倒角磨轮及其制备方法、晶圆加工设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111390780A(43)申请公布日2020.07.10(21)申请号202010223535.0C23C16/27(2006.01)(22)申请日2020.03.26H01L21/67(2006.01)(71)申请人西安奕斯伟硅片技术有限公司地址710065陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室(72)发明人李亮亮(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人许静张博(51)Int.Cl.B24D18/00(2006.01)B24D5/00(2006.01)B24B37/11(2012.01)B24B53/017(2012.01)B24B53/06(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称倒角磨轮及其制备方法、晶圆加工设备(57)摘要本发明提供了一种倒角磨轮及其制备方法、晶圆加工设备，属于半导体技术领域。倒角磨轮的制备方法包括：提供倒角磨轮基体，倒角磨轮基体的外周面上设置有至少两个沿倒角磨轮基体的周向设置的凹槽；将倒角磨轮基体置于反应腔室内，反应腔室内设置有至少两个金属丝，金属丝的延伸方向与倒角磨轮基体的周向平行，金属丝与凹槽一一对应，每一金属丝与对应凹槽的中心线位于同一水平面上；向金属丝通入电信号，向反应腔室内通入反应气体，反应气体在金属丝的热场作用下产生等离子体，控制倒角磨轮基体旋转，通过等离子体化学气相沉积在凹槽上沉积一层金刚石涂层。本发明能够有效提高金刚石与倒角磨轮的结合强度，进而提高硅片边缘研磨或抛光加工质量。CN111390780ACN111390780A权利要求书1/1页1.一种倒角磨轮的制备方法，其特征在于，包括：提供倒角磨轮基体，所述倒角磨轮基体的外周面上设置有至少两个沿所述倒角磨轮基体的周向设置的凹槽；将所述倒角磨轮基体置于反应腔室内，所述反应腔室内设置有至少两个金属丝，所述金属丝的延伸方向与所述倒角磨轮基体的周向平行，所述金属丝与所述凹槽一一对应，每一所述金属丝与对应凹槽的中心线位于同一水平面上；向所述金属丝通入电信号，向所述反应腔室内通入反应气体，所述反应气体在所述金属丝的热场作用下产生等离子体，控制所述倒角磨轮基体旋转，通过等离子体化学气相沉积在所述凹槽上沉积一层金刚石涂层。2.根据权利要求1所述的倒角磨轮的制备方法，其特征在于，形成所述金刚石涂层之后，所述方法还包括：对金刚石涂层进行形状修正，形成研磨槽。3.根据权利要求1所述的倒角磨轮的制备方法，其特征在于，所述金属丝为钨丝或钽丝。4.根据权利要求3所述的倒角磨轮的制备方法，其特征在于，所述金属丝的直径为0.2-1mm。5.根据权利要求1所述的倒角磨轮的制备方法，其特征在于，所述反应腔室内设置有水循环冷却装置。6.根据权利要求1所述的倒角磨轮的制备方法，其特征在于，所述反应气体包括H2和CH4。7.根据权利要求6所述的倒角磨轮的制备方法，其特征在于，CH4的浓度为2％-6％。8.根据权利要求1所述的倒角磨轮的制备方法，其特征在于，所述反应腔室的压力为4-8KPa。9.根据权利要求1所述的倒角磨轮的制备方法，其特征在于，所述倒角磨轮基体的转速为2-10rpm。10.一种倒角磨轮，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的制备方法制作得到。11.一种晶圆加工设备，其特征在于，包括如权利要求10所述的倒角磨轮。2CN111390780A说明书1/5页倒角磨轮及其制备方法、晶圆加工设备技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别是指一种倒角磨轮及其制备方法、晶圆加工设备。背景技术[0002]晶圆(wafer)作为半导体领域最基础的材料，在其上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆是经过长晶(Growing)、切片(Slicing)、倒角(EdgeGrinding)，研磨(Lapping)、抛光(Polishing)、清洗(Cleaning)等多次加工成型，最终得到符合平坦度与粗糙度要求的表面。在晶圆生产过程中，硅片的边缘处理至关重要，由于边沿小裂纹或裂缝会在硅片上产生机械应力，从而产生位错，造成有害玷污物的聚集与脱落，此外，边缘位错还会在高温处理或表面外延时引起边缘位错生长，而优异的倒角工艺可使得硅片边缘获得平滑的半径周线，将以上影响降到最小。[0003]现有的倒角磨轮槽的制备方法是在槽内烧结金刚石粉末与粘合剂，然后利用修整砂轮磨削成型，或在槽内电镀金刚石粉末，这两种制备方法均具有制作工艺复杂、成本高、金刚石颗粒结合强度差的缺点。[0004]现有的晶圆边缘倒角是通过与带有金刚石涂层的倒角磨轮凹槽对磨形成的，倒角磨轮直径一般在300mm以内，倒角磨轮材质为铁，倒角磨轮位置固定并高速旋