半导体晶片切割工艺.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115274424A(43)申请公布日2022.11.01(21)申请号202210721734.3(22)申请日2022.06.24(71)申请人安徽安芯电子科技股份有限公司地址247100安徽省池州市经济技术开发区富安电子信息产业园10号(72)发明人汪良恩孙培刚(74)专利代理机构北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11542专利代理师王晶晶(51)Int.Cl.H01L21/304(2006.01)H01L21/268(2006.01)B23K26/38(2014.01)B23K26/402(2014.01)B23K26/70(2014.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称半导体晶片切割工艺(57)摘要本发明提供一种半导体晶片切割工艺，涉及晶片切割技术领域，切割工艺包括如下步骤：S1.对激光切割器的切割深度进行预调试；S2.以晶片具有蚀刻沟槽的一面为正面，将晶片正面或反面朝上放置于切割台上，对晶片的切割位置进行调整后将晶片定位；S3.使用激光器切割晶片该面；S4.翻转晶片，调整晶片的切割位置，并将晶片定位；S5.使用激光器切割晶片翻转面；S6.使用显微镜观测检验晶片的切割总深度为预留沟槽处厚度的3/1～3/2，即达到切割标准。本发明的工艺使晶片切割深度达到标准，并确保了切割均匀度，提高了裂片效果以及晶粒成品率。CN115274424ACN115274424A权利要求书1/1页1.一种半导体晶片切割工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1.对激光切割器的切割深度进行预调试；S2.以晶片具有蚀刻沟槽的一面为正面，将晶片正面或反面朝上放置于切割台上，对晶片的切割位置进行调整后将晶片定位；S3.使用激光器从晶片的边缘端开始进行S形连续切割，直至切割至与晶片该边缘端对称的另一边缘端为止，旋转工作台以调整晶片的位置，再次从晶片的边缘端开始重复进行上述连续切割，直至该面切割完毕；S4.翻转晶片，调整晶片的切割位置使该面的切割线与已切割完成的一面的切割线对准，并将晶片定位；S5.使用激光器从晶片的边缘端开始进行S形连续切割，重复S3步骤，直至该面切割完毕；S6.使用显微镜观测检验晶片的切割总深度(正切割深度与反切割深度之和)为预留沟槽处厚度的3/1～3/2，即达到切割标准。2.如权利要求1所述的半导体晶片切割工艺，其特征在于，所述S1中预调试的具体方法为：选取晶片作为试样，将其放置在切割台上，使用激光器的不同功率对试样晶片进行切割，显微镜观察记录激光器在不同功率下的切割深度，并选择满足切割深度标准的激光器功率。3.如权利要求1所述的半导体晶片切割工艺，其特征在于，切割台的上方与下方分别设置有辅助调整晶片位置的摄像头。4.如权利要求3所述的半导体晶片切割工艺，其特征在于，所述S2中将晶片正面朝上放置于切割台上，使用位于切割台上方的摄像头辅助调整晶片的位置后为其定位，从晶片的预留沟槽槽底处进行切割，切割完毕后，如所述S3中，翻转晶片，使其反面朝上，使用位于切割台下方的摄像头辅助调整晶片的位置后再进行切割。5.如权利要求3所述的半导体晶片切割工艺，其特征在于，所述S2中将晶片反面朝上放置于切割台上，使用位于切割台下方的摄像头辅助调整晶片的位置，使其待切割线与预留沟槽槽底对准，将晶片定位后进行切割，切割完毕后，如所述S3中，翻转晶片，使其正面朝上，使用位于切割台上方的摄像头辅助调整晶片的位置，从晶片的预留沟槽槽底处再进行切割。6.如权利要求1所述的半导体晶片切割工艺，其特征在于，所述S2与所述S3中的晶片定位方式均为真空吸附定位。7.如权利要求6所述的半导体晶片切割工艺，其特征在于，所述晶片正面朝上时的真空吸附度＞40kPa。8.如权利要求6所述的半导体晶片切割工艺，其特征在于，所述晶片反面朝上时的真空吸附度＞60kPa。9.如权利要求1所述的半导体晶片切割工艺，其特征在于，所述晶片中的单颗晶粒为方形，切割台每次旋转角度为90°，每面连续切割次数为2次。10.如权利要求1所述的半导体晶片切割工艺，其特征在于，所述晶片中的单颗晶粒为六边形，切割台每次旋转角度为60°，每面连续切割次数为3次。2CN115274424A说明书1/4页半导体晶片切割工艺技术领域[0001]本发明涉及晶片切割技术领域，具体涉及一种半导体晶片切割工艺。背景技术[0002]在采用裂片工艺通过施加外力的方式将GPP晶片分离成单颗晶粒之前，通常会先对GPP晶片进行切割处理。在GPP晶片的预留沟槽处切割一定的深度，裂片时外力集中于此切割处，从而将晶粒完整分离。预留沟槽半切穿工艺对GPP晶片的切割均匀度有严格要求，单片晶片边缘与中间沟槽的均匀度一般要求在±10um。[0003]常规的切割方法如刀轮划片机切