多晶硅片检测标准.doc
kp****93
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
多晶硅片检测标准.doc
多晶硅片技术标准1范围1.1本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。2规范性引用文件2.1GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法2.2GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法2.3ASTMF1535HYPERLINK"http://www.stdwx.org/wxbz/bzmlxs.asp?name=388960"\t"_blank"用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的试验方法3术语和定义3.1TV
多晶硅片的加工方法.pdf
本发明公开了一种多晶硅片的加工方法,按以下步骤进行:S1、经过铸锭、开方、研磨加工后得到晶棒;S2、粘棒;S3、装料:将载有晶棒的晶托固定在金刚线切片机的切割室内的升降台上,切割室内平行设置有两个导线轮,两导线轮上缠绕有金刚线,升降台上具有沿导线轮轴线方向延伸的T型定位滑槽,晶托上具有适于与T型定位滑槽相配合的T型定位滑块,T型定位滑块与T型定位滑槽插接配合到位后将T型定位滑块在T型定位滑槽内锁定从而完成晶托的固定;S4、切片;S5、卸料及脱胶;S6、检验及包装;本发明中的步骤S2中对晶托锁定的可靠性高,
硅片表面长多晶的方法.pdf
本发明公开了一种硅片表面长多晶的方法,其包括如下步骤:a)、将硅片放置于晶舟上,所述晶舟上设置有多个容置槽,所述多个容置槽之间的间距为2.5‑3.5mm;b)、将放置有硅片的晶舟放入长晶炉内长多晶。本发明中的硅片表面长多晶的方法,将容置槽之间的间距调整为2.5mm‑3.5mm,增加了产能,可将产能提升40%。容置槽的槽壁表面粗糙度设置为为Ra:降低了崩边不良率,可由原有不良率5%降低为1%以下。
多晶硅片生产工艺.pdf
本发明涉及多晶硅片生产工艺技术领域,特别是一种多晶硅片生产工艺,包括以下步骤,(1)选料,选择纯度好的工业硅;(2)硅锭凝固,将选好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭;(3)去除杂质,去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分;(4)硅锭二次凝固,进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭;(5)二次去杂,去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分;(6)多晶硅生成,在电子束溶解炉中去除磷和碳杂质,生成多晶硅;(7)切片,将生产的多晶硅切片形成多晶硅片。采用上述工艺后,本发明极大的去除了多晶硅中的杂质;另外,在去
一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法.pdf
一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法,包括以下步骤配制原料,将原料装入到坩埚送入铸锭炉内;进行加热过程;进行融化过程;进行长晶过程;进行退火过程;进行冷却过程,冷却后打开铸锭炉得到铸锭多晶。本发明解决了多晶硅片晶粒变大和位错增加及少子不均匀和偏低的问题,具有整锭转换效率高、生产成本低的特点。