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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102560584A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102560584A(43)申请公布日2012.07.11(21)申请号201210031937.6(22)申请日2012.02.14(71)申请人联合铜箔(惠州)有限公司地址516139广东省惠州市博罗县湖镇镇罗口顺管理区(72)发明人周启伦郑惠军黄国平邓烨朱各桂万新领高元亨(74)专利代理机构广州粤高专利商标代理有限公司44102代理人任海燕(51)Int.Cl.C25D7/06(2006.01)C25D3/38(2006.01)H05K3/38(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书99页页附图附图1111页(54)发明名称一种电解铜箔用添加剂及甚低轮廓电解铜箔表面处理工艺(57)摘要本发明属于电子材料技术领域,具体涉及甚低轮廓电解铜箔进行表面处理的工艺,特别涉及一种对甚低轮廓电解铜箔进行表面处理时用到的添加剂。该添加剂由三种组分组成:硫酸亚钛;硫酸钛;钼酸盐。其在电镀液中的含量分别为50~150mg/L、150~250mg/L、70~118mg/L(钼酸根).该添加剂用于添加在微晶粗化槽中,三种组分,共同配合使用使处理后的铜箔粗化层晶粒小而密集,达到微晶效果。本发明还在表面处理的粗化槽中找出各种添加剂的添加量及合适的电镀工艺条件(铜酸含量、温度、电流密度),使处理后的18微米甚低轮廓电解铜箔可以满足以下技术指标:抗剥离强度≥1.0kg/cm、表面粗糙度Rz值≤5.1µm。CN1025684ACN102560584A权利要求书1/1页1.一种电解铜箔表面处理用的添加剂,其特征在于由硫酸亚钛、硫酸钛、钼酸盐三种组分组成。2.根据权利要求1所述的电解铜箔表面处理用的添加剂,其特征在于:所述硫酸亚钛在电镀液中的含量分别为50~150mg/L。3.根据权利要求1所述的电解铜箔表面处理用的添加剂,其特征在于:所述硫酸钛在电镀液中的含量分别为150~250mg/L。4.根据权利要求1所述的电解铜箔表面处理用的添加剂,其特征在于:所述钼酸根在电镀液中的含量为70~118mg/L。5.一种应用权利要求1~4任意一项所述添加剂的甚低轮廓电解铜箔的表面处理工艺,其特征在于该处理工艺按以下步骤进行:原箔先在酸洗槽中一定硫酸浓度的溶液中进行酸洗;经过水洗槽进行表面清洗;进入添加有所述添加剂的微晶粗化槽电镀微晶粗化层;水洗槽清洗铜箔表面;进入固化槽将微晶粗化层电镀固定;水洗槽清洗铜箔表面;进入阻挡层电镀槽电镀异种金属作铜箔阻挡层;水洗槽清洗铜箔表面;进入防氧化槽电镀防氧化层;水洗槽清洗铜箔表面;进入硅烷偶联剂涂布槽涂布硅烷偶联剂;最后经过烘箱烘干。6.根据权利要求5所述甚低轮廓电解铜箔的表面处理工艺,其特征在于:所述微晶粗化槽中电镀液的铜离子浓度为12~18g/L,硫酸的浓度为100~140g/L,电镀时温度23~27℃;电流密度15-30A/dm2;极距2~5cm;阳极面积130~150dm2×2;电镀时间6~10s。7.根据权利要求6所述甚低轮廓电解铜箔的表面处理工艺,其特征在于:所述酸洗槽中硫酸浓度为50~150g/L。8.根据权利要求7所述甚低轮廓电解铜箔的表面处理工艺,其特征在于:所述固化槽的固化液中铜离子含量为45~85g/L,硫酸含量为50~90g/L。9.根据权利要求8所述甚低轮廓电解铜箔的表面处理工艺,其特征在于:所述阻挡层电镀槽中电镀液中含有1.5~2.5g/L的锌离子、0.3~0.7g/L的镍离子、65~105g/L的焦磷酸钾、≤2g/L的磷酸根,电镀液PH值为9~11,温度为25~35℃。10.根据权利要求9所述甚低轮廓电解铜箔的表面处理工艺,其特征在于:所述防氧化槽的电镀液中含有1.2~1.8g/L的三氧化铬、7~17g/L的氢氧化钠、150~350mg/L的十二烷基硫酸钠,电镀液温度为25~35℃。2CN102560584A说明书1/9页一种电解铜箔用添加剂及甚低轮廓电解铜箔表面处理工艺技术领域[0001]本发明属于电子材料技术领域,具体涉及电解铜箔进行表面处理的工艺,特别涉及一种对铜箔进行表面处理时用到的添加剂,还涉及利用该添加剂生产甚低轮廓电解铜箔的微晶粗化生产工艺。背景技术[0002]电解铜箔是覆铜板(CCL)及印制电路板(PCB)制造的重要的材料。在当今电子信息产业高速发展中,电解铜箔被称为电子产品信号与电力传输、沟通的“神经网络”。[0003]随着PCB朝着多层化、高密度化、薄型化方向发展,铜箔也朝着超薄、低轮廓、高剥离强度、高延展性等高品质高性能方向发展。为适应其发展需求,电解铜箔的生产工艺技术必须不断提高,而本发明主要是针对甚低轮廓电解铜箔表面处理技术的提高。目前传统的电解铜箔表面处