1806炉晶棒拉晶方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115369480A(43)申请公布日2022.11.22(21)申请号202211168080.2(22)申请日2022.09.23(71)申请人宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司地址750000宁夏回族自治区银川市经济技术开发区光明西路28号(72)发明人马小龙徐庆晧刘彦鹏芮阳王忠保王黎光曹启刚张昆熊欢(74)专利代理机构宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙)64105专利代理师邢芳丽(51)Int.Cl.C30B15/20(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图2页(54)发明名称1806炉晶棒拉晶方法(57)摘要本发明提供一种1806炉晶棒拉晶方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，根据实际拉速曲线设置预定拉速上限曲线及预定拉速下限曲线进行晶棒拉制，以通过缩小拉速波动的幅度消除因分凝效应导致硅杂质浓度的升高，并且使得单晶生长界面平坦，没有杂质析出也没有产生杂质条纹。CN115369480ACN115369480A权利要求书1/1页1.一种1806炉晶棒拉晶方法，其特征在于，根据实际拉速曲线设置预定拉速上限曲线及预定拉速下限曲线进行晶棒拉制，以通过缩小拉速波动的幅度降低晶棒出现杂质条纹的概率。2.如权利要求1所述的1806炉晶棒拉晶方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤一：根据手动拉制晶棒的实际拉速曲线设置实际拉速上限曲线、实际拉速下限曲线；步骤二：根据实际拉速曲线及实际拉速上限曲线、实际拉速下限曲线进行晶棒拉制；步骤三：晶棒拉制结束后，根据实际拉速曲线的波动量调整晶棒的实际拉速上限曲线及实际拉速下限曲线，得到预定拉速上限曲线、及预定拉速下限曲线。3.如权利要求2所述的1806炉晶棒拉晶方法，其特征在于，还包括步骤四：根据实际拉速曲线、预定拉速上限曲线及预定拉速下限曲线进行晶棒拉制，并手动干预调整温度，得到预定温度曲线，然后根据实际拉速曲线、预定拉速上限曲线、预定拉速下限曲线及预定温度曲线进行晶棒拉制。4.如权利要求3所述的1806炉晶棒拉晶方法，其特征在于，所述步骤四中，在晶棒拉制过程中，保持液口距（GAP）为第一预定值。5.如权利要求4所述的1806炉晶棒拉晶方法，其特征在于，所述第一预定值为25‑30mm。6.如权利要求3所述的1806炉晶棒拉晶方法，其特征在于，所述步骤四中，在晶棒拉制过程中，在晶棒等径后期，调整坩埚转速（CR）为第二预定值，以防止拉速变动，晶棒NG。7.如权利要求6所述的1806炉晶棒拉晶方法，其特征在于，所述第二预定值为10‑15rpm。2CN115369480A说明书1/7页1806炉晶棒拉晶方法技术领域[0001]本发明涉及单晶炉提拉法生长单晶技术领域，具体涉及一种1806炉晶棒拉晶方法。背景技术[0002]在半导体晶棒拉制时，会出现一些缺陷，如晶棒中的杂志条纹，COP缺陷，漩涡缺陷等，这些缺陷的主要影响因素是因为拉速的影响，现有技术中，1806炉的拉速无上下限程序，在拉晶过程中，拉速变化幅度大，导致晶棒杂质条纹越多。发明内容[0003]有鉴于此，本发明提供一种能够降低晶棒杂质条纹的1806炉晶棒拉晶方法。[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：[0005]一种1806炉晶棒拉晶方法，根据实际拉速曲线设置预定拉速上限曲线及预定拉速下限曲线进行晶棒拉制，以通过缩小拉速波动的幅度降低晶棒出现杂质条纹的概率。[0006]优选地，具体步骤如下：[0007]步骤一：根据手动拉制晶棒的实际拉速曲线设置实际拉速上限曲线、实际拉速下限曲线；[0008]步骤二：根据实际拉速曲线及实际拉速上限曲线、实际拉速下限曲线进行晶棒拉制；[0009]步骤三：晶棒拉制结束后，根据实际拉速曲线的波动量调整晶棒的实际拉速上限曲线及实际拉速下限曲线，得到预定拉速上限曲线、及预定拉速下限曲线。[0010]优选地，还包括步骤四：根据实际拉速曲线、预定拉速上限曲线及预定拉速下限曲线进行晶棒拉制，并手动干预调整温度，得到预定温度曲线，然后根据实际拉速曲线、预定拉速上限曲线、预定拉速下限曲线及预定温度曲线进行晶棒拉制。[0011]优选地，所述步骤四中，在晶棒拉制过程中，保持液口距(GAP)为第一预定值。[0012]优选地，所述第一预定值为25‑30mm。[0013]优选地，所述步骤四中，在晶棒拉制过程中，在晶棒等径后期，调整坩埚转速(CR)为第二预定值，以防止拉速变动，晶棒NG。[0014]优选地，所述第二预定值为10‑15rpm。[0015]与现有技术相比，本发明的有益效果在于：[0016]本发明通过设定预定拉速上限曲线及预定拉速下限曲线使得在拉晶时根据实际拉速曲线进行晶棒拉制，以通过缩小拉速波动的幅度消除因分凝效应导致硅