半导体晶片切割工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112992760A(43)申请公布日2021.06.18(21)申请号202011239903.7(22)申请日2020.11.09(30)优先权数据1918333.42019.12.12GB(71)申请人SPTS科技有限公司地址英国新港(72)发明人M·M·戴S·B·卡祖米(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287代理人章蕾(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)H01L21/78(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称半导体晶片切割工艺(57)摘要本申请涉及一种半导体晶片切割工艺。该工艺包括用聚合物涂层涂布半导体晶片，将该晶片安置在胶带上且将该带安装在晶片框架上。该工艺进一步包括在该聚合物涂层内形成划割线以暴露晶片区，从而形成预处理产品。随后将该晶片框架安置在工艺腔室内的支撑物上，并且将框架盖安置在该晶片框架上方。该工艺进一步包括对该预处理产品进行等离子体蚀刻以去除该晶片的暴露区以分离该单个裸片。从该晶片框架上方去除该框架盖，并且将该经处理产品、晶片框架和胶带暴露于氧等离子体，以部分地去除该聚合物涂层的最外区，以在该单个裸片上留下残余聚合物涂层，从而形成后处理产品。然后去除该后处理产品的该单个裸片上的该残余聚合物涂层。CN112992760ACN112992760A权利要求书1/1页1.一种用于将晶片切割成单个裸片的半导体晶片切割工艺，每一裸片包括集成电路，所述工艺包括：-用聚合物涂层涂布半导体晶片；-将包括所述涂层的所述晶片安置在胶带上且将所述带安装在晶片框架上；-在所述晶片的所述聚合物涂层内形成划割线以暴露晶片区，从而形成预处理产品；-将包括所述带和预处理产品的所述晶片框架安置在工艺腔室内的支撑物上；-在所述晶片框架上方安置框架盖以覆盖所述晶片框架和胶带的至少一部分；-在所述腔室内对所述预处理产品进行等离子体蚀刻以去除所述晶片的暴露区以分离所述单个裸片，从而形成经处理产品；-从所述晶片框架上方去除所述框架盖；-将所述经处理产品、晶片框架和带暴露于所述腔室内的氧等离子体，以部分地去除受氟污染最严重的所述聚合物涂层的最外区，以在所述单个裸片上留下残余聚合物涂层，从而形成后处理产品；-使用湿法去除技术去除所述后处理产品的所述单个裸片上的所述残余聚合物涂层。2.根据权利要求1所述的半导体晶片切割工艺，其中去除了所述残余聚合物涂层的所述后处理产品中的氟与氧的比率小于0.1。3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片切割工艺，其进一步包括在形成所述划割线之前加热所述聚合物涂层以烧固所述聚合物涂层。4.根据权利要求3所述的半导体晶片切割工艺，其中所述聚合物涂层被加热到40℃与150℃之间的温度。5.根据权利要求1或2所述的半导体晶片切割工艺，其中在使用所述湿法去除技术去除所述残余涂层之前，从所述腔室中去除所述后处理产品。6.根据权利要求5所述的半导体晶片切割工艺，其中所述框架盖被安置成在从所述腔室中去除所述后处理产品之后与所述支撑物热接触，以在处理下一晶片之前降低所述框架盖的温度。7.根据权利要求1或2所述的半导体晶片切割工艺，其中在将所述经处理产品暴露于氧等离子体的步骤期间，使氧气以200-500sccm的流动速率穿过所述工艺腔室。8.根据权利要求1或2所述的半导体晶片切割工艺，其中在将所述经处理产品暴露于氧等离子体的步骤期间，将所述工艺腔室内的压力维持在50-150mT的范围内。9.根据权利要求1或2所述的半导体晶片切割工艺，其中在将所述经处理产品暴露于氧等离子体的步骤期间，使氧气穿过所述工艺腔室，持续60-120秒。10.根据权利要求1或2所述的半导体晶片切割工艺，其中在将所述经处理产品暴露于氧等离子体的步骤期间，为所述支撑物供应400-800W范围内的电功率。11.根据权利要求1或2所述的半导体晶片切割工艺，其中使用激光辐射在所述聚合物涂层内形成所述划割线。12.一种设备，其经配置以执行根据前述权利要求中任一项所述的半导体切割工艺。2CN112992760A说明书1/5页半导体晶片切割工艺技术领域[0001]本发明涉及一种半导体晶片切割工艺。背景技术[0002]在半导体晶片上制造半导体或微机电系统(MEMS)装置之后，需要进行晶片切割或划割步骤以将晶片分成单个芯片或裸片。在晶片切割步骤之前，将晶片附接到支撑膜以支撑离散的裸片后切割步骤，又将支撑膜附接到环形支撑框架。一旦切割操作完成，就可以从支撑膜去除单个裸片并且测试所述裸片并将其并入封装装置中。[0003]半导体晶片的切割可以通过机械划割、锯切、激光划割、等离子体蚀刻或这些技术的组合来实现。等离子体切割可以改善单个裸片的物理完整度和强