3/24(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图7页(54)发明名称多孔陶板、其制备方法及其应用(57)摘要本发明提供多孔陶板、其制备方法及其应用。该制备方法包括以下步骤：步骤(a)：齐备复数陶瓷原料，这些陶瓷原料分别包括表层陶瓷原料和底层陶瓷原料，其中该表层陶瓷原料所包含的金属氧化物的平均粒径小于或等于20微米；步骤(b)：将这些陶瓷原料各自进行成形步骤后，分别得到由这些陶瓷原料成形的复数生胚；步骤(c)：将这些生胚叠设形成一叠层，该叠层包含该表层陶瓷原料成形的生胚以及该底层陶瓷原料成形的生胚；将该叠层进行成形步骤，得到一成形后的叠层；以及，步骤(d)：烧结该成形后的叠层，以获得一多孔陶板，其中，该多孔陶板包括相互叠设的一表层陶瓷层和底层陶瓷层，该表层陶瓷层的平均孔径小于该底层陶瓷层的平均孔径。CN110315815ACN110315815A权利要求书1/2页1.一种多孔陶板的制备方法，其包含以下步骤：步骤a)：齐备复数陶瓷原料，这些陶瓷原料分别包括表层陶瓷原料和底层陶瓷原料，其中该表层陶瓷原料所包含的金属氧化物的平均粒径小于或等于20微米；这些陶瓷原料所含的铁氧化物含量占这些陶瓷原料总重的20重量％以上；步骤b)：将这些陶瓷原料各自进行成形步骤后，分别得到由这些陶瓷原料成形的复数生胚；步骤c)：将这些生胚叠设形成一叠层，该叠层包含该表层陶瓷原料成形的生胚以及该底层陶瓷原料成形的生胚；将该叠层进行成形步骤，得到一成形后的叠层；以及步骤d)：烧结该成形后的叠层，以获得一多孔陶板，其中，该多孔陶板包括相互叠设的一表层陶瓷层和一底层陶瓷层；该表层陶瓷层的平均孔径介于0.3微米至10微米，该底层陶瓷层的平均孔径介于20微米至3000微米；该多孔陶板的整体孔隙率介于30％至85％。2.根据权利要求1所述的多孔陶板的制备方法，其中，该表层陶瓷原料所含的金属氧化物的平均粒径小于该底层陶瓷原料所含的金属氧化物的平均粒径。3.根据权利要求1所述的多孔陶板的制备方法，其中，该底层陶瓷原料添加造孔填充剂。4.根据权利要求1所述的多孔陶板的制备方法，其中，步骤b)中这些陶瓷原料各自使用压延成型法以进行成形步骤。5.根据权利要求4所述的多孔陶板的制备方法，其中，步骤c)中该叠层使用压延成型法以进行成形步骤。6.根据权利要求1至5中任一项所述的多孔陶板的制备方法，其中，该步骤a)中的复数陶瓷原料还包括至少一中间层陶瓷原料；以及该步骤d)中，该多孔陶板还包括至少一中间层陶瓷层，该表层陶瓷层的平均孔径小于该中间层陶瓷层的平均孔径，该中间层陶瓷层的平均孔径小于该底层陶瓷层的平均孔径。7.根据权利要求1至5中任一项所述的多孔陶板的制备方法，其中，该步骤d)中的烧结温度为500℃至1250℃。8.一种多孔陶板，其包括相互叠设的表层陶瓷层和底层陶瓷层；其中，该表层陶瓷层的平均孔径介于0.3微米至10微米，该底层陶瓷层的平均孔径介于20微米至3000微米；该多孔陶板的整体孔隙率介于30％至85％；该多孔陶板所含的铁氧化物含量占该多孔陶板的总重的20重量％以上。9.根据权利要求8所述的多孔陶板，其中，该多孔陶板还包括至少一中间层陶瓷层，该中间层陶瓷层位于该表层陶瓷层和该底层陶瓷层之间；该表层陶瓷层的平均孔径小于该中间层陶瓷层的平均孔径，该中间层陶瓷层的平均孔径小于该底层陶瓷层的平均孔径。10.根据权利要求8所述的多孔陶板，其中，该表层陶瓷层的孔隙率介于15％至60％，该底层陶瓷层的孔隙率介于30％至90％。11.根据权利要求8至10中任一项所述的多孔陶板，其中，该多孔陶板的总厚度介于200微米至20000微米，该表层陶瓷层的厚度介于20微米至10000微米。12.一种真空吸盘，其包括根据权利要求8至11中任一项所述的一多孔陶板以及一底板，该底板具有与该多孔陶板相连接的一表面。13.一种非接触式应用设备，其包括根据权