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量子点、其制造方法及包括该量子点的复合物和显示装置.pdf
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量子点、其制造方法及包括该量子点的复合物和显示装置.pdf
公开了一种量子点、其制造方法以及包括其的量子点复合物和装置，其中，量子点包括包含铟(In)、镓、锌(Zn)、磷(P)和硫(S)的合金半导体纳米晶体，在量子点中，镓相对于铟的摩尔比(Ga:In)大于或等于约0.2:1，磷相对于铟的摩尔比(P:In)大于或等于约0.95:1，量子点不包括镉，在量子点的UV‑Vis吸收光谱中，第一吸收峰存在于小于或等于约520nm的范围内。
2023-08-04
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本发明涉及量子点、其制造方法、量子点?聚合物复合物和包括其电子装置。量子点具有钙钛矿晶体结构和包括由化学式1表示的化合物,其中,A为选自Rb、Cs、Fr、及其组合的IA族金属,B为选自Si、Ge、Sn、Pb、及其组合的IVA族金属,X为选自F、Cl、Br、和I的卤素、BF<base:Sub>4</base:Sub><base:Sup>?</base:Sup>、或其组合,和α大于0且小于或等于约3;和其中所述量子点具有约1纳米?约50纳米的尺寸。化学式1ABX<base:Sub>3+α</base:Sub>
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量子点复合物及包括该量子点复合物的滤色器和显示装置.pdf
提供了一种量子点复合物、包括该量子点复合物的滤色器和显示装置以及量子点组合物，所述量子点复合物包括：基质；以及多个量子点，分散在基质中，其中，多个量子点包括包含铟和磷的半导体纳米晶体核以及设置在半导体纳米晶体核上的半导体纳米晶体壳，并且半导体纳米晶体壳包括锌、硒和硫。多个量子点的算术尺寸大于或等于约8nm，其中，量子点复合物被构造为发射红光，并且其中，当量子点复合物用约450nm至约470nm的波长的光照射小于或等于约500小时的时间段时，量子点复合物的亮度增加小于或等于量子点复合物的初始亮度的约1.2％
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公开了一种量子点、包括该量子点的量子点聚合物复合物和显示装置，其中，量子点包括：模板，包括第一半导体纳米晶体；量子阱(例如，量子阱层)，设置在模板上；以及壳，设置在量子阱上，壳包括第二半导体纳米晶体，并且其中，量子点不包括镉，其中，第一半导体纳米晶体包括第一锌硫属化物，其中，第二半导体纳米晶体包括第二锌硫属化物，并且量子阱层包括包含铟(In)、磷(P)、锌(Zn)和硫属元素的合金半导体纳米晶体，其中，合金半导体纳米晶体的带隙能比第一半导体纳米晶体的带隙能小，且比第二半导体纳米晶体的带隙能小。
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量子点、包括其的量子点群、显示器件、量子点复合物和量子点组合物.pdf
本发明涉及量子点、包括其的量子点群、显示器件、量子点复合物和量子点组合物。无镉量子点或其群或包括其的器件，其中所述无镉量子点包括如下并且呈现出约60％或更高的量子效率：芯(或半导体纳米晶体颗粒)，其包括第一半导体纳米晶体，所述第一半导体纳米晶体包括IIB‑VI族化合物；和设置在所述芯(或所述半导体纳米晶体颗粒)上的壳(或包覆层)，其包括IIB‑V族化合物。
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