一种晶体谐振器及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115955209A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202211548565.4H03H3/02(2006.01)(22)申请日2022.12.05(71)申请人泰晶科技股份有限公司地址441320湖北省随州市曾都经济开发区交通大道1131号申请人武汉润晶汽车电子有限公司(72)发明人黄大勇晏俊王子琦彭康(74)专利代理机构武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙)42231专利代理师张杰(51)Int.Cl.H03H9/05(2006.01)H03H9/10(2006.01)H03H9/13(2006.01)H03H9/19(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图5页(54)发明名称一种晶体谐振器及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种晶体谐振器及其制备方法，包括封装盖板、封装底板以及设置于封装盖板与封装底板之间的晶片，晶片包括基片及引脚端，引脚端完全包裹基片的两端，引脚端在封装盖板的正投影位于封装盖板内，且引脚端在封装底板的正投影位于封装底板内；本发明提供的晶体谐振器通过在基片两端形成全包裹的引脚端，避免了现有的晶体谐振器在基座外设置引脚端的设计，同时无需采用导电胶固定晶片，省去了对应的点胶工艺或者轮焊工艺，减小了晶体谐振器的外形尺寸，另外，本发明通过将封装盖板、晶片和封装底板合为一体，进一步减小了晶体谐振器的外形尺寸，更进一步能够实现超高频、小尺寸的晶体谐振器产品的生产。CN115955209ACN115955209A权利要求书1/2页1.一种晶体谐振器，其特征在于，包括封装盖板、封装底板以及设置于所述封装盖板与所述封装底板之间的晶片；其中，所述晶片包括基片及引脚端，所述引脚端完全包裹所述基片的两端，所述引脚端在所述封装盖板的正投影位于所述封装盖板内，且所述引脚端在所述封装底板的正投影位于所述封装底板内。2.根据权利要求1所述的晶体谐振器，其特征在于，所述基片具有焊盘部、过渡部以及震荡部，所述焊盘部通过所述过渡部与所述震荡部连接，所述震荡部的厚度小于所述焊盘部的厚度；其中，所述震荡部上设置有第一电极以及第二电极，所述第一电极位于所述封装盖板与所述基片之间，所述第二电极位于所述封装底板与所述基片之间。3.根据权利要求2所述的晶体谐振器，其特征在于，所述引脚端包括设置于所述焊盘部一端的第一引脚以及设置于所述焊盘部另一端的第二引脚；所述焊盘部上还设置有第一金属层以及第二金属层，所述第一金属层位于所述封装盖板与所述基片之间，所述第二金属层位于所述封装底板与所述基片之间；其中，所述第一金属层在所述第二金属层上的正投影与所述第二金属层重合；所述第一引脚通过所述第一金属层与所述第一电极电连接，所述第二引脚通过所述第二金属层与所述第二电极电连接。4.根据权利要求3所述的晶体谐振器，其特征在于，所述第一金属层以及所述第二金属层均设置于所述焊盘部的边框区域，所述第一金属层与部分所述第一引脚形成第一闭合图案，所述第二金属层与部分所述第二引脚形成第二闭合图案。5.根据权利要求3所述的晶体谐振器，其特征在于，所述封装盖板正对所述引脚端的区域设置有第三金属层，所述封装盖板正对所述第一金属层的区域设置有第四金属层；所述封装底板正对所述引脚端的区域设置有第五金属层，所述封装底板正对所述第二金属层的区域设置有第六金属层；其中，所述第三金属层在所述引脚端上的正投影与所述引脚端重合，所述第四金属层在所述第一金属层上的正投影与所述第一金属层重合；所述第五金属层在所述引脚端上的正投影与所述引脚端重合，所述第六金属层在所述第二金属层上的正投影与所述第二金属层重合。6.根据权利要求5所述的晶体谐振器，其特征在于，所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层、所述第四金属层、所述第五金属层以及所述第六金属层的厚度均包括镀铬膜层和镀金膜层，所述镀铬膜层的厚度范围在10nm至50nm之间，所述镀金膜层的厚度范围在500nm至1000nm之间。7.根据权利要求2所述的晶体谐振器，其特征在于，所述震荡部的内部设置有避空腔，所述避空腔的一个侧壁为所述焊盘部；其中，所述焊盘部与所述震荡部之间形成有震荡腔，所述避空腔的体积小于所述震荡腔的体积。8.一种晶体谐振器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一封装盖板以及一封装底板；提供一晶片，所述晶片包括基片及引脚端，所述引脚端完全包裹所述基片的两端；2CN115955209A权利要求书2/2页将所述封装盖板、所述晶片和所述封装底板依次对准贴合，使所述引脚端在所述封装盖板的正投影位于所述封装盖板内，且所述引脚端在所述封装底板的正投影位于所述封装底板内。9.根据权利要求8所述的晶体谐振器的制备方法，其特征在于，所述将所述封装盖板、所述晶片和所述封