一种用于生产低轮廓电解铜箔的复合添加剂及其沉积工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106521564A(43)申请公布日2017.03.22(21)申请号201610958473.1(22)申请日2016.10.27(71)申请人建滔（连州）铜箔有限公司地址513400广东省清远市连州市连州镇城北区(72)发明人林家宝(74)专利代理机构深圳市精英专利事务所44242代理人任哲夫(51)Int.Cl.C25D1/04(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称一种用于生产低轮廓电解铜箔的复合添加剂及其沉积工艺(57)摘要本发明属于电解铜箔技术领域，具体涉及一种用于生产低轮廓电解铜箔的复合添加剂及其沉积工艺。所述复合添加剂包括3-巯基丙烷磺酸钠、乙撑硫脲、小分子明胶、十二烷基磺酸钠、羟乙基纤维素中的至少四种化合物。用本发明添加剂制造的铜箔具有较高抗拉强度与延伸率，铜箔粗糙面侧的晶粒细化，降低表面的粗糙度，不过仍维持一定的剥离强度；具有极大的市场前景和经济价值。CN106521564ACN106521564A权利要求书1/1页1.一种用于生产低轮廓电解铜箔的复合添加剂，其特征在于，所述复合添加剂包括3-巯基丙烷磺酸钠、乙撑硫脲、小分子明胶、十二烷基磺酸钠、羟乙基纤维素中的至少四种化合物。2.如权利要求1所述的复合添加剂，其特征在于，所述复合添加剂包括如下组分：3-巯基丙烷磺酸钠含量10～100ppm、乙撑硫脲含量5～50ppm、小分子明胶10～100ppm、十二烷基磺酸钠20～150ppm、羟乙基纤维素20～200ppm。3.如权利要求2所述的复合添加剂，其特征在于，所述复合添加剂包括如下组分：3-巯基丙烷磺酸钠30ppm、乙撑硫脲20ppm、小分子明胶30ppm、十二烷基磺酸钠50ppm、羟乙基纤维素50ppm。4.如权利要求2所述的复合添加剂，其特征在于，所述复合添加剂包括如下组分：3-巯基丙烷磺酸钠50ppm、乙撑硫脲30ppm、小分子明胶30ppm、十二烷基磺酸钠100ppm、羟乙基纤维素100ppm。5.一种如权利要求1-4任一项所述复合添加剂在用于沉积铜箔过程中的工艺，其特征在于，所述工艺流程如下：取铜含量为60～100g/L，硫酸含量为80～150g/L，氯离子为30ppm，温度为35～60℃的电解液，然后向所述电解液中添加所述复合添加剂，使电解液在流量为40～70m3/h，电流密度4500～9000A/m2的参数下进行电沉积。6.如权利要求5所述的工艺，其特征在于，所述工艺步骤如下：取铜含量为60～80g/L，硫酸含量为80～120g/L，氯离子为30ppm，温度为35～45℃的电解液，然后向所述电解液中添加所述复合添加剂，使电解液在流量为40～50m3/h，电流密度4500～6000A/m2的参数下进行电沉积。7.如权利要求5所述的工艺，其特征在于，所述工艺步骤如下：取铜含量为80～100g/L，硫酸含量为100～150g/L，氯离子为30ppm，温度为40～60℃的电解液，并向所述电解液中添加所述复合添加剂，使电解液流量为50～70m3/h，电流密度6000～9000A/m2条件下进行电沉积。2CN106521564A说明书1/2页一种用于生产低轮廓电解铜箔的复合添加剂及其沉积工艺技术领域[0001]本发明属于电解铜箔技术领域，具体涉及一种用于生产低轮廓电解铜箔的复合添加剂及其沉积工艺。背景技术[0002]随着电子、通讯、航天、电网、汽车等行业的快速发展，大功率的PCB也得到了快速发展。电子、通讯等设备的大功率电路板因电流较大，容易发热。铜箔作为电路板的神经，若铜箔厚度较小及表面粗糙度较高的话，很容易因发热而导致线路断裂，造成整块板坏掉，因此对铜箔的厚度及表面粗糙度需要一定的要求。铜箔厚度＜70μm的生产工艺中，可以通过用常规的整平剂控制铜箔毛面的粗糙度，然而当铜箔厚度≥70μm的生产工艺时，加入常规的整平剂来控制铜箔毛面的粗糙度已经不可能了。铜箔越厚，其毛面的晶体颗粒越大，粗糙度就越大。发明内容[0003]为此，本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术的技术瓶颈，从而提出一种用于生产低轮廓电解铜箔的复合添加剂。[0004]为解决上述技术问题，本发明公开了一种用于生产低轮廓电解铜箔的复合添加剂，所述复合添加剂包括3-巯基丙烷磺酸钠、乙撑硫脲、小分子明胶、十二烷基磺酸钠、羟乙基纤维素中的至少四种化合物。[0005]优选的，所述复合添加剂包括如下组分：3-巯基丙烷磺酸钠含量10～100ppm、乙撑硫脲含量5～50ppm、小分子明胶10～100ppm、十二烷基磺酸钠20～150ppm、羟乙基纤维素20～200ppm。[0006]优选的，所述复合添加剂包括如下组分：3-巯基丙烷磺酸钠30ppm、乙撑硫脲20p