内容提供者
现代半导体器件物理与工艺薄膜淀积.ppt
2024-08-21
10金币
3.4MB
64页
kp****93
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
亲，该文档总共64页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～
相关资料
现代半导体器件物理与工艺薄膜淀积.ppt
薄膜淀积薄膜淀积热氧化生长机制硅热氧化的基本模型薄氧化膜生长介质淀积二氧化硅－淀积法二氧化硅－特性二氧化硅－台阶覆盖二氧化硅－磷硅玻璃回流氮化硅低介电常数材料－LowK650500350250180130100低介电常数材料高介电参数材料－HighK高介电常数材料多晶硅淀积金属化物理气相沉积－PVD化学气相沉积－CVD铝镀膜电迁移铜镀膜嵌入技术使用双层嵌入法作铜导线的工艺顺序化学机械抛光-CMP金属硅化物
2024-08-21
10
3.4MB
半导体器件-半导体工艺介绍-薄膜淀积.ppt
半导体工艺简介薄膜淀积（沉积）二种薄膜沉积工艺化学气相沉积装置金属有机化学气相沉积（Metalorganicchemicalvapordeposition）作为有机化合物原料必须满足的条件：a）在常温左右较稳定，且容易处理。b）反应生成的副产物不应妨碍晶体生长，不应污染生长层。c）为了适应气相生长，在室温左右应有适当的蒸气压（≥1Torr）。原料的优点：这类化合物在较低的温度即呈气态存在，避免了液态金属蒸发的复杂过程。MOCVD综合评价：MOCVD设备相对其他设备价格要贵，不光是设备本身贵而且维护费用也贵
2024-08-17
10
1MB
现代半导体器件物理与工艺.ppt
晶体生长和外延晶体生长与外延CZ法生长单晶硅－起始材料Cz直拉法掺杂物质的分布有效分凝系数悬浮区熔法砷化镓晶体的生长技术－起始材料砷化镓生长工艺布理吉曼法材料特性－晶片切割晶体特性－晶体缺陷材料特性晶体外延外延层的构造和缺陷－晶格匹配及形变层外延外延层缺陷
2024-01-06
10
3.3MB
现代半导体器件物理与工艺.pptx
会计学图形曝光与刻蚀光学图形曝光－洁净室光刻机掩模版抗蚀剂图案转移分辨率增加技术新一代图形曝光技术电子束图形曝光SCALPEL电子束抗蚀剂邻近效应极远紫外光图形曝光（EUV）X射线图形曝光（XRL）离子束图形曝光不同图形曝光方法的比较湿法化学腐蚀（WCE）硅的腐蚀二氧化硅的腐蚀氮化硅与多晶硅的腐蚀铝腐蚀砷化镓的腐蚀干法刻蚀干法刻蚀基本等离子体理论刻蚀机制、等离子体探测与终点的控制等离子体探测终点控制反应等离子体刻蚀技术与设备反应离子刻蚀（RIE）电子回旋共振（ECR）等离子体刻蚀机其他高密度等离子体刻蚀机
2024-09-15
20
3.1MB
现代半导体器件物理与工艺ppt课件.ppt
图形曝光与光刻图形曝光与刻蚀光学图形曝光－洁净室光刻机掩模版抗蚀剂图案转移分辨率增加技术新一代图形曝光技术电子束图形曝光SCALPEL电子束抗蚀剂邻近效应极远紫外光图形曝光（EUV）X射线图形曝光（XRL）离子束图形曝光不同图形曝光方法的比较湿法化学腐蚀（WCE）硅的腐蚀二氧化硅的腐蚀氮化硅与多晶硅的腐蚀铝腐蚀砷化镓的腐蚀干法刻蚀干法刻蚀基本等离子体理论刻蚀机制、等离子体探测与终点的控制等离子体探测终点控制反应等离子体刻蚀技术与设备反应离子刻蚀（RIE）电子回旋共振（ECR）等离子体刻蚀机其他高密度等离子
2024-10-21
10
3.2MB