一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113322072A(43)申请公布日2021.08.31(21)申请号202110708889.9(22)申请日2021.06.25(71)申请人江阴润玛电子材料股份有限公司地址214423江苏省无锡市江阴市周庄镇欧洲工业园区(72)发明人戈烨铭何珂汤晓春(74)专利代理机构江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙)32309代理人苏玲(51)Int.Cl.C09K13/08(2006.01)C09K13/04(2006.01)C09K13/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法(57)摘要本发明涉及一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法，其蚀刻液的原料按重量百分比计算，包括硝酸10%～30%、硫酸10%～20%、金属盐1%~10%、铵盐0.5%‑3%，余量为纯水；依次加入硝酸、纯水、金属盐、铵盐后充分搅拌、混合均匀，再往混合均匀的硝酸、纯水、金属盐、铵盐的混合物中缓慢加入硫酸，充分搅拌混合均匀得到兼容性ITO蚀刻液。本发明的兼容性ITO蚀刻液适用于不同厚度的ITO膜层，且反应温和稳定，蚀刻精度高。针对不同厚度的膜层，只需调整蚀刻时间即可达到蚀刻的目的，无需更换蚀刻液成分以及调整蚀刻液成分含量。CN113322072ACN113322072A权利要求书1/1页1.一种兼容性ITO蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液的原料按重量百分比计算，包括硝酸10%～30%、硫酸10%～20%、金属盐1%~10%、铵盐0.5%‑3%，余量为纯水。2.根据权利要求1所述的兼容性ITO蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液的原料按重量百分比计算，包括硝酸15%、硫酸10%、金属盐5%、铵盐0.5%，余量为纯水。3.根据权利要求1所述的兼容性ITO蚀刻液，其特征在于：所述硝酸为电子级，所述硝酸浓度为71%wt。4.根据权利要求1所述的兼容性ITO蚀刻液，其特征在于：所述硫酸为电子级，所述硫酸浓度为98%wt。5.根据权利要求1所述的兼容性ITO蚀刻液，其特征在于：所述金属盐为硝酸锂、醋酸锂、硝酸钠、醋酸钠、磷酸钠、磷酸钾、醋酸钾中的任意一种或多种。6.根据权利要求1所述的兼容性ITO蚀刻液，其特征在于：所述铵盐为氟化铵、氟化氢铵、氯化铵、氟化氢铵中至少一种。7.根据权利要求5所述的兼容性ITO蚀刻液，其特征在于：所述金属盐为醋酸钠。8.根据权利要求6所述的兼容性ITO蚀刻液，其特征在于：所述铵盐为氟化铵。9.一种权利要求1‑8任一所述的兼容性ITO蚀刻液的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将硝酸、硫酸、金属盐、铵盐按重量百分比分别为10%～30%、10%～20%、1%~10%、0.5%‑3%，其余为纯水的配比称重配置；（2）在配料罐中依次加入硝酸、纯水、金属盐、铵盐，充分搅拌，混合均匀；（3）往混合均匀的硝酸、纯水、金属盐、铵盐的混合物中缓慢加入硫酸，充分搅拌，混合均匀得到所述兼容性ITO蚀刻液。10.根据权利要求9所述的兼容性ITO蚀刻液的制备方法，其特征在于：所述搅拌为机械搅拌或磁力搅拌，所述搅拌是在常温常压下进行，搅拌速度为50~100r/min。2CN113322072A说明书1/4页一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法技术领域[0001]本发明属于蚀刻液技术领域，具体涉及一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法。背景技术[0002]氧化铟锡（ITO）导电膜是在钠钙基或硅硼玻璃上，利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡膜加工制作成的。ITO导电膜具有低电阻率、高可见光透过率、高红外反射、对衬底具有优异的附着性、抗擦伤等性能而广泛应用于面板显示行业。为制备出所需要的电极图形，通常需要对ITO导电膜进行湿法蚀刻。现有行业用作面板过程中ITO蚀刻液通常采用盐酸/硝酸混合水溶液、盐酸/三氯化铁水溶液、碘酸水溶液、磷酸水溶液等，这些蚀刻液腐蚀能力强，在蚀刻过程中，往往难以控制蚀刻角度和蚀刻时间，难以控制蚀刻精度。[0003]中国专利CN201210206045.5公开了一种新型王水系ITO蚀刻液及制备方法，该ITO蚀刻液包括盐酸、硝酸、纯水和添加剂，其中添加剂包含硝酸盐化合物、氯基化合物及表面活性剂，其蚀刻液腐蚀能力强，在蚀刻过程中，往往难以控制蚀刻角度和蚀刻时间，不适用厚度较小的ITO膜层，且该蚀刻液的制备工艺较为复杂。[0004]中国专利CN201510832036.0公开了一种高世代平板用ITO蚀刻液，其组分按重量百分比计包括：416%的硫酸、722%的硝~~酸、0.1~10%的醋酸、0.01~5%的添加剂、余量的水，采用硫酸/硝酸/醋酸三酸系的ITO蚀刻体系，其所用酸的含量都较高，蚀刻反应剧烈，难以控制蚀刻精度，不适用于厚度较小的ITO膜层