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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115198320A(43)申请公布日2022.10.18(21)申请号202210833659.X(22)申请日2022.07.15(71)申请人九江德福科技股份有限公司地址332000江西省九江市开发区汽车工业园顺意路15号(72)发明人齐素杰陈如意艾青云齐朋伟张杰杨红光金荣涛(74)专利代理机构兰州塞维思知识产权代理事务所(普通合伙)62208专利代理师焦海红(51)Int.Cl.C25D1/04(2006.01)C25D3/38(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称一种低轮廓电解铜箔添加剂及其应用(57)摘要本发明公开了一种低轮廓电解铜箔添加剂及其应用,属于电解铜箔技术领域,以解决现有电解铜箔工艺中所用的多种添加剂配方复杂,工艺难管控的问题。该添加剂具有以下结构通式GSR:本发明的低轮廓电解铜箔添加剂与具有润湿作用的聚醚类化合物组合添加后可以在生产电解铜箔中实现品质的大幅提升,包括有效地降低毛面粗糙度,提升电解生箔的物理性能,如常温和高温条件下的抗拉强度和延伸率等。CN115198320ACN115198320A权利要求书1/2页1.一种低轮廓电解铜箔添加剂,其特征在于,该添加剂具有以下结构通式GSR:2.如权利要求1所述的一种低轮廓电解铜箔添加剂,其特征在于,所述GSR结构通式中,R选自氢、GS‑、‑S‑CoA、‑S‑Cys。3.如权利要求2所述的一种低轮廓电解铜箔添加剂,其特征在于,所述GSR结构通式中,R选自氢的添加剂为:(还原型谷胱甘肽)。4.如权利要求2所述的一种低轮廓电解铜箔添加剂,其特征在于,所述GSR结构通式中,R选自GS‑的添加剂为:(氧化型谷胱甘肽)。5.如权利要求2所述的一种低轮廓电解铜箔添加剂,其特征在于,所述GSR结构通式中,R选自‑S‑CoA的添加剂为:(GS‑S‑CoA)。6.如权利要求2所述的一种低轮廓电解铜箔添加剂,其特征在于,所述GSR结构通式中,R选自‑S‑Cys的添加剂为:(GS‑S‑Cys)。7.如权利要求1‑6中任一项所述的低轮廓电解铜箔添加剂的应用,其特征在于,低轮廓电解铜箔添加剂用于电解铜箔制造中。8.如权利要求7中任一项所述的低轮廓电解铜箔添加剂的应用,其特征在于,所述电解铜箔制造中的添加剂溶液包括:A剂、B剂、氯离子,所述A剂为低轮廓电解铜箔添加剂,其配制浓度为20‑35mg/L;所述B剂为具有润湿作用的聚醚类化合物,其配制浓度为15‑35mg/L;2CN115198320A权利要求书2/2页所述所述氯离子浓度为25mg/L。9.如权利要求7中所述的一种低轮廓电解铜箔添加剂的应用,其特征在于,所述电解铜箔厚度为3.5‑35μm,优选12‑18μm。3CN115198320A说明书1/5页一种低轮廓电解铜箔添加剂及其应用技术领域[0001]本发明属于电解铜箔技术领域,具体涉及一种低轮廓电解铜箔添加剂及其应用。背景技术[0002]电解铜箔作为覆铜板(CCL)、印制电路板(PCB)及锂离子电池制造的重要材料面临着越来越严格的性能要求和挑战。在电解液中引入添加剂是提升电解铜箔性能的最重要的手段之一,它可以通过影响铜离子沉积反应速率改变镀层的微观结构和形貌,从而调控电解铜箔的各项性能指标。[0003]通常,根据添加剂的作用效果将其分为润湿剂、整平剂及光亮剂三大类。润湿剂通常为链状醚类聚合物,其可以降低电极/溶液界面的表面张力,促使气泡逸出,防止针孔等缺陷的产生,同时也可以均匀地吸附在电极表面,降低铜离子还原沉积速率从而得到致密的铜层,被称为“第一类抑制剂”。整平剂大多为含氮类有机化合物,其可以通过在峰处(电流密度高)吸附较多和谷处(电流密度低)吸附较少以控制铜离子的沉积速率,从而使铜箔表面的微观轮廓整体上达到光滑且平整,被称为“第二类抑制剂”。光亮剂一般指含硫类有机化合物,其与其他添加剂共同作用时才可以起到细化晶粒的作用,促使铜箔表面具有光亮性。[0004]在常见电解铜箔3.5‑35μm铜箔制造中,为了提升品质,常利用品类繁杂多样的添加剂调控铜箔性能,但添加剂配方越复杂,其工艺越难管控,生产中存在较严重的失控风险。[0005]研发人员发现,添加剂的作用通常与其结构或特定的官能团密切相关,因此,如果可以根据通过调控添加剂的化学结构,来实现单一添加剂品种兼顾多种效果的作用,则可以达到简化添加剂配方,降低添加剂工艺管控难度和风险的目的,同时,也有助于生产中对电解铜箔性能的优化与调控。发明内容[0006]本发明的目的在于提供一种低轮廓电解铜箔添加剂,以解决现有电解工艺中所用的多种添加剂配方复杂,导致工艺难管控的问题。[0007]本发明的另一个目的在于提供一种低轮廓电解铜箔添加剂的应用,以解决为3