具有低介电性绝缘膜的半导体器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101569010A
(43)申请公布日2009.10.28

(21)申请号CN200880000824.1

(22)申请日2008.05.30

(71)申请人卡西欧计算机株式会社
地址日本东京都

(72)发明人水泽爱子冈田修若林猛三原一郎

(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司

代理人陈松涛

(51)Int.CI
H01L23/31
H01L23/485
H01L23/525

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称
具有低介电性绝缘膜的半导体器件
及其制造方法

(57)摘要
一种半导体器件，包括其上除了其
外围部分之外设置有结构部分(3)的半导体
衬底(1)，还具有包括低介电性膜(4)和布线
线路(5)的层叠结构，所述低介电性膜的相
对介电常数为3.0或更低，其玻璃化温度
为400℃或更高。在所述结构部分(3)上形
成绝缘膜(9)。连接焊盘部分设置于所述绝
缘膜(9)上并连接至所述层叠结构部分(3)的
最上层布线线路(5)。凸块电极(13)设置于
所述连接焊盘部分。由有机树脂制成的密
封膜(14)设置于包围所述凸块电极(13)的绝
缘膜(9)的一部分上。所述层叠结构部分(3)
的侧表面被所述绝缘膜(9)和/或所述密封膜
(14)覆盖。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1、一种半导体器件，包括：

半导体衬底(1)；

低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)，其设置于所述半导体衬底(1)的除其外围部
分之外的一个表面上，且其由包括多个低介电性膜(4)和多个布线线路(5)的层叠结
构构成，每个所述低介电性膜的相对介电常数为3.0或更低，且其玻璃化温度为
400℃或更高；

至少形成于所述低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)的一侧上的绝缘膜(9)；

用于电极的连接焊盘部分，其设置于所述绝缘膜(9)上，以电连接至所述低介电性

膜布线线路层叠结构部分(3)的最上层布线线路(5)的连接焊盘部分(5a)；

用于外部连接的凸块电极(13)，其设置于用于所述电极的所述连接焊盘部分上；以
及

由有机树脂制成且至少设置于所述绝缘膜(9)在用于外部连接的所述凸块电极(13)周
围的部分上的密封膜(14)，

其中所述低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)的侧表面被所述绝缘膜(9)和所述密
封膜(14)中的至少一个覆盖。

2、根据权利要求1所述的半导体器件，还包括所述绝缘膜(9)和所述低介电性膜布
线线路层叠结构部分(3)之间的由无机材料制成的钝化膜(7)。

3、根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述绝缘膜(9)、所述钝化膜(7)和所述
低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)的对应侧表面基本形成一个平面，并且所述
绝缘膜(9)、所述钝化膜(7)和所述低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)的所述侧表
面被所述密封膜(14)覆盖。

4、根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述钝化膜(7)和所述低介电性膜布线
线路层叠结构部分(3)的对应侧表面基本形成一个平面，并且所述钝化膜(7)和所述
低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)的所述侧表面被所述绝缘膜(9)覆盖。

5、根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述绝缘膜(9)的所述侧表面被所述密
封膜(14)覆盖。

6、根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述绝缘膜(9)延伸至与所述硅衬底1
的侧表面相同的平面。

7、根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述绝缘膜(9)的所述侧表面位于所述
低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)的所述侧表面的内侧。

8、根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述钝化膜(7)和所述低介电性膜布线
线路层叠结构部分(3)的所述对应侧表面基本形成一个平面。

9、根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述钝化膜(7)的所述侧表面位于所述
绝缘膜(9)的所述对应侧表面的内侧。

10、根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述绝缘膜(9)和所述钝化膜(7)的所
述对应侧表面基本形成一个平面。

11、根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述低介电性膜布线线路层叠结构部
分(3)具有形成在所述最上层布线线路(5)和最上层低介电性膜(4)之间的下层钝化膜
(16)。

12、根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述低介电性膜布线线路层叠结构部
分(3)具有形成在所述最上层布线线路(5)和第二最上层布线线路(5)之间的下层钝化
膜(16)。

13、根据权利要求11或12所述的半导体器件，其中所述下层钝化膜由氧化硅形成。

14、根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述