基板磨削装置以及基板磨削方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110900313A(43)申请公布日2020.03.24(21)申请号201910863453.XB24B41/04(2006.01)(22)申请日2019.09.12B24B41/06(2012.01)(30)优先权数据2018-1714752018.09.13JP(71)申请人株式会社冈本工作机械制作所地址日本群马县(72)发明人井出悟三井贵彦坂东翼高冈和宏(74)专利代理机构北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290代理人崔迎宾李雪春(51)Int.Cl.B24B1/00(2006.01)B24B27/00(2006.01)B24B41/02(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图4页(54)发明名称基板磨削装置以及基板磨削方法(57)摘要本发明提供一种基板磨削装置以及基板磨削方法。基板磨削装置具备：工作台，在吸附并保持基板的状态下旋转；杯形的第一磨削砂轮，一边旋转一边磨削保持于所述工作台并旋转的所述基板；以及杯形的第二磨削砂轮，与所述第一磨削砂轮同时接近所述基板而一边旋转一边磨削所述基板。CN110900313ACN110900313A权利要求书1/1页1.一种基板磨削装置，其特征在于，具备：工作台，在吸附并保持基板的状态下旋转；杯形的第一磨削砂轮，一边旋转一边磨削保持于所述工作台并旋转的所述基板；以及杯形的第二磨削砂轮，与所述第一磨削砂轮同时接近所述基板而一边旋转一边磨削所述基板。2.根据权利要求1所述的基板磨削装置，其特征在于，所述第一磨削砂轮构成为其磨削范围具有大于所述工作台的半径的直径，并且设置在所述磨削范围包括所述基板的旋转中心的位置，所述第二磨削砂轮构成为其磨削范围具有大于所述工作台的半径的直径，并且设置在接近所述基板的旋转中心且不与所述第一磨削砂轮接触的位置。3.根据权利要求1或2所述的基板磨削装置，其特征在于，所述第一磨削砂轮的粒度大于所述第二磨削砂轮的粒度，所述第一磨削砂轮和所述第二磨削砂轮构成为，在所述第二磨削砂轮比所述第一磨削砂轮更接近所述基板的状态下，所述第一磨削砂轮和所述第二磨削砂轮接近所述基板而磨削所述基板，之后，在所述第二磨削砂轮从所述基板离开的状态下，所述第一磨削砂轮接近所述基板而磨削所述基板。4.一种基板磨削方法，其特征在于，包括如下工序：卡夹工序，使基板吸附于旋转自如的工作台；以及磨削工序，通过使所述工作台旋转而使保持于所述工作台的所述基板旋转，并且使杯形的第一磨削砂轮和第二磨削砂轮一边旋转一边同时接近所述基板，磨削所述基板。5.根据权利要求4所述基板磨削方法，其特征在于，所述第一磨削砂轮构成为其磨削范围具有大于所述工作台的半径的直径，并且，在所述磨削工序中进给至所述磨削范围包括所述基板的旋转中心的位置，所述第二磨削砂轮构成为其磨削范围具有大于所述工作台的半径的直径，并且，在所述磨削工序中进给至接近所述基板的旋转中心且不所述第一磨削砂轮接触的位置。6.根据权利要求4或5所述基板磨削方法，其特征在于，所述第一磨削砂轮的粒度大于所述第二磨削砂轮的粒度，所述磨削工序包括如下工序：粗磨削工序，在所述第二磨削砂轮比所述第一磨削砂轮更接近所述基板的状态下，所述第一磨削砂轮和所述第二磨削砂轮接近所述基板而磨削所述基板；以及精磨削工序，在执行所述粗磨削工序后执行，在所述第二磨削砂轮从所述基板离开的状态下，所述第一磨削砂轮接近所述基板而磨削所述基板。2CN110900313A说明书1/7页基板磨削装置以及基板磨削方法[0001]本申请以2018年09月13日向日本专利局提交的日本专利申请2018-171475为基础，享受该申请的优先权。本申请通过参照该申请而包括该申请的全部内容。技术领域[0002]本发明的实施方式涉及基板磨削装置以及基板磨削方法。背景技术[0003]以往，作为基板磨削方法，通过将旋转的杯形的磨削砂轮向下切入到保持于工作台而旋转的加工对象物的基板的上表面来磨削基板已被公众所知。例如，在日本专利发明公报特开2017-103441号中发明了通过杯形磨削砂轮对固定在吸附卡盘上的硅基板进行向下切入磨削加工。[0004]此外，例如在日本专利发明公报特开2009-4406号中发明了具备由粗磨削用的磨削单元和精磨削用的磨削单元构成的两台磨削单元的半导体晶片的磨削装置。根据该文献所发明的磨削装置，通过转台向R方向旋转规定角度，将保持于卡盘工作台的晶片送入粗磨削用磨削单元的下方的一次加工位置。晶片在该位置处由粗磨削用的磨削单元粗磨削。接着，通过转台再次向R方向旋转规定角度，将晶片送入精磨削用的磨削单元的下方的二次加工位置。晶片在该位置处由精磨削用的磨削单元精磨削。[0005]此外，例如在日本专利发明公报特开2014