一种芯片结构及其加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113611688A(43)申请公布日2021.11.05(21)申请号202110887421.0(22)申请日2021.08.03(71)申请人东莞记忆存储科技有限公司地址523000广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区工业东路32号(72)发明人林建涛喻志刚(74)专利代理机构深圳市精英专利事务所44242代理人曹祥波(51)Int.Cl.H01L23/552(2006.01)H01L21/48(2006.01)H01L21/50(2006.01)H01L21/54(2006.01)H01L23/498(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种芯片结构及其加工方法(57)摘要本发明涉及具有电磁屏蔽功能的芯片封装技术领域，尤其是指一种芯片结构及其加工方法，该芯片结构，包括封装基板，及设于所述封装基板上表面的若干个SMT表面元器件和若干个晶圆件；所述封装基板的上表面还设有共形屏蔽接地垫和若干个分区屏蔽接地垫；所述封装基板的上表面还设有封胶层，所述封胶层对应于所述共形屏蔽接地垫的位置设有切割道孔，所述封胶层对应于所述分区屏蔽接地垫的位置设有分区屏蔽孔，所述切割道孔、分区屏蔽孔及封胶层的上表面均设有金属胶片层。本发明投入成本低，工艺流程简单，可导入大批量生产，达到降低成本、提升效率的目的。CN113611688ACN113611688A权利要求书1/1页1.一种芯片结构，其特征在于，包括封装基板，及设于所述封装基板上表面的若干个SMT表面元器件和若干个晶圆件；所述封装基板的上表面还设有共形屏蔽接地垫和若干个分区屏蔽接地垫；所述封装基板的上表面还设有封胶层，所述封胶层对应于所述共形屏蔽接地垫的位置设有切割道孔，所述封胶层对应于所述分区屏蔽接地垫的位置设有分区屏蔽孔，所述切割道孔、分区屏蔽孔及封胶层的上表面均设有金属胶片层。2.根据权利要求1所述的一种芯片结构，其特征在于，所述SMT表面元器件和晶圆件粘接于所述封装基板的上表面。3.根据权利要求2所述的一种芯片结构，其特征在于，所述晶圆件通过非导电胶与所述封装基板的上表面粘接。4.根据权利要求1所述的一种芯片结构，其特征在于，所述晶圆件与所述封装基板的上表面之间还设有金线。5.根据权利要求1所述的一种芯片结构，其特征在于，所述封装基板的下表面还设有若干个锡球。6.一种芯片结构的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：制作封装基板，并在封装基板的上表面制作共形屏蔽接地垫和分区屏蔽接地垫；将SMT表面元器件贴装于封装基板的上表面，将晶圆件粘贴于封装基板的上表面，然后在晶圆件与封装基板的上表面之间焊接金线；对封装基板的上表面进行整体封胶，以得到封胶层；根据共形屏蔽接地垫和分区屏蔽接地垫的位置，对封胶层进行半切，以得到切割道孔和分区屏蔽孔；对切割道孔、分区屏蔽孔及封胶层的上表面进行金属胶片填充覆盖；对填充覆盖后的封装基板进行胶体烘烤固化；在封装基板的下表面植入锡球，然后切成若干个单粒，以完成加工。7.根据权利要求6所述的一种芯片结构的加工方法，其特征在于，所述封装基板的厚度为0.1mm‑0.5mm。8.根据权利要求6所述的一种芯片结构的加工方法，其特征在于，所述封胶层的厚度为0.3mm‑2mm。9.根据权利要求6所述的一种芯片结构的加工方法，其特征在于，所述封胶层上表面覆盖的金属胶片厚度为40μm‑60μm。10.根据权利要求6所述的一种芯片结构的加工方法，其特征在于，所述切割道孔和分区屏蔽孔的宽度为0.2mm‑0.5mm。2CN113611688A说明书1/4页一种芯片结构及其加工方法技术领域[0001]本发明涉及具有电磁屏蔽功能的芯片封装技术领域，尤其是指一种芯片结构及其加工方法。背景技术[0002]当前共形屏蔽加工方法为：在封装基板完成表面元件贴装、晶圆粘贴、焊线、封胶、植球等封装工序后，产品切成单颗后取放到溅镀载具上，溅镀设备采用真空溅镀技术，利用电浆对靶材进行离子轰击，将靶材表面的离子撞击出来，这些靶材原子以气体分子形式发射出来，到达沉积的基板上，经过附着，吸附，表面迁移，成核等过程后在半导体器件上形成一层金属层，即共形屏蔽层。[0003]当前分区屏蔽加工方法：在封装基板完成表面元件贴装、晶圆粘贴、焊线、封胶、植球等封装工序后，在产品不同分区屏蔽位置进行镭射半切露出接地垫，再对半切位置进行金属填孔，固化后形成分区屏蔽层。[0004]但是，现有产品需要切单颗，真空金属溅镀流程复杂，设备投入费用极高，且共形屏蔽和分区屏蔽需分步进行，设备投入成本高、效率低，无法满足需求。发明内容[0005]本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种芯片结构及其加工方法。[0006]为了解决上述技术问题