常见集成电路芯片的命名方法.doc
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常见集成电路芯片的命名方法.doc
http://www.go-gddq.com/html/c2/default.htm芯片命名方式太多了,一般都是字母+数字+字母前面的字母是芯片厂商或是某个芯片系列的缩写。象MC开始的多半是摩托罗拉的,MAX开始的多半是美信的。中间的数字是功能型号。象MC7805和LM7805,从7805上可以看出它们的功能都是输出5V,只是厂家不一样。后面的字母多半是封装信息,要看厂商提供的资料才能知道具体字母代表什么封装。数字集成电路的分类、特点、使用方法1.74–系列这是早期的产品,现仍在使用,但正逐渐被淘汰.2.
集成电路芯片以及用于形成集成电路芯片的方法.pdf
本申请的各种实施例针对包括前段制程(FEOL)衬底上半导体贯通孔(TSV)的集成电路(IC)芯片以及用于形成该IC芯片的方法。在一些实施例中,半导体层位于衬底上。半导体层可以例如是或包括III‑V族半导体和/或一些其他合适的半导体。半导体器件位于半导体层上,并且FEOL层位于半导体器件上。FEOLTSV在IC芯片的外围处延伸穿过FEOL层和半导体层至衬底。金属间介电(IMD)层位于FEOLTSV和FEOL层上,并且引线和通孔的交替堆叠件位于IMD层中。
国外集成电路命名方法.doc
国外集成电路命名方法国外主要集成电路生产厂家的集成电路命名方法缩写字符:AMD译名:先进微器件公司(美)器件型号举例说明AM29L509PCBAMD首标器件编号封装形式温度范围分类"L":低功耗;D:铜焊双列直插C:商用温度,没有标志的"S":肖特基;(多层陶瓷);(0-70)℃或为标准加工"LS":低功耗肖特基;L:无引线芯片载体:(0-75)℃;产品,标有21:MOS存储器;P:塑料双列直插;M:军用温度,"B"的为已25:中规范(MSI);E:扁平封装(陶瓷扁平);(-55-125)℃;老化产品。2
国外集成电路命名方法.doc
国外集成电路命名方法器件型号举例说明(缩写字符:AMD译名:先进微器件公司(美))AM29L509PCBAMD首标器件编号封装形式温度范围分类"L":低功耗;D:铜焊双列直插C:商用温度,没有标志的"S":肖特基;(多层陶瓷);(0-70)℃或为标准加工"LS":低功耗肖特基;L:无引线芯片载体:(0-75)℃;产品,标有21:MOS存储器;P:塑料双列直插;M:军用温度,"B"的为已25:中规范(MSI);E:扁平封装(陶瓷扁平);(-55-125)℃;老化产品。26:计算机接口;X:管芯;H:商用,2
芯片命名规则.ppt
芯片命名规则注意几种常见的封装之DIP几种常见封装之PLCC几种常见封装之PQFP几种常见封装之SOP本标准适用于按半导体集成电路系列和品种的国家标准所生产的半导体集成电路TTL(三极管-三极管逻辑)集成电路54/74系列芯片命名的基本规则COMS(互补型金属氧化物半导体逻辑)集成电路Maxim(美信集成产品公司)-------芯片命名规则三字母后缀四字母后缀Dallas(达拉斯半导体公司)-----芯片命名规则AnalogDevices(模拟器件公司)-----芯片命名规则TI(德州仪器公司)-----