一种适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构及其加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109509760A(43)申请公布日2019.03.22(21)申请号201811111578.9(22)申请日2018.09.24(71)申请人深圳市乐夷微电子有限公司地址518101广东省深圳市宝安区西乡街道宝源路深圳市名优工业产品展示采购中心B座3区四楼432号(72)发明人陈立樊子宇(74)专利代理机构北京众元弘策知识产权代理事务所(普通合伙)11462代理人孙东风(51)Int.Cl.H01L27/144(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构及其加工方法(57)摘要本发明公开了一种适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构及其加工方法，所述光敏传感芯片结构包括芯片本体，所述芯片本体上设置第一光敏二极管和第二光敏二极管；还包括第一PMOS管和第二PMOS管；其中，所述第一光敏二极管的受光照区域覆盖遮光件；所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均连接于正极，所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极相接；所述第一PMOS管的漏极与栅极相接、同时与第一光敏二极管的负极相接；所述第二PMOS管的漏极与第二光敏二极管的负极相接、同时接入电流放大器的输入端，该电流放大器的输出端即为信号输出端；所述第一光敏二极管的正极与所述第二光敏二极管的正极均接地。CN109509760ACN109509760A权利要求书1/1页1.一种适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构，包括芯片本体，其特征在于，所述芯片本体上设置有面积相同、PN结体结构相同的第一光敏二极管和第二光敏二极管；还包括第一PMOS管和第二PMOS管；其中，所述第一光敏二极管的受光照区域覆盖遮光件；所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均连接于正极，所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极相接；所述第一PMOS管的漏极与栅极相接、同时与第一光敏二极管的负极相接；所述第二PMOS管的漏极与第二光敏二极管的负极相接、同时接入电流放大器的输入端，该电流放大器的输出端即为信号输出端；所述第一光敏二极管的正极与所述第二光敏二极管的正极均接地。2.如权利要求1所述的适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构，其特征在于，所述遮光件为金属层。3.如权利要求1所述的适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构，其特征在于，所述光敏二极管包括N型衬底，在所述N型衬底上设置有P阱层，所述P阱层的顶面间隔分布有P型基区和N+掺杂，在所述N+掺杂上分布有栅氧，且在预定的栅氧上设置了多晶；所述多晶、栅氧、栅氧之下的N+掺杂、以及P型基区均被介质层覆盖，在所述介质层上覆盖有二氧化硅层；所述介质层上对应于P型基区的位置开设有通孔，在所述二氧化硅层的下层对应于所述通孔的位置设置有金属铝；在所述二氧化硅层的顶面、且正对多晶的上部具有开窗。4.一种加工适合微型表面贴装的光敏二极管的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，取型号为N型，电阻率20～30ohm-cm，晶向<100>的硅材料形成N型衬底；步骤二，在所述N型衬底上推进氧化层厚为200A～400A、结深为6um～8um的P阱；步骤三，在所述P阱上间隔进行离子注入以形成P型基区，所述离子注入剂量为1E14，注入能量60KeV～80KeV；步骤四，进行As离子注入以表面调节，所述离子注入能量为80KeV～200KeV，离子注入剂量为8E12～2E13；步骤五，在所述P阱上间隔推进N+掺杂，其中，氧化层厚度为3000A～4000A，基区结深为4um～6um；步骤六，在所述N+掺杂上形成栅氧，其中，氧化层厚度为150A～250A；步骤七，在预定的栅氧上设置电阻率为20～30ohm/sq、厚度为2000A～4000A的多晶；步骤八，形成厚度为100A～300A的介质层，并令所述介质层覆盖所述多晶、栅氧、栅氧之下的N+掺杂、以及P型基区；步骤九，在所述介质层上对应于P型基区的位置光刻腐蚀出通孔；步骤十，在所述介质层上、且对应于通孔的位置淀积8000A～12000A金属铝；步骤十一，在所述介质层上淀积形成二氧化硅层，且所述二氧化硅层厚度为10000A～20000A；步骤十二，在所述二氧化硅层的顶面、且正对多晶的上部具有开窗。2CN109509760A说明书1/4页一种适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构及其加工方法技术领域[0001]本发明涉及一种芯片结构及其加工方法，尤其涉及一种适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构及其加工方法。背景技术[0002]光敏器件作为一种光学传感元件，与发光管配合，可以实现电/光、光/电的相互转换，正越来越多的被应用到智能穿戴、智能控制、物联网等场合。[0