低介电聚酰亚胺膜及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114729136A(43)申请公布日2022.07.08(21)申请号201980102239.0(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限(22)申请日2019.12.02公司11243专利代理师许静宋海花(30)优先权数据10-2019-01447592019.11.13KR(51)Int.Cl.C08J5/18(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2022.05.13(86)PCT国际申请的申请数据PCT/KR2019/0168502019.12.02(87)PCT国际申请的公布数据WO2021/095975KO2021.05.20(71)申请人聚酰亚胺先端材料有限公司地址韩国忠清北道(72)发明人白承烈李吉男权利要求书1页说明书10页(54)发明名称低介电聚酰亚胺膜及其制造方法(57)摘要本发明提供一种低介电聚酰亚胺膜的制造方法，其包括：制造聚酰胺酸溶液的步骤；相对于上聚酰胺酸溶液添加2～3摩尔当量的脱水剂来制造聚酰胺酸组合物的步骤；以及由上述聚酰胺酸组合物在支撑体上制膜且在加热炉中进行热固化的步骤。CN114729136ACN114729136A权利要求书1/1页1.一种聚酰亚胺膜的制造方法，其包括：制造聚酰胺酸溶液的步骤；相对于所述聚酰胺酸溶液添加2～3摩尔当量的脱水剂来制造聚酰胺酸组合物的步骤；以及由所述聚酰胺酸组合物在支撑体上制膜且在加热炉中进行热固化的步骤。2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜的制造方法，在制造所述聚酰胺酸组合物的步骤中，相对于所述聚酰胺酸溶液进一步添加0.5～2摩尔当量的酰亚胺化催化剂。3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜的制造方法，所述聚酰胺酸溶液包含酸二酐成分和二胺成分，所述酸二酐成分包含联苯四甲酸二酐(BPDA)和均苯四甲酸二酐(PMDA)，所述二胺成分包含间联甲苯胺、二氨基二苯醚(ODA)和对苯二胺(PPD)。4.根据权利要求3所述的聚酰亚胺膜的制造方法，以所述酸二酐成分的总含量100摩尔％为基准，所述联苯四甲酸二酐的含量为30摩尔％以上50摩尔％以下，所述均苯四甲酸二酐的含量为50摩尔％以上70摩尔％以下。5.根据权利要求3所述的聚酰亚胺膜的制造方法，以所述二胺成分的总含量100摩尔％为基准，所述间联甲苯胺的含量为60摩尔％以上80摩尔％以下，所述对苯二胺的含量为10摩尔％以上25摩尔％以下，所述二氨基二苯醚的含量为10摩尔％以上25摩尔％以下。6.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜的制造方法，所述脱水剂为乙酸酐。7.根据权利要求2所述的聚酰亚胺膜的制造方法，所述酰亚胺化催化剂为选自由异喹啉、β‑甲基吡啶、吡啶、咪唑、2‑咪唑、1,2‑二甲基咪唑、2‑苯基咪唑、苯并咪唑所组成的组中的一种以上。8.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜的制造方法，所述热固化步骤的热固化温度为450～520℃，热固化时间大于3分钟且为6分钟以下。9.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜的制造方法，所述聚酰亚胺膜包含由2个以上的嵌段构成的共聚物。10.一种聚酰亚胺膜，其通过权利要求1～9中任一项所述的制造方法来制造。11.根据权利要求10所述的聚酰亚胺膜，其吸湿率为0.3％以下，介质损耗因数(Df)为0.003以下。12.根据权利要求10所述的聚酰亚胺膜，其透光度为25％以下。13.一种多层膜，其包含权利要求10所述的聚酰亚胺膜和热塑性树脂层。14.一种柔性金属箔层叠板，其包含权利要求10所述的聚酰亚胺膜和导电性金属箔。15.一种电子部件，其包含权利要求14所述的柔性金属箔层叠板。2CN114729136A说明书1/10页低介电聚酰亚胺膜及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及兼具低介电特性、低吸湿特性和低透光特性的聚酰亚胺膜及其制造方法。背景技术[0002]聚酰亚胺(polyimide，PI)是以刚性芳香族主链和化学稳定性十分优异的酰亚胺环为基础而在有机材料中具有最高水平的耐热性、耐试剂性、电绝缘性、耐化学性、耐候性的高分子材料。[0003]特别是，由于出色的绝缘特性、即低介电率之类的优异的电特性而在电气、电子、光学领域等中作为高功能性高分子材料备受瞩目。[0004]近年来，随着电子制品向轻量化、小型化发展，正在积极开发集成度高且具有柔性的薄型电路基板。[0005]这样的薄型电路基板广泛使用在具有优异的耐热性、耐低温性和绝缘特性并且容易弯曲的聚酰亚胺膜上形成有包含金属箔的电路的结构。[0006]作为这样的薄型电路基板，主要使用柔性金属箔层叠板，作为一例，有使用薄铜板作为金属箔的柔性铜箔层叠板(FlexibleCopperCladLaminate，FCCL)。除此以外，也会将聚酰亚胺用作薄型电路基板的保护膜、绝缘膜等。[0007]另一方面，