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量子点、其制造方法、量子点-聚合物复合物和包括其的电子装置.pdf
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黛娥****ak
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量子点、其制造方法、量子点-聚合物复合物和包括其的电子装置.pdf
本发明涉及量子点、其制造方法、量子点?聚合物复合物和包括其电子装置。量子点具有钙钛矿晶体结构和包括由化学式1表示的化合物,其中,A为选自Rb、Cs、Fr、及其组合的IA族金属,B为选自Si、Ge、Sn、Pb、及其组合的IVA族金属,X为选自F、Cl、Br、和I的卤素、BF<base:Sub>4</base:Sub><base:Sup>?</base:Sup>、或其组合,和α大于0且小于或等于约3;和其中所述量子点具有约1纳米?约50纳米的尺寸。化学式1ABX<base:Sub>3+α</base:Sub>
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公开了一种量子点、其制造方法以及包括其的量子点复合物和装置，其中，量子点包括包含铟(In)、镓、锌(Zn)、磷(P)和硫(S)的合金半导体纳米晶体，在量子点中，镓相对于铟的摩尔比(Ga:In)大于或等于约0.2:1，磷相对于铟的摩尔比(P:In)大于或等于约0.95:1，量子点不包括镉，在量子点的UV‑Vis吸收光谱中，第一吸收峰存在于小于或等于约520nm的范围内。
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本发明涉及量子点、包括其的量子点群、显示器件、量子点复合物和量子点组合物。无镉量子点或其群或包括其的器件，其中所述无镉量子点包括如下并且呈现出约60％或更高的量子效率：芯(或半导体纳米晶体颗粒)，其包括第一半导体纳米晶体，所述第一半导体纳米晶体包括IIB‑VI族化合物；和设置在所述芯(或所述半导体纳米晶体颗粒)上的壳(或包覆层)，其包括IIB‑V族化合物。
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公开了一种量子点‑聚合物复合物图案、制造方法和包括该量子点‑聚合物复合物图案的显示装置，该量子点‑聚合物复合物图案包括被构造为发射预定波长的光的至少一个重复部分。量子点‑聚合物复合物包括聚合物基质和分散在聚合物基质中的多个无镉量子点，聚合物基质包括包含含羧基的重复单元的线性聚合物，量子点‑聚合物复合物对大约450nm波长的光具有大于或等于大约85％的光吸收率，并且在傅里叶变换红外光谱中具有大于或等于大约2.6的羟基峰相对于丙烯酸酯峰的面积比。
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公开了一种量子点、包括该量子点的量子点聚合物复合物和显示装置，其中，量子点包括：模板，包括第一半导体纳米晶体；量子阱(例如，量子阱层)，设置在模板上；以及壳，设置在量子阱上，壳包括第二半导体纳米晶体，并且其中，量子点不包括镉，其中，第一半导体纳米晶体包括第一锌硫属化物，其中，第二半导体纳米晶体包括第二锌硫属化物，并且量子阱层包括包含铟(In)、磷(P)、锌(Zn)和硫属元素的合金半导体纳米晶体，其中，合金半导体纳米晶体的带隙能比第一半导体纳米晶体的带隙能小，且比第二半导体纳米晶体的带隙能小。
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