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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113744928A(43)申请公布日2021.12.03(21)申请号202110913026.5(22)申请日2021.08.10(71)申请人厦门大学地址361000福建省厦门市思明南路422号申请人嘉庚创新实验室(72)发明人吴炳辉王利静郑南峰(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256代理人王锋(51)Int.Cl.H01B13/00(2006.01)H01B5/14(2006.01)H01B1/02(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图4页(54)发明名称一种抗氧化透明导电膜及其制备方法和应用(57)摘要本发明提出了一种抗氧化透明导电膜及其制备方法和应用,该方法包括以下步骤:制备含高长径比的抗氧化铜纳米线的抗氧化透明导电膜涂布液,在基底上涂布抗氧化透明导电膜涂布液,或将涂布液均匀分散在水性或油性滤膜上,待溶剂抽滤干后,转印至基底上,从而形成透明导电膜前体1;将透明导电膜前体1在惰性气氛下烧结,得到透明导电膜前体2;将透明导铜膜前体2置于含巯基或二硫键的化合物中处理,得到抗氧化透明导电膜。本发明制备得到的抗氧化透明导电膜具有高导电性,且能与柔性或刚性基底之间形成良好的附着力,制备的柔性透明导电膜具有较好的耐弯折能力,并且在空气中能够长时间保持不被氧化,具有优异的稳定性。CN113744928ACN113744928A权利要求书1/2页1.一种抗氧化透明导电膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:制备抗氧化透明导电膜涂布液,将抗氧化铜纳米线、极性溶剂、非极性溶剂、粘合剂、表面活性剂、添加剂进行超声分散混合均匀,经过脱泡处理,得到抗氧化透明导电膜涂布液,所述抗氧化铜纳米线为至少含有甲酸根修饰的铜纳米线;所述抗氧化透明导电膜涂布液包括0.0001~30wt%抗氧化铜纳米线、50~98wt%极性溶剂、0~20wt%非极性溶剂、0~5wt%粘合剂、0~2wt%表面活性剂、0~3wt%添加剂;S2:将抗氧化透明导电膜涂布液涂覆于基底上,或将抗氧化透明导电膜涂布液均匀分散在水性或油性滤膜上,抽滤到一定程度后,转印至基底上,在惰性气氛80~150℃下,干燥、预固化1~10min,得到透明导电膜前体1;S3:将透明导电膜前体1在惰性气氛151~300℃下,固化0.1~30min,得到透明导电膜前体2;S4:将透明导电膜前体2置于含巯基或二硫键的化合物中处理1~600s,得到抗氧化透明导电膜。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述抗氧化透明导电膜的铜纳米线表面至少含有甲酸根和巯基共同修饰。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述抗氧化铜纳米线的直径小于100nm,长度大于10μm,长径比大于等于300。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,极性溶剂包括第一类极性溶剂与第二类极性溶剂,所述第一类极性溶剂选自水、甲醇、乙醇、丙酮、异丙醇、正丁醇、乙二醇、丙三醇、四氢呋喃、二乙醚二氧杂环己烷、甲酸甲酯、乙酸乙酯、丙二醇甲醚醋酸酯、二乙二醇单乙基醚醋酸酯、氯仿、甲苯、二甲苯中的一种或多种;所述第二类极性溶剂为醇胺类溶剂,选自异丙醇胺、异丁醇胺、乙醇胺、三乙醇胺和二甲基乙醇胺中的一种或多种;所述非极性溶剂为石油醚、二乙醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇丁醚、正丁醚、二苯醚、正己烷、环己烷、二氯甲烷、四氯甲烷中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,粘合剂选自乙基纤维素、聚丙烯酸类树脂、氟碳树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、松香类树脂、不饱和聚酯类树脂、有机硅树脂、酚醛树脂、聚氨酯、环氧树脂中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,表面活性剂选自聚乙烯吡咯烷酮、油胺、十二烷基硫酸钠、脂肪酸聚氧乙烯酯、烷基聚氧乙烯醚、烷基芳基聚氧乙烯醚、聚乙二醇中的一种或多种。7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,添加剂选自流平剂、润湿剂、分散剂、触变剂中的一种或多种。8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中,含巯基的化合物选自巯基甲醇、巯基乙醇、巯基乙胺、二巯基丙醇、3‑巯基‑1‑丙胺、1,8‑辛二硫醇、1,4‑丁二硫醇、2‑氨基‑5‑巯基‑1,3,4‑噻二唑、3‑氨基‑5‑巯基‑1,2,4‑三氮唑、正十二烷基硫醇、十二硫醇、十八硫醇、二巯基丙醇、二巯基丁二酸钠、二巯基丙磺酸钠中的至少一种;含二硫键的化合物选自二苯二硫、二甲基二硫、2,2’‑二硫代二乙醇、3,3’‑二硫代二丙醇、二硫化四甲基秋兰姆中的至少一种。9.一种抗氧化透明导电膜,其特征在于,由权利要求1‑8任一项制备方法所制得;其中,2CN