一种单晶硅片的制备装置及制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106894078A(43)申请公布日2017.06.27(21)申请号201710083162.X(22)申请日2017.02.16(71)申请人温州隆润科技有限公司地址325000浙江省温州市经济技术开发区滨海十二路４８０号二幢二楼(72)发明人周士杰陈圣铁(51)Int.Cl.C30B15/02(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种单晶硅片的制备装置及制备方法(57)摘要本发明公开了一种单晶硅片的制备装置及制备方法，包括装置本体,在装置本体上设有顶板、晶种上升旋转机构、上护腔、吊绳、隔离阀、晶种夹、石英钳锅、石墨钳锅、硅溶液、加热组件、真空泵、电极、钳锅上升旋转机构、氩气嘴、控制系统、装置本体、下炉腔、绝缘层、直径控制传感器、制备箱，本发明设计合理，单晶硅的制备采用单晶硅元素的提取物首先进行单晶硅的提取、制作，通过提取后的单晶硅元素，利用准备单晶硅片的制作器材进行制作，本发明具有提高单晶硅片的制作品质以及单晶硅片的制作工艺，加快制作单晶硅片的制作效率。CN106894078ACN106894078A权利要求书1/1页1.一种单晶硅片的制备装置,包括制作本体，其特征在于：所述制作本体的顶部设有顶板（1），所述顶板（1）的下方设有晶种上升旋转机构（2），所述晶种上升旋转机构（2）的下方设有上护腔（3），上护腔（3）的下方设有隔离阀（5），隔离阀（5）的侧面设有直径控制传感器（19），所述隔离阀（5）的下方设有制备箱（20），所述制备箱（20）的下方设有钳锅上升旋转机构（13），制备箱（20）的侧面设有控制系统（15），所述制备箱（20）的底部设有钳锅上升旋转机构（13），控制系统（15）通过导线一端与直径控制传感器（19）连接，控制系统（15）的另一端与钳锅上升旋转机构（13）连接。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的制备装置，其特征在于：所述制备箱（20）的右侧面设有真空泵（11），所述制备箱（20）的底部设有电极（12）。3.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的制备装置，其特征在于：所述晶种上升旋转机构（2）的侧面设有氩气嘴（14）。4.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的制备装置，其特征在于：所述制备箱（20）的内部中间上方设有晶种夹（6），所述晶种夹（6）的下方设有石墨钳锅（8），所述石墨钳锅（8）的内部设有石英钳锅（7），石英钳锅（7）的内部为硅溶液（9）。5.根据权利要求4所述的一种单晶硅片的制备装置，其特征在于：所述石墨钳锅（8）的两侧设有加热组件（10），所述加热组件（10）的两侧设有绝缘层（18），所述绝缘层（18）黏贴在制备箱（20）内部两侧的侧壁上。6.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的制备装置，其特征在于：所述直径控制传感器（19）倾斜安装在隔离阀（5）的侧面。7.实现权利要求1所述的一种单晶硅片的制备装置的制备方法，其特征在于：其制备方法包括以下步骤：A、将半成品单晶硅元素放置在石英钳锅（7）中进行纯度提炼，石英钳锅（7）外侧的附加一层石墨钳锅（8），在加热过程中出现辐射散出；B、石墨钳锅（8）外侧的加热组件对制备箱（20）中进行加热提纯；在加热提纯过程中钳锅上升旋转机构（13）将石英钳锅（7）上下升降；C、单晶硅片的硅元素选自N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基甲基哌嗪、N-乙烯基乙基哌嗪、N-乙烯基-N＇-甲基哌嗪、N-丙烯酰基哌嗪、N-丙烯酰基-N＇-甲基哌嗪、N-乙烯基吗啉、N-乙烯基甲基吗啉、N-乙烯基乙基吗啉、N-丙烯酰基吗啉、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基甲基哌啶酮、N-乙烯基乙基哌啶酮、N-丙烯酰基哌啶酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基甲基吡咯烷酮、N-乙烯基乙基-2-吡咯烷酮、N-丙烯酰基吡咯烷酮、N-乙烯基咔唑和N-丙烯酰基咔唑中的至少一种；D、当提取的高纯度硅原料通过在不使用蚀刻掩模的情况下应用蚀刻组合物，来纹理蚀刻单晶硅片的表面，以使锥体重复形成在单晶硅片的表面上，其中，每一锥体具有从所述锥体的顶点延伸到所述锥体的底部的曲面；E、通过延伸后的单晶硅片在模具中不断冷却成型，最终得到我们看到的单晶硅片。2CN106894078A说明书1/3页一种单晶硅片的制备装置及制备方法技术领域[0001]本发明涉及单晶硅片的制备技术领域，具体为一种单晶硅片的制备装置及制备方法。背景技术[0002]近年来，作为硅晶片原料的单晶硅多通过CZ法来制备。CZ法是如下方法：将晶种浸渍于石英坩埚内所容纳的硅熔体的液面内，缓慢地提拉晶种，由此育成具有与晶种相同的结晶方向的单晶硅。[0003]近年来，随着提拉的单晶硅的大口径化，气泡掺入正在生长的单晶中而在单晶中产生针孔或位错的