膜层厚度均匀性的检测方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113628985A(43)申请公布日2021.11.09(21)申请号202110775123.2(22)申请日2021.07.07(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司(72)发明人董俊张顾斌王雷(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人罗雅文(51)Int.Cl.H01L21/66(2006.01)H01L21/8249(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称膜层厚度均匀性的检测方法(57)摘要本申请公开了一种膜层厚度均匀性的检测方法，涉及半导体制造领域。该膜层厚度均匀性的检测方法包括在晶圆上的预定膜层表面形成膜厚监控结构；量测所述晶圆上预定位置的所述膜厚监控结构的关键尺寸；根据量测得到的关键尺寸，检测所述预定膜层的厚度均匀性；解决了目前膜厚检测手段无法实时监控晶圆上膜层厚度分布情况的问题；达到了便捷、实时地检测量产产品的膜厚均匀性的效果。CN113628985ACN113628985A权利要求书1/1页1.一种膜层厚度均匀性的检测方法，其特征在于，所述方法包括：在晶圆上的预定膜层表面形成膜厚监控结构；量测所述晶圆上预定位置的所述膜厚监控结构的关键尺寸；根据量测得到的关键尺寸，检测所述预定膜层的厚度均匀性。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在晶圆上的预定膜层表面形成膜厚监控结构，包括：在所述晶圆上的预定膜层表面旋涂光刻胶；利用带有膜厚监控结构图案的掩膜版进行曝光；对所述晶圆进行显影处理，形成所述膜厚监控结构。3.根据权利1所述的方法，其特征在于，所述预定位置至少包括晶圆中心、晶圆边缘。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据量测得到的关键尺寸，检测所述预定膜层的厚度均匀性，包括：根据量测得到的关键尺寸，绘制特征尺寸分布区域图；所述特征尺寸分布区域图与所述晶圆对应，所述特征尺寸分布区域图包括预定位置和所述预定位置对应的膜厚监控结构的关键尺寸；根据绘制特征尺寸分布区域图，检测所述预定膜层的厚度均匀性。5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述膜厚监控结构为CDBar。6.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述预定膜层为外延层。7.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述预定膜层为氧化层。2CN113628985A说明书1/4页膜层厚度均匀性的检测方法技术领域[0001]本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种膜层厚度均匀性的检测方法。背景技术[0002]BCD(Bipolar‑CMOS‑DMOS)工艺是一种单片集成工艺技术，能够将双极器件、CMOS器件和DMOS器件同时制作在同一芯片上。[0003]在BCD工艺中，需要使用外延工艺。硅外延工艺一般在高温下进行，通过对晶圆进行热处理操作从而在其表面生长外延层。基于外延生长的原理，晶圆不同区域的外延厚度存在一定的差异。[0004]由于晶圆上膜层的均匀性关系到器件性能的稳定性，因此，需要对晶圆上膜层的厚度进行监控。然而，目前检测膜层厚度的手段无法实时检测晶圆上膜层厚度的分布情况。发明内容[0005]为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种膜层厚度均匀性的检测方法。该技术方案如下：[0006]一方面，本申请实施例提供了一种膜层厚度均匀性的检测方法，该方法包括：[0007]在晶圆上的预定膜层表面形成膜厚监控结构；[0008]量测晶圆上预定位置的膜厚监控结构的关键尺寸；[0009]根据量测得到的关键尺寸，检测预定膜层的厚度均匀性。[0010]可选的，在晶圆上的预定膜层表面形成膜厚监控结构，包括：[0011]在晶圆上的预定膜层表面旋涂光刻胶；[0012]利用带有膜厚监控结构图案的掩膜版进行曝光；[0013]对晶圆进行显影处理，形成膜厚监控结构。[0014]可选的，预定位置至少包括晶圆中心、晶圆边缘。[0015]可选的，根据量测得到的关键尺寸，检测预定膜层的厚度均匀性，包括：[0016]根据量测得到的关键尺寸，绘制特征尺寸分布区域图；特征尺寸分布区域图与晶圆对应，特征尺寸分布区域图包括预定位置和预定位置对应的膜厚监控结构的关键尺寸；[0017]根据绘制特征尺寸分布区域图，检测预定膜层的厚度均匀性。[0018]可选的，膜厚监控结构为CDBar。[0019]可选的，预定膜层为外延层。[0020]可选的，预定膜层为氧化层。[0021]本申请技术方案，至少包括如下优点：[0022]通过在晶圆上预定膜层的表面形成膜厚监控结构，量测晶圆上预定位置的膜厚监控结构的关键尺寸，根据量测得到的关键尺寸，检测预定膜层的厚度均匀性；解决了目前膜厚检测手段