化学增幅型正型抗蚀剂组合物和图案形成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106444288A(43)申请公布日2017.02.22(21)申请号201610632599.X(22)申请日2016.08.04(30)优先权数据2015-1541422015.08.04JP2016-1399932016.07.15JP(71)申请人信越化学工业株式会社地址日本东京(72)发明人平野祯典浅井聪竹村胜也(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038代理人杜丽利(51)Int.Cl.G03F7/039(2006.01)G03F7/004(2006.01)G03F7/40(2006.01)权利要求书3页说明书32页附图1页(54)发明名称化学增幅型正型抗蚀剂组合物和图案形成方法(57)摘要本发明为化学增幅型正型抗蚀剂组合物和图案形成方法，本发明提供了化学增幅型正型抗蚀剂组合物，其包括(A)在酸作用下适应于变得可溶于碱性水溶液中的聚合物，(B)光致产酸剂，(C)羧酸和(D)苯并三唑化合物和/或咪唑化合物。当将所述抗蚀剂组合物以5-250μm厚的厚膜涂布至铜基材上并以光刻法加工成图案时，可获得高分辨率且所述图案具有矩形轮廓。CN106444288ACN106444288A权利要求书1/3页1.化学增幅型正型抗蚀剂组合物，其包括(A)在酸作用下适应于变得可溶于碱性水溶液中的聚合物，(B)光致产酸剂，(C)羧酸，和(D)选自(D-1)苯并三唑化合物和(D-2)咪唑化合物的至少一种化合物所述苯并三唑化合物(D-1)具有通式(1)或(3)：其中P为氢、羟基、经取代的或未取代的C1-C6烷基、经取代的或未取代的苯基、具有磺酸或其衍生物的取代基基团或-Z-Y，其中Z为C2-C12亚烷基、亚环烷基或亚烷基醚基团，其可以被羧基取代，Y为羟基、C1-C6烷氧基、羧基或其中每个烷基结构部分具有C1-C6的二烷基氨基，Q为氢、卤素、羟基、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基或式(2)的有机基团：0其中R为氢或C1-C12烷基，x为0或1，其中T为氢、羟基、经羟基取代的或未取代的C1-C6烷基或经羟基取代的或经甲基取代的或未取代的苯基，W为氢、卤素、羟基、C1-C6烷基或C1-C6烷氧基，所述咪唑化合物(D-2)具有通式(I-1)至(I-6)的任一个：2CN106444288A权利要求书2/3页1其中R为具有极性官能结构部分的直链、支链或环状C2-C20烷基，所述极性官能结构部分为选自羟基、羰基、酯、醚、硫化物、碳酸酯、氰基和缩醛中的至少一个结构部分；234R、R和R各自独立地为氢、直链、支链或环状C1-C10烷基、C6-C10芳基或C7-C10芳烷基；57913R、R、R和R各自独立地为直链、支链或环状C1-C10亚烷基；68R和R各自独立地为氢或C1-C15烷基，其可以包含选自羟基、羰基、酯、醚、硫化物、碳酸3CN106444288A权利要求书3/3页酯、氰基和缩醛中的至少一个结构部分；10R为C1-C15烷基，其可以包含选自羟基、羰基、酯、醚、硫化物、碳酸酯、氰基和缩醛中的至少一个结构部分；11R为(n+1)价的、直链、支链或环状C2-C10烃基；12R各自独立地为氢或C1-C15烷基，其可以包含选自羟基、羰基、酯、醚、硫化物、碳酸酯、氰基和缩醛中的至少一个结构部分，或两个R12基团可以键合在一起以形成环，和n为2、3、4或5。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂组合物，其中所述羧酸为至少一种C1-C20羧酸，选自饱和或不饱和的脂族羧酸、脂环族羧酸、羟基羧酸、烷氧基羧酸、酮羧酸和芳族羧酸。3.根据权利要求2所述的抗蚀剂组合物，其中所述羧酸为二羧酸。4.根据权利要求3所述的抗蚀剂组合物，其中所述二羧酸为具有饱和脂族烷基链的二羧酸。5.根据权利要求1所述的抗蚀剂组合物，其中所述聚合物(A)包括由通式(4)表示的重复单元并且具有1,000至500,000的重均分子量的聚合物，其中，R14各自独立地为氢、羟基、直链烷基、支链烷基、卤素或三氟甲基，R15各自独立地1617为氢、羟基、卤素或三氟甲基，R为C4-C12叔烷基，R为氢、任选被取代的烷基、任选被取代的烷氧基、-C(CF3)2-OH、其中每个烷基结构部分具有C1-C6的三烷基甲硅烷氧基、C4-C20氧代烷氧基、四氢吡喃基氧基或四氢呋喃基氧基，R18为氢或甲基，R19为氢、甲基、烷氧羰基、氰20基、卤素或三氟甲基，R为经取代的或未取代的、直链或支链C4-C30烷基或经取代的或未取代的环烷基，u为0至4的整数，t为0至5的整数，p、r和s各自为0或正数，q为正数，和p+q+r+s＝1。6.根据权利要求1所述的抗蚀剂组合物，其还包括(E)有机溶剂。7.干膜，其包括支持膜和由根据权利要求1所述的化学增幅型