量子点、包括其的量子点群、显示器件、量子点复合物和量子点组合物.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114381268A(43)申请公布日2022.04.22(21)申请号202111208677.0B82Y20/00(2011.01)(22)申请日2021.10.18H01L51/50(2006.01)(30)优先权数据10-2020-01347052020.10.16KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人金善英金龙郁权秀暻金智荣黄成宇(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人金拟粲(51)Int.Cl.C09K11/88(2006.01)C09K11/02(2006.01)B82Y30/00(2011.01)权利要求书2页说明书38页附图12页(54)发明名称量子点、包括其的量子点群、显示器件、量子点复合物和量子点组合物(57)摘要本发明涉及量子点、包括其的量子点群、显示器件、量子点复合物和量子点组合物。无镉量子点或其群或包括其的器件，其中所述无镉量子点包括如下并且呈现出约60％或更高的量子效率：芯(或半导体纳米晶体颗粒)，其包括第一半导体纳米晶体，所述第一半导体纳米晶体包括IIB‑VI族化合物；和设置在所述芯(或所述半导体纳米晶体颗粒)上的壳(或包覆层)，其包括IIB‑V族化合物。CN114381268ACN114381268A权利要求书1/2页1.量子点，包括：包括第一半导体纳米晶体的芯；和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，其中所述第一半导体纳米晶体包括IIB‑VI族化合物并且所述半导体纳米晶体壳包括IIB‑V族化合物，所述量子点不包括镉，和所述量子点的量子效率大于或等于60％。2.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点配置成通过激发而发射光，并且由所述量子点发射的光的最大发光峰波长存在于大于或等于480纳米且小于或等于580纳米的范围内。3.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点包括锌、碲、硒、和任选地硫。4.如权利要求3所述的量子点，其中在所述量子点中，碲相对于硒的摩尔比大于或等于0.1:1。5.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点包括锌，并且在所述量子点中，锌相对于VI族元素的总和的摩尔比大于或等于1.35:1。6.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点包括硒，并且在所述量子点，V族元素相对于硒的摩尔比大于或等于1.3:1。7.如权利要求1所述的量子点，其中所述半导体纳米晶体壳包括锌和V族元素，并且所述V族元素包括氮、磷、砷、锑、铋、或其组合。8.如权利要求1所述的量子点，其中在所述量子点中，V族元素相对于IIB族金属的摩尔比大于或等于0.1:1。9.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点包括碲，并且在所述量子点中，V族元素相对于碲的摩尔比大于或等于0.15:1。10.如权利要求1所述的量子点，其中所述半导体纳米晶体壳包括第一层和设置在所述第一层上的第二层，所述第一层包括IIB‑VI族化合物的纳米晶体，且所述第二层包括IIB‑V族化合物。11.如权利要求10所述的量子点，其中，通过透射电子显微镜测定，所述第二层的结晶度低于所述第一层。12.如权利要求10所述的量子点，其中所述第二层为所述量子点的最外层。13.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点的最大发光峰具有小于或等于40纳米的半宽度。14.量子点，包括包括IIB‑VI族化合物的半导体纳米晶体颗粒；和设置在所述半导体纳米晶体颗粒上的包覆层，其中所述量子点不包括镉，所述包覆层包括具有通过透射电子显微镜测定的比所述半导体纳米晶体颗粒低的结晶度的材料，所述材料包括IIB‑V族化合物，2CN114381268A权利要求书2/2页所述量子点配置成在通过激发光激发之后发射光，由所述量子点发射的光的波长比所述激发光的波长短。15.如权利要求14所述的量子点，其中所述半导体纳米晶体颗粒包括包括锌、碲、和硒的第一半导体纳米晶体层，以及设置在所述第一半导体纳米晶体层上并且包括锌、硒、和任选地硫的第二半导体纳米晶体层。16.如权利要求15所述的量子点，其中所述第一半导体纳米晶体中的碲的量大于所述第二半导体纳米晶体中的碲的量。17.如权利要求14所述的量子点，其中由所述量子点发射的光的最大发光峰大于或等于480纳米且小于或等于580纳米，和所述量子点的量子效率大于或等于65％。18.量子点群，包括多个如权利要求1‑17任一项所述的量子点，其中所述量子点的平均尺寸大于或等于7纳米。19.显示器件，包括发光元件，其中所述发光元件包括多个如权利要求1‑17任一项所述的量子点。20.量子点复合物，包括：基体；和分散在所述基体中的多个如权利要求1‑17任一项所述的量子点。21.量子点组合物，包括：如权利要求1‑17任一项所述的量子点；有机溶剂、液体媒介物、或其组合