倒角磨轮及其制备方法、晶圆加工设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110666708A(43)申请公布日2020.01.10(21)申请号201910927378.9(22)申请日2019.09.27(71)申请人西安奕斯伟硅片技术有限公司地址710065陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室(72)发明人李亮亮(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人许静刘伟(51)Int.Cl.B24D3/34(2006.01)B24D18/00(2006.01)B24D5/02(2006.01)B24B9/06(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称倒角磨轮及其制备方法、晶圆加工设备(57)摘要本发明提供了一种倒角磨轮及其制备方法、晶圆加工设备，属于半导体技术领域。倒角磨轮的制备方法，包括：提供预设粒径的多个金刚石颗粒，在所述多个金刚石颗粒的表面形成金属涂层；将表面形成有金属涂层的金刚石颗粒与粘合剂混合，得到混合物；提供磨轮本体，所述磨轮本体的外周面上设置有至少两个沿所述磨轮本体的周向设置的凹槽；将所述混合物填充到所述凹槽内，在真空高温环境中控制所述混合物固化；对固化后的所述混合物进行形状修正，形成研磨槽。本发明能够有效提高金刚石与倒角磨轮本体的结合强度，进而提高硅片边缘研磨或抛光加工质量。CN110666708ACN110666708A权利要求书1/1页1.一种倒角磨轮的制备方法，其特征在于，包括：提供预设粒径的多个金刚石颗粒，在所述多个金刚石颗粒的表面形成金属涂层；将表面形成有金属涂层的金刚石颗粒与粘合剂混合，得到混合物；提供磨轮本体，所述磨轮本体的外周面上设置有至少两个沿所述磨轮本体的周向设置的凹槽；将所述混合物填充到所述凹槽内，在真空高温环境中控制所述混合物固化；对固化后的所述混合物进行形状修正，形成研磨槽。2.根据权利要求1所述的倒角磨轮的制备方法，其特征在于，所述金属涂层采用钛或镍或银。3.根据权利要求2所述的倒角磨轮的制备方法，其特征在于，在所述多个金刚石颗粒的表面形成金属涂层包括：利用双辉等离子体表面冶金DGPSA工艺在金刚石颗粒的表面进行Ti或Ni层的沉积。4.根据权利要求3所述的倒角磨轮的制备方法，其特征在于，所述DGPSA工艺中，源极采用丝状靶材，沉积温度为700-900℃，沉积压力为30-40Pa，保护气体为氩气。5.根据权利要求4所述的倒角磨轮的制备方法，其特征在于，所述丝状靶材由纯度为99.999％的Ti或Ni丝均匀地固定在不锈钢板上制备而成，所述Ti或Ni丝的尺寸为Ф3.5mm*20mm，所述不锈钢板的尺寸为55mm*55mm*3.0mm。6.根据权利要求2所述的倒角磨轮的制备方法，其特征在于，所述在所述多个金刚石颗粒的表面形成金属涂层包括：利用磁控溅射工艺在金刚石颗粒的表面进行Ag层的沉积。7.根据权利要求6所述的倒角磨轮的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射工艺中，靶材采用纯度为99.999％的Ag板，所述Ag板的尺寸为55mm*55mm*3.0mm，沉积温度为300-700℃，沉积压力为0.5-2Pa，保护气体为氩气。8.根据权利要求1所述的倒角磨轮的制备方法，其特征在于，所述在真空高温环境中控制所述混合物固化包括：将填充有所述混合物的所述磨轮本体放入真空焊接炉，保持设定温度设定时间，使得所述混合物固化。9.根据权利要求1所述的倒角磨轮的制备方法，其特征在于，所制备的金属涂层的厚度为0.8-1.5μm。10.一种倒角磨轮，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的制备方法制作得到。11.一种晶圆加工设备，其特征在于，包括如权利要求10所述的倒角磨轮。2CN110666708A说明书1/5页倒角磨轮及其制备方法、晶圆加工设备技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别是指一种倒角磨轮及其制备方法、晶圆加工设备。背景技术[0002]晶圆(wafer)作为半导体领域最基础的材料，在其上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆是经过长晶(Growing)、切片(Slicing)、倒角(EdgeGrinding)，研磨(Lapping)、抛光(Polishing)、清洗(Cleaning)等多次加工成型，最终得到符合平坦度与粗糙度要求的表面。在晶圆生产过程中，硅片的边缘处理至关重要，由于边沿小裂纹或裂缝会在硅片上产生机械应力，从而产生位错，造成有害玷污物的聚集与脱落，此外，边缘位错还会在高温处理或表面外延时引起边缘位错生长，而优异的倒角工艺可使得硅片边缘获得平滑的半径周线，将以上影响降到最小。[0003]由于金刚石具有最高硬度的优异性质，因此常利用金刚石来加工研磨或抛光硅片的边缘倒角。目前单晶硅片倒角磨