量子点复合物及包括该量子点复合物的滤色器和显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113736446A(43)申请公布日2021.12.03(21)申请号202110586871.6(22)申请日2021.05.27(30)优先权数据10-2020-00639262020.05.27KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道水原市(72)发明人朴相铉金泰坤田信爱(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司11286代理人韩芳刘灿强(51)Int.Cl.C09K11/02(2006.01)C09K11/88(2006.01)G02B1/02(2006.01)权利要求书2页说明书34页附图6页(54)发明名称量子点复合物及包括该量子点复合物的滤色器和显示装置(57)摘要提供了一种量子点复合物、包括该量子点复合物的滤色器和显示装置以及量子点组合物，所述量子点复合物包括：基质；以及多个量子点，分散在基质中，其中，多个量子点包括包含铟和磷的半导体纳米晶体核以及设置在半导体纳米晶体核上的半导体纳米晶体壳，并且半导体纳米晶体壳包括锌、硒和硫。多个量子点的算术尺寸大于或等于约8nm，其中，量子点复合物被构造为发射红光，并且其中，当量子点复合物用约450nm至约470nm的波长的光照射小于或等于约500小时的时间段时，量子点复合物的亮度增加小于或等于量子点复合物的初始亮度的约1.2％。CN113736446ACN113736446A权利要求书1/2页1.一种量子点复合物，所述量子点复合物包括：基质；以及多个量子点，分散在所述基质中，其中，所述多个量子点包括包含铟和磷的半导体纳米晶体核以及设置在所述半导体纳米晶体核上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳包括锌、硒和硫，其中，所述多个量子点的算术尺寸大于或等于8nm，其中，所述量子点复合物被构造为发射红光，其中，当所述量子点复合物用450纳米至470纳米的波长的光照射小于或等于500小时的时间段时，所述量子点复合物的亮度增大小于或等于所述量子点复合物的初始亮度的1.2％。2.根据权利要求1所述的量子点复合物，其中，当所述量子点复合物用450纳米至470纳米的波长的光照射100小时时，所述量子点复合物呈现出亮度降低间隔。3.根据权利要求1所述的量子点复合物，其中，所述量子点复合物发射红光，所述红光具有在大于或等于600纳米至小于或等于650纳米的范围内的最大峰值波长。4.根据权利要求1所述的量子点复合物，其中，所述多个量子点的所述算术尺寸大于8.5纳米。5.根据权利要求1所述的量子点复合物，其中，所述多个量子点包括具有第一算术尺寸的第一量子点群，并且所述第一算术尺寸大于所述多个量子点的所述算术尺寸，并且所述多个量子点中的所述第一量子点群的分数大于或等于百分之60。6.根据权利要求5所述的量子点复合物，其中，所述第一算术尺寸大于或等于8.5纳米。7.根据权利要求5所述的量子点复合物，其中，所述多个量子点中的所述第一量子点群的分数大于或等于百分之70。8.根据权利要求1所述的量子点复合物，其中，所述多个量子点包括具有第二算术尺寸的第二量子点群，并且所述第二算术尺寸小于或等于7.2纳米，并且所述多个量子点中的所述第二量子点群的分数小于或等于百分之18。9.根据权利要求1所述的量子点复合物，其中，所述半导体纳米晶体核的尺寸大于3纳米。10.根据权利要求1所述的量子点复合物，其中，所述半导体纳米晶体壳包括：第一层，包括包含锌和硒的第一半导体纳米晶体；以及第二层，设置在所述第一层上，所述第二层包括包含锌、硫和可选的硒的第二半导体纳米晶体，其中，所述第一半导体纳米晶体的组成与所述第二半导体纳米晶体的组成不同。11.根据权利要求10所述的量子点复合物，其中，所述第一层具有大于或等于1.5纳米的厚度；所述第二层具有小于或等于0.7纳米的厚度；或者所述第一层具有大于或等于1.5纳米的厚度，并且所述第二层具有小于或等于0.7纳米的厚度。12.根据权利要求1所述的量子点复合物，其中，在所述多个量子点中，锌相对于铟的摩尔比大于或等于13:1，并且硫相对于硒的摩尔比小于或等于0.6:1。13.根据权利要求1所述的量子点复合物，其中，在所述多个量子点中，锌相对于硫和硒的总和的摩尔比小于或等于1.1:1，并且硫相对于硒的摩尔比小于或等于0.5:1。2CN113736446A权利要求书2/2页14.根据权利要求1所述的量子点复合物，其中，所述多个量子点包括具有第一算术尺寸的第一量子点群和具有第二算术尺寸的第二量子点群，并且所述第一算术尺寸大于所述多个量子点的所述算术尺寸，并且所述第二算术尺寸小于或等于7.2nm，并且在所述多个量子点中，所述第一量子点群的分数大于60％，并且所述第二量子点群的分数小于或等于10％。15.一种滤