半导体器件-半导体工艺介绍-薄膜淀积.ppt

半导体工艺简介薄膜淀积（沉积）二种薄膜沉积工艺化学气相沉积装置金属有机化学气相沉积（Metalorganicchemicalvapordeposition）作为有机化合物原料必须满足的条件：
a）在常温左右较稳定，且容易处理。
b）反应生成的副产物不应妨碍晶体生长，不应污染生长层。
c）为了适应气相生长，在室温左右应有适当的蒸气压（≥1Torr）。
原料的优点：
这类化合物在较低的温度即呈气态存在，避免了液态金属蒸发的复杂过程。MOCVD综合评价：
MOCVD设备相对其他设备价格要贵，不光是设备本身贵而且维护费用也贵。
MOCVD设备还是有很多优势的，一是控制极为精密，能生产出高质量的材料；二是便于规模化生产，只要材料研发成功极易转产业化。所以使用MOCVD设备是很多高校和科研单位的首选。存在问题MOCVD设备物理沉积PVD（PhysicalVaporDeposition）物理沉积方法热蒸发技术
(ThermalEvaporationTechnique)热蒸发-几种典型结构挡板电子束蒸发
(E-beamEvaporationTechnique)E-beamEvaporationMachine溅射技术(Sputtering)离子溅射技术物理过程分子束外延经典范例——GaAs薄膜的生长优点