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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111446189A(43)申请公布日2020.07.24(21)申请号202010404853.7(22)申请日2020.05.14(71)申请人杨月英地址362000福建省泉州市鲤城区温陵北路235号(72)发明人杨月英(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图4页(54)发明名称一种单晶硅片甩干装置(57)摘要本发明公开了一种单晶硅片甩干装置,其结构包括进气顶罩、叶轮、集流喷吹装置、支架、硅片甩液装置、集液罩、整流排气装置、液箱、电机,本发明具有的效果:硅片甩液装置通过电机产生的驱动转矩带动硅片高速旋转,使硅片上下两面含有的蚀刻液被高效向四周甩出,因为集流喷吹装置通过磁斥力与硅片甩液装置配合,所以叶轮随硅片的转动进行旋转,叶轮回转过程中生成空气流,垂直向硅片表面的中心位置喷吹,在硅片的导向作用下气流向四周水平运动,从而提高硅片的甩液速度,且有效防止硅片在转动中液体无规律乱溅,通过整流排气装置能够高效排出随蚀刻液进入液箱的空气,避免空气无法流通,使回收的蚀刻液难以集中,从而提高的硅片的干燥效率。CN111446189ACN111446189A权利要求书1/1页1.一种单晶硅片甩干装置,其结构包括进气顶罩(1)、叶轮(2)、集流喷吹装置(3)、支架(4)、硅片甩液装置(5)、集液罩(6)、整流排气装置(7)、液箱(8)、电机(9),其特征在于:所述的液箱(8)外圈上设有整流排气装置(7),所述的液箱(8)顶部设有集液罩(6),所述的集液罩(6)顶部设有硅片甩液装置(5),所述的集液罩(6)内部设有电机(9),所述的硅片甩液装置(5)顶部设有支架(4),所述的支架(4)中心位置设有集流喷吹装置(3),所述的集流喷吹装置(3)顶部设有进气顶罩(1),所述的进气顶罩(1)内部设有叶轮(2)。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片甩干装置,其特征在于:所述的集流喷吹装置(3)由直轴(31)、限位横杆(32)、整流外罩(33)、整流底罩(34)、磁柱(35)组成,所述的整流外罩(33)内部设有限位横杆(32),所述的限位横杆(32)中心位置设有直轴(31),所述的直轴(31)底端设有磁柱(35),所述的整流外罩(33)底端设有整流底罩(34)。3.根据权利要求2所述的一种单晶硅片甩干装置,其特征在于:所述的硅片甩液装置(5)由截液罩(51)、支杆(52)、硅片限位机构(53)、液流甩向机构(54)、排液口(55)组成,所述的截液罩(51)内部设有硅片限位机构(53),所述的硅片限位机构(53)顶部设有液流甩向机构(54),所述的截液罩(51)内圈上设有支杆(52),所述的硅片限位机构(53)和截液罩(51)之间设有排液口(55)。4.根据权利要求3所述的一种单晶硅片甩干装置,其特征在于:所述的硅片限位机构(53)由限位座(53a)、弹簧伸缩杆(53b)、顶杆(53c)、滑槽(53d)、锥体(53e)、滤板(53f)、下排液槽(53g)组成,所述的锥体(53e)中心位置设有下排液槽(53g),所述的锥体(53e)顶部设有滑槽(53d),所述的下排液槽(53g)内部设有滤板(53f),所述的滤板(53f)顶部设有限位座(53a),所述的限位座(53a)顶部设有弹簧伸缩杆(53b),所述的弹簧伸缩杆(53b)顶端设有顶杆(53c)。5.根据权利要求3所述的一种单晶硅片甩干装置,其特征在于:所述的液流甩向机构(54)由磁环(54a)、导液板(54b)、夹块(54c)、绝磁底环(54d)组成,所述的磁环(54a)底部设有绝磁底环(54d),所述的磁环(54a)顶部设有导液板(54b),所述的磁环(54a)内圈上设有夹块(54c)。6.根据权利要求1所述的一种单晶硅片甩干装置,其特征在于:所述的整流排气装置(7)由排气槽管(71)、外固定环(72)、通风管(73)、导流锥体(74)、整流平板(75)组成,所述的外固定环(72)内圈上设有通风管(73),所述的外固定环(72)顶部设有排气槽管(71),所述的外固定环(72)正下方设有导流锥体(74),所述的导流锥体(74)底部设有整流平板(75)。7.根据权利要求4所述的一种单晶硅片甩干装置,其特征在于:所述的锥体(53e)设于截液罩(51)内部的中心位置并且通过支杆(52)与截液罩(51)连接,所述的锥体(53e)和截液罩(51)之间设有呈圆环形结构的排液口(55)。8.根据权利要求5所述的一种单晶硅片甩干装置,其特征在于:所述的磁环(54a)设于磁柱(35)下方并且二者相配合,所述的磁环(54a)和磁柱(35)所形成的磁力始终保持同极相斥。2CN111446189A说明书1/7