一种高延展性低轮廓电解铜箔的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112301382A(43)申请公布日2021.02.02(21)申请号202010925800.X(22)申请日2020.09.07(71)申请人浙江大学地址310058浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号(72)发明人刘嘉斌孙玥刘玲玲方攸同(74)专利代理机构杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙)33231代理人李学红(51)Int.Cl.C25D1/04(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称一种高延展性低轮廓电解铜箔的制备方法(57)摘要本发明公开了一种具有高延展性及低轮廓铜箔的制备方法，包括如下步骤：1）明胶粉末溶于水中，搅拌溶解获得明胶溶液；2）对明胶溶液进行微波辐照；3）微波辐照后的明胶溶液与硫酸铜溶液混合，使明胶分子均匀分散在硫酸铜溶液形成铜箔电解液；4）铜箔电解液送入铜箔电解沉积系统制备所述电解铜箔。明胶溶液中明胶的浓度为10mg/L~500mg/L，铜箔电解液中明胶浓度为0.1~10mg/L。本发明制备方法中通过明胶溶液在与硫酸铜溶液混合前经受合适强度范围的微波辐照，显著提高明胶在硫酸铜溶液中以及后续电解沉积铜箔过程中的稳定性，从而发挥其细化晶粒降低铜箔粗糙度并提高延伸率的作用。CN112301382ACN112301382A权利要求书1/1页1.一种高延展性低轮廓铜箔的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）明胶粉末溶于水中，搅拌溶解获得明胶溶液；2）对明胶溶液进行微波辐照；3）微波辐照后的明胶溶液与硫酸铜溶液混合，使明胶分子均匀分散在硫酸铜溶液形成铜箔电解液；4）铜箔电解液送入铜箔电解沉积系统制备所述电解铜箔。2.根据权利要求1所述的一种高延展性低轮廓铜箔的制备方法，其特征在于：所述明胶溶液中明胶的浓度为10mg/L~500mg/L。3.根据权利要求1所述的一种高延展性低轮廓铜箔的制备方法，其特征在于：所述步骤2）通过流量阀将明胶溶液送入一螺旋管，所述螺旋管上下方设置有微波发生器，明胶溶液流经所述螺旋管，同时开启微波发生器，通过调节明胶溶液流速和微波频率及功率控制明胶溶液经受的微波辐照强度。4.根据权利要求3所述的一种高延展性低轮廓铜箔的制备方法，其特征在于：步骤2）所述微波发生器的微波频率为0.5GHz~200GHz，功率为10~1000W；明胶溶液在螺旋管中的流速为0.5L/min~50L/min。5.根据权利要求1所述的一种高延展性低轮廓铜箔的制备方法，其特征在于：所述步骤3）所述硫酸铜溶液包含硫酸根离子、铜离子、氢质子和氯离子，氯离子的浓度为15-30mg/L，铜离子浓度为60-110g/L、硫酸浓度为80-120g/L。6.根据权利要求1所述的一种高延展性低轮廓铜箔的制备方法，其特征在于：步骤3）明胶溶液与硫酸铜溶液的混合体积比，使所得铜箔电解液中明胶浓度为0.1~10mg/L。7.根据权利要求1所述的一种高延展性低轮廓铜箔的制备方法，其特征在于：步骤4）制备电解铜箔的电流密度为45-65A/dm2，温度为50-60℃。2CN112301382A说明书1/5页一种高延展性低轮廓电解铜箔的制备方法技术领域[0001]本发明属于电解铜箔制备技术领域，具体涉及一种高延展性低轮廓铜箔的制备方法。背景技术[0002]铜箔作为线路板中电子与信号传导通道的载体，是PCB制造中重要原料。随高频、高速PCB发展，低粗糙度铜箔应用越发广泛。从损耗理论的影响因素来看，铜箔表面粗糙度影响传输线的导体损耗，粗糙度越大，趋肤效应中的Hammerstad系数越大，导损、总损耗越大。在10GHz下，低轮廓铜箔和标箔的带状传输线的损耗分别为0.548dB/in和0.61dB/in。因此低粗糙度铜箔有利于降低高频高速信号的损耗。[0003]此外对于印刷线路板用电解铜箔来说，往往需要在高温高压下进行加工处理，而铜箔与基体材料由于热膨胀率不同，如果铜箔高温延伸性能较差，受热下会由于内应力而发生剥离或是铜箔的龟裂，使用稳定性难以确保。[0004]电解铜箔在生箔电沉积阶段，电解工艺参数（如铜离子浓度、酸浓度、电流密度、温度等）以及添加剂的加入均会影响生箔的微观组织，从而影响铜箔的使用性能。其中添加剂这一因素由于作用效果突出、多样性较强等优点，在生产中也是最关键的一环，尤其是铜箔表面粗糙度和力学性能，与添加剂关系密切。各研究单位对于添加剂及其使用方法开展了较多研究。[0005]专利（申请号：201510148125.3）公开了一种低翘曲度电解铜箔的生产工艺，包括2+溶铜制液和电解生箔步骤，溶铜制液步骤所得硫酸铜电解液中Cu浓度70g/L-95g/L、H2SO4浓度90g/L-120g/L、羟乙基纤维素3g/L-30g/L、明胶2g/L-3