鎓盐、化学增幅正型抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110526841A(43)申请公布日2019.12.03(21)申请号201910438807.6C07C63/04(2006.01)(22)申请日2019.05.24C07C309/31(2006.01)C07D279/20(2006.01)(30)优先权数据C07D327/08(2006.01)2018-1005172018.05.25JPC07D519/00(2006.01)(71)申请人信越化学工业株式会社C07D215/48(2006.01)地址日本东京G03F7/004(2006.01)(72)发明人井上直也渡边聪土门大将G03F7/039(2006.01)(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038代理人杜丽利(51)Int.Cl.C07C309/73(2006.01)C07C303/32(2006.01)C07C381/12(2006.01)C07C51/41(2006.01)权利要求书4页说明书45页(54)发明名称鎓盐、化学增幅正型抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法(57)摘要具有含桥接环的基团的芳烃磺酸的鎓盐产生了具有适当强度和受控的扩散的大体积酸。当包含该鎓盐和基础聚合物的正型抗蚀剂组合物通过光刻法加工时，形成了具有高分辨率和降低的LER的矩形轮廓的图案。CN110526841ACN110526841A权利要求书1/4页1.具有式(1)的鎓盐：其中X1和X2各自独立地为亚甲基，丙烷-2,2-二基或醚键，L为单键、酯键、磺酸酯键，碳酸酯键或氨基甲酸酯键，12R和R各自独立地为可含有杂原子的C1-C20一价烃基团，m1和m2各自独立地为0至2的整数，m3为0或1，n1为满足1≤n1≤5+2m1的整数，n2为满足0≤n2≤4+2m2的整数，n3为满足0≤n3≤8+4m3的整数，A+为具有式(2)的锍阳离子，具有式(3)的碘鎓阳离子，或具有式(4)的铵阳离子：3A3B3C4A4B5A5B5C其中R，R，R，R，R，R，R和R各自独立地为可含有杂原子的C1-C20一价烃基团，5D3A3B3C5A5B5C5DR为氢或可含有杂原子的C1-C20一价烃基团，R，R和R中的任意两个或R，R，R和R中的任意两个可键合在一起以与它们连接的硫或氮原子形成环。2.化学增幅正型抗蚀剂组合物，其包含(A)含有权利要求1所述的鎓盐的产酸剂和(B)含有适于在酸的作用下分解以提高其在碱性显影剂中的溶解度的聚合物的基础聚合物。3.权利要求2所述的抗蚀剂组合物，其中该聚合物包含具有式(B1)的重复单元：其中RA为氢、氟、甲基或三氟甲基，11R各自独立地为卤素，任选卤化的C2-C8酰氧基基团，任选卤化的C1-C6烷基基团，或任2CN110526841A权利要求书2/4页选卤化的C1-C6烷氧基基团，1A为单键或C1-C10烷烃二基基团，其中可在碳-碳键中插入醚键，t1为0或1，x1为0至2的整数，a1为满足0≤a1≤5+2x1-a2的整数，以及a2为1至3的整数。4.权利要求2所述的抗蚀剂组合物，其中该聚合物包含具有式(B2)的重复单元：其中RA为氢、氟、甲基或三氟甲基，12R各自独立地为卤素，任选卤化的C2-C8酰氧基基团，任选卤化的C1-C6烷基基团，或任选卤化的C1-C6烷氧基基团，2A为单键或C1-C10烷烃二基基团，其中可在碳-碳键中插入醚键，t2为0或1，x2为0至2的整数，b1为满足0≤b1≤5+2x2-b3的整数，b2为0或1，b3为1至3的整数，在b3＝1的情况下X为酸不稳定基团，以及在b3＝2或3的情况下X各自独立地为氢或酸不稳定基团，至少一个X为酸不稳定基团。5.权利要求2所述的抗蚀剂组合物，其中该聚合物包含选自具有式(B3)、(B4)和(B5)的单元中的至少一种类型的重复单元：其中RA为氢、氟、甲基或三氟甲基，1314R和R各自独立地为羟基基团，卤素原子，乙酰氧基基团，任选卤化的C1-C6烷基基团，任选卤化的C1-C6伯烷氧基基团，任选卤化的C2-C6仲烷氧基基团，任选卤化的C2-C8酰氧基基团，或任选卤化的C2-C8烷基羰氧基基团，15R为乙酰基基团，乙酰氧基基团，C1-C20烷基基团，C1-C20伯烷氧基基团，C2-C20仲烷氧基基团，C2-C20酰氧基基团，C2-C20烷氧基烷基基团，C2-C20烷硫基烷基基团，卤素原子，硝基基3CN110526841A权利要求书3/4页团，或氰基基团，3A为单键或C1-C10烷烃二基基团，其中可在碳-碳键中插入醚键，c为0至6的整数，d为0至4的整数，e为0至5的整数，t3为0或1，以及x3为0至2的整数。6.权利要求2所述的抗蚀剂组合物，其中该聚合物进一步包含选自具有式(B6)至