一种硅晶圆划片加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110405542A(43)申请公布日2019.11.05(21)申请号201810395246.1(22)申请日2018.04.27(71)申请人刘晓玲地址350800福建省福州市闽清县池园镇岭头村岭头1号(72)发明人刘晓玲(74)专利代理机构福州科扬专利事务所35001代理人何小星(51)Int.Cl.B24B1/00(2006.01)B24B19/22(2006.01)权利要求书1页说明书1页(54)发明名称一种硅晶圆划片加工方法(57)摘要本发明涉及一种硅晶圆划片加工方法，包括依次进行的如下步骤：步骤一：使用激光在硅晶圆背面标刻十字图形，激光波长1064nm，功率3W，速度200mm/s，划槽宽度25μm，划槽深度5μm；步骤二：使用砂轮划片机从硅晶圆的正面切割道进行划片，速度50mm/s，划槽宽度26μm，划槽深度20μm；步骤三：以激光标刻的十字图形为参考对位，使用砂轮划片机从硅晶圆的背面划片，速度25mm/s，划槽宽度26μm，完全划透晶圆。CN110405542ACN110405542A权利要求书1/1页1.一种硅晶圆划片加工方法，其特征在于：包括依次进行的如下步骤：步骤一：使用激光在硅晶圆背面标刻十字图形，激光波长1064nm，功率3W，速度200mm/s，划槽宽度25μm，划槽深度5μm；步骤二：使用砂轮划片机从硅晶圆的正面切割道进行划片，速度50mm/s，划槽宽度26μm，划槽深度20μm；步骤三：以激光标刻的十字图形为参考对位，使用砂轮划片机从硅晶圆的背面划片，速度25mm/s，划槽宽度26μm，完全划透晶圆。2CN110405542A说明书1/1页一种硅晶圆划片加工方法技术领域[0001]本发明涉及集成电路加工技术领域，具体涉及一种硅晶圆划片加工方法。背景技术[0002]硅晶圆划片是集成电路封装制程中对晶圆上多个芯片图形进行滑切加工的关键工序，传统的加工方式是在晶圆背面贴上蓝膜，采用砂轮刀片完全切割晶圆而不划伤蓝膜，由于机械应力的存在，切割槽背面容易产生崩边。发明内容[0003]为了解决上述问题，本发明的目的在于提供一种硅晶圆划片加工方法。[0004]为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：一种硅晶圆划片加工方法，包括依次进行的如下步骤：步骤一：使用激光在硅晶圆背面标刻十字图形，激光波长1064nm，功率3W，速度200mm/s，划槽宽度25μm，划槽深度5μm；步骤二：使用砂轮划片机从硅晶圆的正面切割道进行划片，速度50mm/s，划槽宽度26μm，划槽深度20μm；步骤三：以激光标刻的十字图形为参考对位，使用砂轮划片机从硅晶圆的背面划片，速度25mm/s，划槽宽度26μm，完全划透晶圆。[0005]本发明具有如下有益效果：1、本发明使用砂轮划片机，能实现对高硬度材料的强力磨削，加工效果更好。[0006]2、本发明对硅晶圆划片加工，能降低崩边的可能性，提高了制作效率。具体实施方式[0007]以下结合具体实施例对本发明做进一步详细说明：一种硅晶圆划片加工方法，包括依次进行的如下步骤：步骤一：使用激光在硅晶圆背面标刻十字图形，激光波长1064nm，功率3W，速度200mm/s，划槽宽度25μm，划槽深度5μm；步骤二：使用砂轮划片机从硅晶圆的正面切割道进行划片，速度50mm/s，划槽宽度26μm，划槽深度20μm；步骤三：以激光标刻的十字图形为参考对位，使用砂轮划片机从硅晶圆的背面划片，速度25mm/s，划槽宽度26μm，完全划透晶圆。[0008]以上所述仅为本发明的具体实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。3