一种用于修整研磨轮的装置和方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115592565A(43)申请公布日2023.01.13(21)申请号202211284175.0(22)申请日2022.10.14(71)申请人西安奕斯伟材料科技有限公司地址710065陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室(72)发明人贺云鹏王贺(74)专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)61253专利代理师侯丽丽姚勇政(51)Int.Cl.B24B53/065(2006.01)B24B47/20(2006.01)B24B49/00(2012.01)权利要求书1页说明书4页附图5页(54)发明名称一种用于修整研磨轮的装置和方法(57)摘要本发明实施例公开一种用于修整研磨轮的装置，所述装置包括：柱状的修整部，所述修整部设置成能够绕自身的中心轴线旋转以通过所述修整部的周向表面对研磨轮的研磨齿进行修整；距离感测器，所述距离感测器用于感测所述研磨轮相对于所述修整部的所述周向表面的进给距离；其中，当所述距离感测器感测到所述研磨轮相对于所述修整部的所述周向表面的进给距离达到第一预定距离时，则修整操作结束。CN115592565ACN115592565A权利要求书1/1页1.一种用于修整研磨轮的装置，其特征在于，所述装置包括：柱状的修整部，所述修整部设置成能够绕自身的中心轴线旋转以通过所述修整部的周向表面对研磨轮的研磨齿进行修整；距离感测器，所述距离感测器用于感测所述研磨轮相对于所述修整部的所述周向表面的进给距离；其中，当所述距离感测器感测到所述研磨轮相对于所述修整部的所述周向表面的进给距离达到第一预定距离时，则修整操作结束。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括与所述距离感测器通信的控制器，所述控制器设置成当所述距离感测器感测到所述进给距离达到所述第一预定距离时使所述修整部停止旋转。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述控制器设置成当所述距离感测器感测到所述进给距离达到第二预定距离时使所述修整部开始旋转。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述修整部设置成能够在绕所述中心轴线旋转的同时沿所述中心轴线进行往复运动。5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述修整部的沿所述中心轴线的长度大于所述研磨轮的直径。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的装置，其特征在于，所述装置布置成所述修整部的所述中心轴线沿竖向方向，并且所述装置还包括沿所述中心轴线设置在所述修整部下方的底座，所述底座具有沿所述中心轴线上凸的形状，以便于落在所述底座上的物质沿所述底座的顶部的表面离开所述底座。7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置还包括喷射器，所述喷射器用于在所述修整部执行修整操作时向所述修整部和所述研磨轮喷射冷却液。8.根据权利要求1至5中的任一项所述的装置，其特征在于，所述修整部由金刚石和陶瓷粘合剂制成。9.一种用于修整研磨轮的方法，其特征在于，所述方法通过使用根据权利要求1至8中任一项所述的装置执行。2CN115592565A说明书1/4页一种用于修整研磨轮的装置和方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种用于修整研磨轮的装置和方法。背景技术[0002]半导体硅片的生产工艺通常包括拉晶、线切割、研磨、抛光等处理过程。双面研磨作为一种研磨工艺用于同时对硅片的两个主表面进行研磨以使硅片具有高度平整表面。在双面研磨过程中，需要使用专用装置来保持硅片，以便于研磨轮对硅片的两个主表面同时进行研磨。通常，这种保持装置包括对向设置的一对流体静压板，硅片沿竖向方向设置在两个流体静压板之间，流体静压板可以在其自身与硅片的主表面之间形成流体屏障，以便使硅片能够在不与两个流体静压板相接触的情况下被保持竖立，与此同时，可以利用对置的研磨轮对硅片的两个主表面进行研磨。相比于物理夹持，流体静压板的流体夹持方式减少了对硅片的损伤，并使得硅片以较小的摩擦相对于流体静压板表面在切向上移动(转动)。[0003]在上述研磨加工的过程中，研磨轮的品质对研磨质量而言至关重要。随着设备连续加工，左右两侧的研磨轮、特别是研磨齿会不断被损耗，磨损后的研磨齿的在整体上可能不再平整，研磨齿自身的粗糙程度也可能无法达到工艺要求，这些因素最终导致加工硅片精度恶化。因此，定期修整研磨轮对研磨过程以及硅片的品质具有重大影响。研磨轮需要定期进行修整，目前所采用的方式是使盘形修整器的周向边缘对准研磨齿的研磨表面，在修整器和研磨轮同时旋转的情况下，由操作人员手动将研磨轮不断朝向修整器进给，以由修整器对研磨轮的研磨表面进行修整。[0004]然而，如何准确控制修整器对研磨轮的修整量以使修整后的研磨轮达到预定要求并且使多个修整后的研磨轮具有较好的一致性是本领域亟需