具有低K间隔件的半导体器件及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115942743A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202210780960.9(22)申请日2022.07.04(30)优先权数据10-2021-01047822021.08.09KR(71)申请人爱思开海力士有限公司地址韩国京畿道(72)发明人黄世罗(74)专利代理机构北京弘权知识产权代理有限公司11363专利代理师王建国许伟群(51)Int.Cl.H10B12/00(2023.01)H01L29/06(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图10页(54)发明名称具有低K间隔件的半导体器件及其制造方法(57)摘要本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：位线结构和储存接触件，该位线结构和储存接触件在衬底之上彼此间隔开；位线间隔件，该位线间隔件形成在位线结构的侧壁上；连接焊盘，该连接焊盘形成在储存接触件之上；含硼覆盖层，该含硼覆盖层设置在位线结构与连接焊盘之间；含硼刻蚀停止层，该含硼刻蚀停止层在含硼覆盖层之上；以及电容器，该电容器包括储存节点，该电容器通过穿过含硼刻蚀停止层而耦接到连接焊盘。CN115942743ACN115942743A权利要求书1/2页1.一种半导体器件，包括：位线结构和储存接触件，所述位线结构和所述储存接触件在衬底之上彼此间隔开；位线间隔件，所述位线间隔件形成在所述位线结构的侧壁上；连接焊盘，所述连接焊盘形成在所述储存接触件之上；含硼覆盖层，所述含硼覆盖层设置在所述位线结构与所述连接焊盘之间；含硼刻蚀停止层，所述含硼刻蚀停止层在所述含硼覆盖层之上；以及电容器，所述电容器通过穿过所述含硼刻蚀停止层而连接到所述连接焊盘，并且包括储存节点。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述含硼覆盖层和所述含硼刻蚀停止层包括氮化硼基材料。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述含硼覆盖层包括第一氮化硼基材料，所述含硼刻蚀停止层包括第二氮化硼基材料，以及所述第一氮化硼基材料相比于所述第二氮化硼基材料而具有更大的硼浓度。4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述含硼覆盖层包括第一SiBN，所述含硼刻蚀停止层包括第二SiBN，以及所述第一SiBN相比于所述第二SiBN而具有更大的硼浓度。5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述位线间隔件包括氧化硅、氮化硅、低k材料或它们的组合。6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述位线间隔件包括SiCO、SiCN、SiOCN、SiBN、SiBCN或它们的组合。7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述位线间隔件包括气隙和电介质间隔件的组合。8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述位线间隔件包括第一SiBN，所述含硼覆盖层包括第二SiBN，以及所述第二SiBN相比于所述第一SiBN而具有更大的硼浓度。9.一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括单元区域和外围电路区域；多个储存接触件，所述多个储存接触件设置在所述单元区域的所述衬底之上；连接焊盘，所述连接焊盘分别形成在所述储存接触件之上；金属互连件，所述金属互连件设置在所述外围电路区域的所述衬底之上；含硼覆盖层，所述含硼覆盖层设置在所述连接焊盘之间；含硼间隔件层，所述含硼间隔件层设置在所述金属互连件之间；以及含碳间隔件层，所述含碳间隔件层在所述含硼间隔件层之上。10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述含硼覆盖层和所述含硼间隔件层包括相同的低k材料。11.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述含硼覆盖层和所述含硼间隔件层包括2CN115942743A权利要求书2/2页SiBN。12.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述含碳间隔件层包括SiCN。13.如权利要求9所述的半导体器件，还包括：多个位线结构，每个位线结构面向所述单元区域的所述衬底之上的所述多个储存接触件中的对应储存接触件和所述连接焊盘中的对应连接焊盘；位线间隔件，所述位线间隔件形成在所述多个位线结构中的每个位线结构的侧壁上；含硼刻蚀停止层，所述含硼刻蚀停止层在所述含硼覆盖层之上；以及电容器，所述电容器通过穿过所述含硼刻蚀停止层而连接到所述连接焊盘中的每个连接焊盘，所述电容器包括储存节点。14.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述含硼覆盖层包括第一SiBN，所述含硼刻蚀停止层包括第二SiBN，以及所述第一SiBN相比于所述第二SiBN而具有更大的硼浓度。15.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述位线间隔件包括气隙和电介质间隔件。16.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述位线间隔件包括第一SiBN，所述含硼覆盖层包括第二SiBN，以及所述第二SiBN相比于所述第一SiBN而具有更大的硼浓度。17.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述位