具有平坦化的钝化层的半导体器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110137144A(43)申请公布日2019.08.16(21)申请号201910066850.4(22)申请日2019.01.24(30)优先权数据10-2018-00157062018.02.08KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人金泳龙白承德(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人王新华(51)Int.Cl.H01L23/367(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L21/56(2006.01)权利要求书3页说明书6页附图10页(54)发明名称具有平坦化的钝化层的半导体器件及其制造方法(57)摘要本公开提供了具有平坦化的钝化层的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：半导体基板，被分成焊盘区域和单元区域并具有有源表面和与有源表面相反的非有源表面；多个金属线，在半导体基板的有源表面上；钝化层，在半导体基板的有源表面上；以及多个凸块，在单元区域中。钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，该第一钝化层覆盖所述多个金属线并具有沿着所述多个金属线的排布轮廓的非平坦的顶表面，该第二钝化层在第一钝化层的非平坦的顶表面上并具有其上设置所述多个凸块的平坦化的顶表面。CN110137144ACN110137144A权利要求书1/3页1.一种半导体器件，具有焊盘区域以及与所述焊盘区域分开的至少一个单元区域，并包括：半导体基板，具有有源表面和与所述有源表面相反的非有源表面；多个金属线的排布，在所述半导体基板的所述有源表面上；多个凸块，在所述至少一个单元区域中；第一钝化层，覆盖所述多个金属线并具有非平坦的顶表面，该非平坦的顶表面具有由所述多个金属线的所述排布规定的轮廓；以及第二钝化层，在所述第一钝化层的所述非平坦的顶表面上并具有平坦的顶表面，其中所述凸块设置在所述第二钝化层的所述平坦的顶表面上。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一钝化层和所述第二钝化层由各自的绝缘材料形成，并且所述各自的绝缘材料具有彼此不同的成分。3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一钝化层包括硅氮化物层，并且所述第二钝化层包括硅氧化物层。4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个凸块包括在所述半导体器件中被电隔离的多个虚设凸块。5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括延伸穿过所述半导体器件的所述焊盘区域中的所述半导体基板的多个贯穿电极，其中所述多个凸块都不电连接到所述多个贯穿电极中的任一个。6.如权利要求5所述的半导体器件，还包括在所述半导体器件的所述焊盘区域中的所述第二钝化层上并电连接到所述多个贯穿电极的多个电凸块。7.如权利要求1所述的半导体器件，其中当在平面图中看时，所述焊盘区域线性地延伸跨过所述半导体基板的中心，并且所述至少一个单元区域包括在所述焊盘区域的相反两侧的多个单元区域。8.一种半导体器件，具有焊盘区域以及与所述焊盘区域分开的至少一个单元区域，并包括：半导体基板，具有有源表面和与所述有源表面相反的非有源表面；多个金属线，在所述半导体基板的所述有源表面上；多个凸块，在所述至少一个单元区域中；第一钝化层，覆盖所述多个金属线并包括第一绝缘材料；以及第二钝化层，包括第二绝缘材料并具有平坦的顶表面，所述第二绝缘材料具有与所述第一绝缘材料的成分不同的成分，其中所述凸块设置在所述第二钝化层的所述平坦的顶表面上，并且所述第一钝化层和所述第二钝化层具有非平坦的界面。9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一钝化层的所述第一绝缘材料包括硅氮化物，并且所述第二钝化层的所述第二绝缘材料包括硅氧化物。10.如权利要求8所述的半导体器件，还包括在所述半导体器件的所述单元区域中的存储单元以及延伸穿过所述半导体器件的所述焊盘区域中的所述半导体基板的多个贯穿电极。2CN110137144A权利要求书2/3页11.如权利要求10所述的半导体器件，还包括多个电凸块，该多个电凸块在所述第二钝化层上、位于所述半导体器件的所述焊盘区域中并电连接到所述多个贯穿电极。12.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述凸块是与所述半导体器件的所述单元区域中的电路电隔离的热凸块。13.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述多个凸块直接设置在所述第二钝化层的所述平坦的顶表面上。14.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述多个凸块中的每个包括：金属柱，在所述第二钝化层的所述平坦的顶表面上；和盖层，覆盖所述金属柱。15.如权利要求8所述的半导体器件，其中，在所述多个金属线上，所述界面是朝向所述多个凸块凸起的，并且其中，在所述多个金属线之间，所述界面是朝向所述半导体基板凹入的。16.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体基板，所述半导体基板被分成单元