晶圆结构及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115954308A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202310072072.6G03F9/00(2006.01)(22)申请日2023.01.13(71)申请人上海积塔半导体有限公司地址200123上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号(72)发明人刘君铭邓宇孙钧(74)专利代理机构上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294专利代理师赵娟娟(51)Int.Cl.H01L21/68(2006.01)H01L23/544(2006.01)G03F7/20(2006.01)G03F1/42(2012.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称晶圆结构及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种晶圆结构及其制备方法。本发明通过在对应所述光栅对准标记处采取具有台阶边缘靠近光栅对准标记的第一台阶以及台阶边缘远离光栅对准标记的第二台阶的双台阶式PF窗口，改善了光栅对准标记正上方的钝化层平整度，使得对准激光经过“钝化层—空气”界面时一致性更好，能更好地获得和携带光栅对准标记信息，增强对准信号的强度及稳定性；同时由于台阶处的钝化层弧形面的弯曲弧度减小，从而进一步减少了该弧形面的反射光进入透镜组，从而提高了信噪比。钝化层的工艺层次改进后信号强度更加稳定，曝光过程中设备出现无法曝光的概率显著降低。CN115954308ACN115954308A权利要求书1/2页1.一种晶圆结构，其特征在于，包括：光栅对准标记；双台阶式PF窗口，形成于对应所述光栅对准标记处、并暴露出所述光栅对准标记，所述双台阶式PF窗口具有第一台阶以及第二台阶，所述第一台阶的台阶边缘与所述光栅对准标记之间具有第一距离，所述第二台阶的台阶边缘与所述光栅对准标记之间具有第二距离，所述第二距离大于所述第一距离；以及钝化层，形成于所述双台阶式PF窗口远离所述光栅对准标记侧、并具有对应所述光栅对准标记处的平面以及适配所述第一台阶以及所述第二台阶的弧形面。2.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述晶圆结构还包括：场氧化层，形成于所述光栅对准标记上、并暴露出所述光栅对准标记；多晶硅层，覆盖于所述场氧化层上、并具有暴露出所述光栅对准标记的第一PF窗口，所述第一PF窗口具有所述第一台阶；金属层，覆盖于所述多晶硅层上、并具有暴露出所述第一PF窗口的第二PF窗口，所述第二PF窗口具有所述第二台阶，从而形成所述双台阶式PF窗口；所述钝化层覆盖于所述金属层上、并在对应所述光栅对准标记处形成平面以及在对应所述第一台阶以及所述第二台阶的台阶边缘处形成弧度减小的弧形面。3.如权利要求2所述的晶圆结构，其特征在于，所述第一PF窗口为方形，所述第二PF窗口为十字形；或所述第一PF窗口与所述第二PF窗口均为方形；其中，所述第二PF窗口在所述光栅对准标记上的正投影完全覆盖所述第一PF窗口在所述光栅对准标记上的正投影。4.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述钝化层的材料为聚酰亚胺。5.一种晶圆结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，所述晶圆上形成有至少一光栅对准标记；于对应所述光栅对准标记处形成双台阶式PF窗口，所述双台阶式PF窗口暴露出所述光栅对准标记，所述双台阶式PF窗口具有第一台阶以及第二台阶，所述第一台阶的台阶边缘与所述光栅对准标记之间具有第一距离，所述第二台阶的台阶边缘与所述光栅对准标记之间具有第二距离，所述第二距离大于所述第一距离；以及于所述双台阶式PF窗口远离所述光栅对准标记侧形成钝化层，所述钝化层具有对应所述光栅对准标记处的平面以及适配所述第一台阶以及所述第二台阶的弧形面。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述的于对应所述光栅对准标记处形成双台阶式PF窗口的步骤进一步包括：于所述晶圆上形成覆盖所述光栅对准标记的场氧化层并刻蚀，以暴露出所述光栅对准标记；于所述场氧化层上形成多晶硅层并刻蚀，以在所述多晶硅层上形成暴露出所述光栅对准标记的第一PF窗口，所述第一PF窗口具有所述第一台阶；以及于所述多晶硅层上形成金属层并刻蚀，以在所述金属层上形成暴露出所述第一PF窗口的第二PF窗口，所述第二PF窗口具有所述第二台阶，从而形成所述双台阶式PF窗口。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述的于所述多晶硅层上形成金属层并刻蚀，以在所述金属层上形成暴露出所述第一PF窗口的第二PF窗口的步骤进一步包括：2CN115954308A权利要求书2/2页于所述多晶硅层上形成金属层；采用与刻蚀所述多晶硅层相同的掩模版对所述金属层进行初始刻蚀，形成尺寸与所述第一PF窗口相同的初始PF窗口；以及移动所述掩模版对所述金属层进行叠加刻蚀，以将所述初始PF窗口往外延拓形成所述第二PF窗口。8.