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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110850656A(43)申请公布日2020.02.28(21)申请号201911203965.X(22)申请日2019.11.29(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人北京京东方显示技术有限公司(72)发明人贾宜訸丁向前张小祥韩皓杨连捷宋勇志庞妍(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人许静张博(51)Int.Cl.G02F1/1362(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图2页(54)发明名称阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置(57)摘要本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置,属于显示技术领域。其中,阵列基板,包括:衬底基板;位于所述衬底基板上的数据线和像素电极,所述数据线在所述衬底基板上的第一正投影与所述像素电极的外轮廓在所述衬底基板上的第二正投影之间存在间隙,所述阵列基板还包括:位于所述数据线靠近所述衬底基板一侧的遮光结构,所述间隙在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光结构在所述衬底基板上的正投影内,所述遮光结构包括金属图形和位于所述金属图形远离所述衬底基板一侧、与所述金属图形层叠设置的第一减反图形。本发明实施例能够提高液晶显示面板的开口率。CN110850656ACN110850656A权利要求书1/2页1.一种阵列基板,包括:衬底基板;位于所述衬底基板上的数据线和像素电极,所述数据线在所述衬底基板上的第一正投影与所述像素电极的外轮廓在所述衬底基板上的第二正投影之间存在间隙,其特征在于,所述阵列基板还包括:位于所述数据线靠近所述衬底基板一侧的遮光结构,所述间隙在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光结构在所述衬底基板上的正投影内,所述遮光结构包括金属图形和位于所述金属图形远离所述衬底基板一侧、与所述金属图形层叠设置的第一减反图形。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光结构与所述阵列基板的栅金属图形同层且采用相同的膜层结构。3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光结构还包括:位于所述金属图形靠近所述衬底基板一侧、与所述金属图形紧邻的第二减反图形。4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述金属图形采用铜;所述第一减反图形和/或所述第二减反图形采用氧化钼。5.根据权利要求2-4中任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一减反图形的膜厚满足:2*n1*h1=(2k-1)*(λ1/2);其中,n1为所述第一减反图形的折射率,h1为所述第一减反图形的膜厚,k为正整数,λ1为从所述第一减反图形远离所述衬底基板一侧入射的光的波长。6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,n1的取值为2.2~2.3,所述第一减反图形的膜厚为50nm-60nm。7.根据权利要求3或4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二减反图形的膜厚满足:2*n2*h2=(2k-1)*(λ2/2);其中,n2为所述第二减反图形的折射率,h2为所述第二减反图形的膜厚,k为正整数,λ2为从所述第二减反图形靠近所述衬底基板一侧入射的光的波长。8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,n2的取值为2.2~2.3,所述第二减反图形的膜厚为50nm-60nm。9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板和与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板,所述阵列基板位于所述彩膜基板的出光侧。10.一种阵列基板的制作方法,包括:提供一衬底基板;在所述衬底基板上形成数据线和像素电极,所述数据线在所述衬底基板上的第一正投影与所述像素电极的外轮廓在所述衬底基板上的第二正投影之间存在间隙,其特征在于,所述阵列基板的制作方法还包括:在所述数据线靠近所述衬底基板一侧形成遮光结构,所述间隙在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光结构在所述衬底基板上的正投影内,所述遮光结构包括金属图形和位于所述金属图形远离所述衬底基板一侧、与所述金属图形层叠设置的第一减反图形。11.根据权利要求10所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,形成所述遮光结构具体包括:通过一次构图工艺形成所述遮光结构和所述阵列基板的栅金属图形。2CN110850656A权利要求书2/2页12.根据权利要求11所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,形成所述遮光结构还包括:在所述金属图形靠近所述衬底基板的一侧形成与所述金属图形紧邻的第二减反图形。13.根据权利要求12所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述阵列基板的制作方法具体包括:在所述衬底基板上形成包括氧化钼层、铜层和氧化钼层的三层结构;在所述三层结构上涂覆光刻胶,对所述光刻胶进行曝光显影后形成光刻胶图形;以所述光刻胶图形为掩摸,利用刻蚀液对所述三层结构进行刻