一种单模光纤及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101598834A
(43)申请公布日2009.12.09

(21)申请号CN200910062855.6

(22)申请日2009.06.26

(71)申请人长飞光纤光缆有限公司
地址430073湖北省武汉市武昌关山二路四号

(72)发明人韩庆荣杨晨李婧罗杰

(74)专利代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司

代理人胡建平

(51)Int.CI
G02B6/036
C23C16/44
C23C16/30
C03B37/018
C03B37/027
C03C25/38

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称
一种单模光纤及其制造方法

(57)摘要
本发明涉及一种单模光纤及其制造
方法，包括有芯层、内包层、下陷包层和

纯SiO
法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1、一种单模光纤，包括有芯层、内包层、下陷包层和纯SiO<Sub>2</Sub>玻璃外
包层，其特征在于在芯层外依次设置内包层和下陷包层，所述的芯层由掺锗和氟的

石英玻璃组成，芯层直径a为8.0～8.8微米，相对折射率差Δ<Sub>1</Sub>为
0.35～0.38％，氟的贡献量Δ<Sub>F</Sub>为-0.09±0.02％；所述的内包层由掺锗和
氟的石英玻璃组成，内包层直径b为18～21微米，相对折射率差Δ<Sub>2</Sub>
为0±0.02％，所述的下陷包层由掺氟的石英玻璃组成，下陷包层直径c为26～36
微米，相对折射率差：在下陷包层外界面的Δ<Sub>32</Sub>为-0.22％至-0.35％，
在下陷包层内界面的Δ<Sub>31</Sub>为-0.20％至-0.35％，且
Δ<Sub>32</Sub>≤Δ<Sub>31</Sub>。

2、按权利要求1所述的单模光纤，其特征在于所述的内包层从内包层外界面至内
界面，掺氟和掺锗逐渐连续增加，呈梯度变化；所述的内包层外界面氟的贡献量
Δ<Sub>F</Sub>为-0.10±0.01％，内包层内界面氟的贡献量Δ<Sub>F</Sub>为-
0.16±0.01％。

<Claim>3、按权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于所述的掺锗和氟石英玻
璃的材料组成为SiO<Sub>2</Sub>-GeO<Sub>2</Sub>-F-Cl；所述的掺氟石英玻璃
的材料组成为SiO<Sub>2</Sub>-F-Cl。

<Claim>4、按权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于所述的外包层直径d为
78-126微米。

<Claim>5、按权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于光纤在1310纳米波长
处的模场直径为8.5～9.3微米，零色散波长为1302～1322nm，光纤在零色散波长
处的色散斜率小于或等于0.090ps/nm<Sup>2</Sup>.km。

<Claim>6、按权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于光纤在1310nm处的衰
减系数小于或等于0.344dB/km，1383nm处的衰减系数小于或等于0.334dB/km，
1550nm处的衰减系数小于或等于0.214dB/km，1625nm处的衰减系数低于
0.224dB/km，在1675nm处的衰减系数小于或等于0.284dB/km。

<Claim>7、按权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于光纤具有小于或等于
1260nm的光缆截止波长；在1625nm波长处，对于围绕10毫米弯曲半径绕1圈弯
曲附加损耗小于或等于0.2dB；对于围绕7.5毫米弯曲半径绕1圈弯曲附加损耗小
于或等于0.5dB；对于围绕5毫米弯曲半径绕1圈弯曲附加损耗小于或等于1.0dB。

8、一种按权利要求1所述单模光纤的制造方法，其特征在于将纯石英玻璃衬管固
定在等离子体增强化学气相沉积车床上进行掺杂沉积，在反应气体四氯化硅和氧气
中，通入含氟的气体，引进氟掺杂，通入四氯化锗以引入锗掺杂，通过微波使衬管
内的反应气体离子化变成等离子体，并最终以玻璃的形式沉积在衬管内壁；根据所
述光纤波导结构的掺杂要求，通过改变混合气体中掺杂气体的流量，依次沉积下陷
包层、内包层和芯层；沉积完成后，用电加热炉将沉积管熔缩成实心芯棒；以合成
的石英玻璃为套管采用RIT工艺制得光纤预制棒，或采用OVD或VAD或APVD
外包沉积工艺在实心芯棒外沉积外包层制得光纤预制棒；将光纤预制棒置于拉丝塔
上拉丝成纤，在光纤表面涂覆内外两层紫外固化的聚丙稀酸树脂即成。

9、按权利要求8所述的单模光纤的制造方法，其特征在于所述的含氟气体为

C<Sub>2</Sub>F<Sub>6</Sub>、CF<Sub>4</Su