一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105671634A(43)申请公布日2016.06.15(21)申请号201610213980.2(22)申请日2016.04.08(71)申请人江西旭阳雷迪高科技股份有限公司地址332000江西省九江市经济开发区出口加工区外锦绣大道(72)发明人杨平张泽兴黄林洪炳华张小东张珩琨许桢冯子甜(74)专利代理机构南昌新天下专利商标代理有限公司36115代理人谢德珍(51)Int.Cl.C30B28/06(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书3页说明书10页(54)发明名称一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法(57)摘要一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法，包括以下步骤配制原料，将原料装入到坩埚送入铸锭炉内；进行加热过程；进行融化过程；进行长晶过程；进行退火过程；进行冷却过程，冷却后打开铸锭炉得到铸锭多晶。本发明解决了多晶硅片晶粒变大和位错增加及少子不均匀和偏低的问题，具有整锭转换效率高、生产成本低的特点。CN105671634ACN105671634A权利要求书1/3页1.一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法，包括以下步骤：（1）配制原料，将原料装入到坩埚送入铸锭炉内；（2）进行加热过程；（3）进行融化过程；（4）进行长晶过程；（5）进行退火过程；（6）进行冷却过程，冷却后打开铸锭炉得到铸锭多晶；其特征在于：1）所述步骤（1）原料配制重量比为：原生多晶50%-65%，单多晶循环料25%-35%，单多晶碎片3%-5%，提纯方棒3%-10%，所述原生多晶包括大于6N的一级原生多晶、二三级原生多晶、原生多晶颗粒料，单多晶循环料包括硅锭的头料、尾料、边皮、尾料、头料，单多晶碎片包括切割碎片和电池碎片；2）所述步骤（2）加热过程包括以下9个步骤：第1步：加热时间为10～15min，加热功率设定值为5—15%，真空度为0.02～0.006mbar；第2步：加热时间为10～40min，加热功率设定值为15—45%，真空度为0.02～0.006mbar；第3步：加热时间为10～35min，加热功率设定值为30—50%，炉子压力设定在100--300mbar；第4步：加热时间为10～35min，加热功率设定值为40—65%，炉子压力设定在200--400mbar；第5步：加热时间为10～35min，加热功率设定值为50—70%，炉子压力设定在300--600mbar；第6步：加热时间为10～35min，加热功率设定值为60—75%，炉子压力设定在400--600mbar；第7步：加热时间为10～35min，加热功率设定值为60—78%，炉子压力设定在400--600mbar；第8步：加热时间为10～35min，加热功率设定值为60—80%，炉子压力设定在400--600mbar；第9步：加热时间为300～1000min，加热功率设定值为60—85%，炉子压力设定在400--600mbar；3）所述步骤（3）熔化过程包括以下8个步骤：第1步：加热时间为10～80min，加热温度为1500～1540℃，铸锭炉腔内压力设定值为400～600mbar，上隔笼开启高度保持1～5cm；第2步：加热时间为10～50min，加热温度为1500～1540℃，铸锭炉腔内压力为400～600mbar，上隔笼开启高度保持2～8cm；第3步：加热时间为10～50min，加热温度为1500～1540℃，铸锭炉腔内压力400～600mbar，上隔笼开启高度保持3～8cm；第4步：加热时间为10～100min，加热温度为1500～1550℃，铸锭炉腔内压力为400～600mbar，上隔笼开启高度保持3～8cm；第5步：加热时间为90～360min，加热温度为1520～1550℃，铸锭炉腔内压力为400～2CN105671634A权利要求书2/3页600mbar，上隔笼开启高度保持3～8cm；第6步：加热时间为240～600min，加热温度为1520～1550℃，铸锭炉腔内压力为400～600mbar，上隔笼开启高度保持3～8cm；第7步：加热时间为10～60min，加热温度为1460～1540℃，铸锭炉腔内压力为400～600mbar，上隔笼开启高度为4～8cm；第8步：加热时间为10～50min，加热温度为1400～1460℃，铸锭炉腔内压力为400～600mbar，隔热笼开启高度保持4～8cm；4）所述步骤（4）长晶过程包括以下6个步骤：第1步：加热时间为10～60min，加热温度为1410～1435℃，通氩气，铸锭炉腔内压力为400～600mbar，隔热笼开启高度保持5～10cm；第2步：加热时间为100～180min，加热温度为14