基板载具、基板载具阵列和气相沉积装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111471983A(43)申请公布日2020.07.31(21)申请号202010469663.3H01L21/687(2006.01)(22)申请日2020.05.28(71)申请人苏州拓升智能装备有限公司地址215100江苏省苏州市吴中区木渎镇金枫南路1258号B3幢二楼(72)发明人王玉明陈晖程海良谢利华李旺鹏叶继春曾俞衡廖明墩闫宝杰(74)专利代理机构北京金智普华知识产权代理有限公司11401代理人皋吉甫(51)Int.Cl.C23C16/458(2006.01)C23C16/455(2006.01)C23C16/503(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图11页(54)发明名称基板载具、基板载具阵列和气相沉积装置(57)摘要本发明实施例提供了一种基板载具、基板载具阵列和气相沉积装置，其中所述基板载具包括：第一载板；第二载板，所述第二载板与所述第一载板的外轮廓相同，所述第二载板为中空框架状，所述第二载板在垂直于所述第一载板的方向上与所述第一载板平行重叠设置；支撑部，设置在所述第一载板与所述第二载板之间，以使所述第一载板与所述第二载板相互间隔，所述支撑部与所述第一载板和所述第二载板之间形成有适于取放基板的开口。CN111471983ACN111471983A权利要求书1/1页1.一种基板载具，其特征在于，包括：第一载板；第二载板，所述第二载板与所述第一载板的外轮廓相同，所述第二载板为中空框架状，所述第二载板在垂直于所述第一载板的方向上与所述第一载板平行重叠设置；支撑部，设置在所述第一载板与所述第二载板之间，以使所述第一载板与所述第二载板相互间隔，所述支撑部与所述第一载板和所述第二载板之间形成有适于取放基板的开口。2.根据权利要求1所述的基板载具，其特征在于，所述第一载板和所述第二载板的外轮廓呈矩形。3.根据权利要求2所述的基板载具，其特征在于，所述支撑部为围绕所述第一载板和所述第二载板的矩形外轮廓的至少一个侧边的侧壁，以在所述第一载板和所述第二载板剩余侧边形成所述开口。4.根据权利要求1所述的基板载具，其特征在于，所述第一载板、所述第二载板和所述支撑部呈一体状。5.根据权利要求1-4中任一项所述的基板载具，其特征在于，所述第一载板为中空框架状。6.根据权利要求5所述的基板载具，其特征在于，还包括：第三载板，所述第三载板与所述第一载板和所述第二载板的外轮廓相同，所述第三载板设置在所述第一载板和所述第二载板之间，且与所述第一载板和所述第二载板平行重叠设置，所述第三载板与所述第一载板和所述第二载板相互间隔，以将所述开口分隔为适于取放基板的两个开口。7.根据权利要求6所述的基板载具，其特征在于，所述第一载板、所述第二载板、所述第三载板和所述支撑部呈一体状。8.根据权利要求6所述的基板载具，其特征在于，所述第三载板为中空框架状。9.一种基板载具阵列，其特征在于，包括：多个根据权利要求1-8中任一项所述的基板载具；其中，多个所述基板载具具有相同外轮廓，多个所述基板载具在同一平面上以2*n的阵列排列，所述开口设置在所述基板载具阵列的列方向上的两侧，其中n为大于或等于1的整数。10.一种气相沉积装置，其特征在于，包括根据权利要求9所述的基板载具阵列。11.根据权利要求10所述的气相沉积装置，其特征在于，所述基板载具阵列为多个，多个所述基板载具阵列平行重叠间隔设置。12.根据权利要求10或11所述的气相沉积装置，其特征在于，所述基板载具阵列水平设置。2CN111471983A说明书1/7页基板载具、基板载具阵列和气相沉积装置技术领域[0001]本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种基板载具、基板载具阵列和气相沉积装置。背景技术[0002]在制造半导体器件时，需要采用各种气相沉积工序在待成膜基板上形成薄膜，现有技术中气相沉积设备存在立式插片的基板载具如图1A所示，其通过基板载板11与卡点12来将基板13固定在基板载具上，由于重力作用，基板13远离卡点12的上端位置无法紧密贴合基板载板11，从而在基板13与基板载板11之间会出现显著的空隙，这样会导致在基板进行气相沉积工艺时，薄膜不仅会形成在基板的待成膜面，还会形成在基板的侧面甚至是与待成膜面相对的面，从而形成所谓的绕镀，这样会严重影响半导体器件的性能。[0003]为避免该问题，现有技术中提出了一种水平插片基板载具，如图1B所示，在进行气相沉积工序时，将基板15沿竖直方向放置在基板载具14上，利用基板15自身重力使得基板15与基板载具14紧密贴合，以防止绕镀。然而，为了使基板15能够顺利放置到基板载具14上，基板15与基板载具14的内侧边之间需要存在一定间隙17，在进行气相沉积工序时，薄膜不仅会沉积