一种49S石英晶体谐振器的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110417376A(43)申请公布日2019.11.05(21)申请号201810406140.7(22)申请日2018.04.30(71)申请人珠海东精大电子科技有限公司地址519000广东省珠海市珠海大道东段北侧南屏科技工业园绿园路3号(72)发明人谢尚平毛毅吴延剑(51)Int.Cl.H03H3/04(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种49S石英晶体谐振器的制备方法(57)摘要本发明公开并提供一种高精度的49S石英晶体谐振器的制备方法，本发明包括以下步骤:a.通过增大晶片的尺寸，进而消除因晶片尺寸比例引起的寄生频率；b.设计石英晶片在研磨机上进行粗、中、细精细研磨间的频率预留量；c.计算返回频率，利用酸性溶液对研磨后的石英晶片进行深度腐蚀，d.在低真空条件下，采用氮离子对石英晶片的表面进行轰击，清洁石英晶片的表面；e.调整电极尺寸，所述电极尺寸与所述晶片尺寸相匹配，所述电极尺寸对C1动态电容、灵敏度、寄生杂波抑制起到作用；f.通过石英晶片的腐蚀频率和晶体谐振器频率差来确定膜层厚度之后进行镀膜，形成引出电极，并使其频率达到规定范围；g.将镀膜后的石英晶片装在基座上，点上导电胶通过高温固化。CN110417376ACN110417376A权利要求书1/1页1.一种49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤：a.通过增大晶片的尺寸，进而消除因晶片尺寸比例引起的寄生频率；b.设计石英晶片在研磨机上进行粗、中、细精细研磨间的频率预留量；c.计算返回频率，根据返回频率得出合适的腐蚀频率后，利用酸性溶液对研磨后的石英晶片进行深度腐蚀，腐蚀厚度为0.04mm；d.在低真空条件下，采用氮离子对石英晶片的表面进行轰击，清洁石英晶片的表面去除石英晶片表面的异物，提高银层和水晶片的附着力；e.将调整电极尺寸调整为8.01×2.05×0.06×3.5×1.4，使所述电极尺寸与所述晶片尺寸相匹配，所述电极尺寸对C1动态电容、灵敏度、寄生杂波抑制起到重要作用；f.通过石英晶片的腐蚀频率和晶体谐振器频率差来确定膜层厚度之后进行镀膜，形成引出电极，并使其频率达到规定范围；g.将镀膜后的石英晶片装在基座上，点上导电胶通过高温固化。2.根据权利要求1所述的一种高精度的49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：h.使用干式清洗装置对石英晶片上的附着异物进行进一步扫除；i.采用氩离子轰击晶体表面的电极，将多余的膜层材料去除；j.将基座与外壳放置在充满氮气的环境中进行封焊。3.根据权利要求1所述的一种49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：所述步骤a中，所述晶片尺寸设计为7.995*2.015，可消除尺寸比例引起的寄生波。4.根据权利要求1所述一种的49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：所述步骤b中，所述频率预留量设计为WA4000#24750±100KHz。5.根据权利要求1所述的一种49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：所述步骤c中，所述返回频率为Δ=2*ρe*ζe/ρ*tF，式中，ρe为电极金属的密度、ζe单面电极的厚度、ρ为水晶的密度、tF为腐蚀后石英片的厚度。6.根据权利要求1所述的一种49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：所述步骤c中，所述酸性溶液为HF溶液或NH4HF2溶液中的至少一种,所述酸性溶液的工作温度为65°C。7.根据权利要求1所述的一种高精度的49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：所述步骤c与所述步骤d之间还包括用清水对腐蚀过的石英晶片进行清洗并烘干的步骤。8.根据权利要求1所述的一种49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：所述步骤d中，所述低真空条件是指1pa~2pa的压力下。2CN110417376A说明书1/3页一种49S石英晶体谐振器的制备方法技术领域[0001]本发明涉及49S石英晶体谐振器的制备方法。背景技术[0002]石英晶体谐振器又称石英晶体，是利用石英晶体的压电效应而制成的谐振元件，其与半导体器件和阻容元件一起使用，构成石英晶体振荡器。在集成电路板上经常会用到49S石英晶体谐振器，这类石英晶体谐振器的固有参数，如频率、电阻、静/动态电容、电感、TS、SPFR等对会对晶体是否正常并长期稳定工作产生很大影响，尤其是一些用于高精度通讯器材上的型号的晶体谐振器，需有较高的抗震动、抗电磁干扰能力，这就对C1动态电容、TS灵敏度、SPFR寄生频率等参数有特别的要求，而这些参数的达成需要较高的工艺设计及品质控制才能实现，但现有的原材料、生产工艺、工装治具不能保证各参数符合技术要求，所以现需要一种高精度的49S石英晶体谐振器的制备方法。发明内容[0003]本发