一种陶瓷谐振器及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115642382A(43)申请公布日2023.01.24(21)申请号202211308904.1(22)申请日2022.10.25(71)申请人广东国华新材料科技股份有限公司地址526020广东省肇庆市风华路18号风华电子工业园4号楼4-5层(72)发明人马才兵孙廷伟刘潮锋龙志勇(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227专利代理师刘乐(51)Int.Cl.H01P7/10(2006.01)H01P11/00(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图1页(54)发明名称一种陶瓷谐振器及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种陶瓷谐振器，包括：陶瓷体A；所述陶瓷体A中心设有阶梯状通孔；所述阶梯状通孔通过上部的小孔和下部的大孔贯穿陶瓷体A；所述小孔内侧覆盖有第一导体层；所述大孔内侧覆盖有陶瓷粘结层；嵌入陶瓷体A的大孔中的陶瓷体B；所述陶瓷体B表面覆盖第二导体层，其中，陶瓷体B顶面的第二导体层覆盖小孔形成盲孔并与第一导体层连通；覆盖陶瓷体A顶面、侧面和底面的第三导体层。与现有技术相比，本发明提供的陶瓷谐振器采用特定结构及连接关系，具有体积小、Q值高的特点，具有极大的市场竞争力。CN115642382ACN115642382A权利要求书1/1页1.一种陶瓷谐振器，包括：陶瓷体A；所述陶瓷体A中心设有阶梯状通孔；所述阶梯状通孔通过上部的小孔和下部的大孔贯穿陶瓷体A；所述小孔内侧覆盖有第一导体层；所述大孔内侧覆盖有陶瓷粘结层；嵌入陶瓷体A的大孔中的陶瓷体B；所述陶瓷体B表面覆盖第二导体层，其中，陶瓷体B顶面的第二导体层覆盖小孔形成盲孔并与第一导体层连通；覆盖陶瓷体A顶面、侧面和底面的第三导体层。2.根据权利要求1所述的陶瓷谐振器，其特征在于，所述陶瓷体A的材料为介电常数为5～21和/或QF值大于40000GHz的微波介质材料。3.根据权利要求2所述的陶瓷谐振器，其特征在于，所述陶瓷体B的材料为介电常数大于陶瓷体A的材料的介电常数和/或QF值大于等于20000GHz的微波介质材料。4.根据权利要求1所述的陶瓷谐振器，其特征在于，所述第一导体层的材料选自铜、银和金中的一种或多种；所述第二导体层的材料选自铜、银和金中的一种或多种；所述第三导体层的材料选自铜、银和金中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的陶瓷谐振器，其特征在于，所述小孔的横截面为圆形；所述大孔的横截面为圆形或多边形。6.一种陶瓷谐振器的制备方法，包括以下步骤：a)将陶瓷体A的材料第一次干压成型后进行第一次烧结，得到陶瓷体A；b)将陶瓷体B的材料第二次干压成型后进行第二次烧结，得到陶瓷体B；c)在陶瓷体B表面镀第二导体层后与陶瓷体A进行组装，依次经陶瓷粘结剂真空复合、烘烤和高温固化，形成整体结构，最后在上述整体结构表面镀第一导体层和第三导体层，得到陶瓷谐振器。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤a)中所述第一次干压成型的压力为60MPa～70MPa；所述第一次烧结的温度为1300℃～1600℃，时间为3h～5h；步骤b)中所述第二次干压成型的压力为60MPa～70MPa；所述第二次烧结的温度为1300℃～1600℃，时间为3h～5h。8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤c)中所述第二导体层的厚度为6μm～50μm。9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤c)中所述陶瓷粘结剂真空复合的过程具体为：将组装后的产品放入装有陶瓷粘结剂的容器中，产品与容器同时抽真空进行真空复合。10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤c)中所述烘烤的温度为100℃～120℃，时间为10min～30min；所述高温固化的温度为600℃～700℃，时间为30min～120min。2CN115642382A说明书1/7页一种陶瓷谐振器及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及滤波器技术领域，更具体地说，是涉及一种陶瓷谐振器及其制备方法。背景技术[0002]随着5G通讯技术的发展，陶瓷介质滤波器有望成为主流技术，具有广阔的市场前景。[0003]陶瓷滤波器小型化和轻量化是行业趋势，由于能源和散热问题，提升谐振器的Q值既是技术追求也是环保要求。但是，目前单一介电常数制备的陶瓷谐振器的高Q值往往意味大尺寸，大重量，因此小体积的前提下保证Q值的解决方案显得极具时代意义。发明内容[0004]有鉴于此，本发明的目的在于为介质波导滤波器提供一种全新的陶瓷谐振器，其体积很小、Q值比传统陶瓷谐振器高30％以上；同时本发明还提供了一种陶瓷谐振器的制备方法，该制备方法工艺简单、设备要求低，成本低廉，易于实现，为大规模生产提供了便利；本发明提供了一种陶瓷谐振器及其制备方法，具有极大的市场竞争力。[0005]